【技术实现步骤摘要】
一种低损耗铌酸锂薄膜光波导的制备方法
本专利技术涉及集成光电子学领域，具体涉及一种低损耗LN薄膜光波导的制备方法。
技术介绍
近十几年来出现了一种制作高折射率差单晶LN薄膜的方法，具体为利用离子注入技术和晶圆键合技术，使单晶LN薄膜与沉积在LN衬底上的SiO2层相结合，制备出LNOI。大部分文献记载的LNOI的基本结构自上而下依次为LN衬底、SiO2层、LN薄膜层。因为其折射率对比度较高，能够严格限制光束，所以成为了集成光学的理想平台。目前，科研人员已经在LNOI上制作出了了Y分束器、电光调制器、微环共振器以及二次谐波发生器等器件，且制作LNOI纳米线、微环等结构的加工工艺也日趋成熟和完善。因此，在LNOI上制作光波导具有重要的应用价值，也将是未来LNOI平台上的大规模集成光电子芯片中不可或缺的一部分。然而，大量已报道LNOI中的波导是采用干法或湿法刻蚀技术制作的脊波导，由于刻蚀后波导边缘比较粗糙，导致波导损耗过大，通常为10dB/cm，这对于非线性频率变换、马赫-曾德尔调制器和波导激光器等应用来说损耗过高。...
【技术保护点】
1.一种低损耗铌酸锂薄膜光波导的制备方法，其特征在于，该方法具体包括以下步骤：/n首先采用LNOI作为初始材料，然后在LN薄膜层的表面镀一层100nm厚的SiO
【技术特征摘要】
1.一种低损耗铌酸锂薄膜光波导的制备方法，其特征在于，该方法具体包括以下步骤：
首先采用LNOI作为初始材料，然后在LN薄膜层的表面镀一层100nm厚的SiO2膜，对SiO2膜进行光刻，制作出条状结构的2～3μm宽的SiO2掩模，接着把光刻后的条状结构的SiO2掩模样品在520～550℃下LRVTE处理10～20个小时，得到LRVTE条状区域，将所述LRVTE区域的单晶LN薄膜制作成LN薄膜...
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