一种耳鼻综合治疗设备制造技术

本发明专利技术提供了一种耳鼻综合治疗设备，包括两路半导体激光器驱动子电路、两路半导体激光器、耳垂刺激子电路、耳道刺激子电路、穴位刺激子电路和电源，半导体激光器驱动子电路、耳垂刺激子电路、耳道刺激子电路、穴位刺激子电路均与电源电性连接。本发明专利技术通过将半导体激光器照射、交变脉冲刺激耳垂、耳道电极刺激以及穴位刺激进行有机结合，激光可直接照射在鼻腔和耳道内的患处，改善患处的血氧条件，加快病灶的治疗，改善中耳炎相关症状。

A kind of equipment for comprehensive treatment of ear and nose

【技术实现步骤摘要】
一种耳鼻综合治疗设备
本专利技术涉及耳道疾病治疗设备领域，尤其涉及一种耳鼻综合治疗设备。
技术介绍
中耳炎是累及中耳，包括咽鼓管、鼓室、鼓窦及乳突气房全部或者部分结构的炎性病变，好发于儿童，主要表现为耳痛、流脓、鼓膜穿孔以及听力下降等症状，中耳炎会导致不同程度的耳聋。如果鼓室内有积水，或者身体免疫力差容易感冒，中耳炎会反复发作，给病人带来极大的痛苦。传统中医理论认为耳道发炎是因肝胆湿热、火邪气盛、肝经不调引起。细菌感染、耳道进水、长时间大音量使用耳机都会引发中耳炎。另外，由于鼻腔通过咽鼓管与耳道相通，鼻腔有炎症时，鼻窦的引流方向如果改变，细菌可能通过咽鼓管到达并感染中耳，从而引发分泌性中耳炎，有研究表明，将近半数的中耳炎与鼻腔炎症有直接关系。现有中耳炎的治疗主要以药物疗法为主，治疗方针是清除病灶，鼓膜打孔或穿刺，排出积液，防止继发感染。但是，中耳炎不是由一种病因引起的疾病，如果只针对耳部进行治疗，很难达到应有的治疗效果。如果能对鼻腔和耳道、耳膜进行综合性的治疗，必将对中耳炎的反复发作起到较好的预防效果。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提出了一种能同时对鼻腔和耳道进行综合治疗的耳鼻综合治疗设备。本专利技术的技术方案是这样实现的：本专利技术提供了一种耳鼻综合治疗设备，包括两路半导体激光器驱动子电路(1)、两路半导体激光器(11)、耳垂刺激子电路(2)、耳道刺激子电路(3)、穴位刺激子电路(4)和电源(5)，半导体激光器驱动子电路(1)、耳垂刺激子电路(2)、耳道刺激子电路(3)、穴位刺激子电路(4)均与电源(5)电性连接；其中：半导体激光器驱动子电路(1)的输出端与半导体激光器(11)的输入端连通，并使半导体激光器(11)受激发光并照射耳道或者鼻腔内部；耳垂刺激子电路(2)具有两个输入端，该两个输入端分别接入两路反相的PMW信号，且耳垂刺激子电路(2)输出端输出脉冲信号刺激耳垂处的毛细血管；耳道刺激子电路(3)的输入端与耳垂刺激子电路(2)其中一个输入端共用一路PMW信号，且耳道刺激子电路(3)输出端输出脉冲信号刺激耳道内的毛细血管；穴位刺激子电路(4)输出脉冲信号对鼻翼两侧的迎香穴进行刺激。在以上技术方案的基础上，优选的，所述半导体激光器驱动子电路(1)包括光耦合器、第一运输放大器A1、第二运算放大器A2和三极管Q1，光耦合器的引脚1通过开关K0与+3.3V电源电性连接；光耦合器的引脚2置为低电平；光耦合器的引脚3接地，光耦合器的引脚4与第一运算放大器A1的同相输入端电性连接；第一运算放大器A1的输出端与电阻R2的一端电性连接，电阻R2的另一端与三极管Q1的基极电性连接，三极管Q1的集电极与电容C3的一端电性连接，电容C3的另一端与+5V电源电性连接；半导体激光器(11)并联在电容C3的两端；三极管Q1的发射极分别与电阻R3的一端和第二运算放大器A2的同相输入端并联，电阻R3与电阻R4串联后并联在第二运算放大器A2的同相输入端与反相输入端之间，电阻R3与电阻R4的连接端接地；第二运算放大器A2的输出端与第一运算放大器A1的反相输入端电性连接，第二运算放大器A2的输出端与其反相输入端之间还并联有电阻R5和电容C2；第一运算放大器A1的反相输入端与输出端之间并联有电容C1；半导体激光器(11)的两端反向并联有瞬态抑制二极管D1。进一步优选的，所述耳垂刺激子电路(2)包括第一输入端、第二输入端、三极管Q2、Q3、Q4、Q5和插座J1，第一输入端和第二输入端分别接入两路反相的PMW信号；三极管Q2的基极通过电阻R6与其第一输入端电性连接，三极管Q3的基极通过电阻R7与其第二输入端电性连接；三极管Q2和Q3的发射极均接地；三极管Q2的集电极一方面通过电阻R8与三极管Q4的基极电性连接，三极管Q2的集电极还与三极管Q5的集电极电性连接；三极管Q3的集电极一方面通过电阻R9与三极管Q5的基极电性连接，三极管Q3的集电极还与三极管Q4的集电极电性连接；三极管Q4的基极通过电阻R10与其发射极并联，三极管Q5的基极通过电阻R11与其发射极并联；三极管Q4和Q5的发射极均与+5V电源电性连接；三极管Q4和Q5的集电极还分别通过电阻R12和电阻R13与插座J1的引脚1和引脚2电性连接。更进一步优选的，所述耳道刺激子电路(3)包括第三运算放大器A3、第四运算放大器A4、三极管Q7、三极管Q8和插座J2，耳道刺激子子电路(3)的输入端分别与耳垂刺激子电路(2)的第一输入端和第三运算放大器A3的同相输入端电性连接，第三运算放大器A3的输出端通过电阻R16与三极管Q7的基极电性连接，三极管Q7的集电极串联电阻R17后接地，三极管Q7的集电极还与第三运算放大器A3的反相输入端电性连接；三极管Q7的发射极分别与电阻R18的一端和第四运算放大器A4的同相输入端电性连接，电阻R18的另一端与电阻R19的一端并联后与电源电性连接，电阻R19的另一端与第四运算放大器A4的反相输入端电性连接；第四运算放大器A4的输出端通过电阻R20与三极管Q8的基极电性连接，三极管Q8的发射极与第四运算放大器A4的反相输入端电性连接；插座J2分别与三极管Q8的集电极和地线电性连接。再进一步优选的，所述穴位刺激子电路(4)包括脉冲频率芯片TL494、三极管Q9、第一变压器T1和插座J3，脉冲频率芯片TL494的引脚2和引脚3之间与电阻R22的两端并联，电阻R22的两端还并联有电阻R21和电容C7串联的支路，引脚2还与电阻R23的一端并联，引脚14分别与电阻R23的另一端电性连接，引脚14和引脚15之间并联有电阻R25，引脚15还通过电阻R26接地；引脚5与电容C9的一端电性连接，引脚6与电阻R27的一端电性连接，电容C9和电阻R27的另一端并联后接地；引脚8和引脚11并联后与三极管Q9的基极电性连接，三极管Q9的发射极与电源和引脚12并联，三极管Q9的基极和发射极之间还并联有电阻R28，三极管Q9的集电极分别与电感L2的一端和二极管D4的负极并联，二极管D4的正极接地，电感L2的另一端分别与第一变压器T1的原边的一端、电阻R24的一端和电容C8的一端并联，电阻R24的另一端与脉冲频率芯片TL494的引脚1电性连接，电容C8的另一端接地，第一变压器T1的原边的另一端接地；脉冲频率芯片的引脚4、引脚7、引脚9、引脚10、引脚13和引脚16均并联后接地；插座J3并联在第一变压器T2的副边。更进一步的优选的，还包括MCU，MCU为STM32F103单片机，MCU的输出端分别与光耦合器的引脚2、耳垂刺激子电路(2)的第一输入端和第二输入端以及耳道刺激子子电路(3)的输入端电性连接，MCU与电源(5)的输出端电性连接。再进一步的优选的，还包括箱体(8)和耳塞(9)，箱体(8)内部中空，两半导体激光器驱动子电路(1)、耳垂刺激子电路(2)、耳道刺激子电路(3)、穴位刺激子电路(4)和电源(5)均固定设置在箱体(8)内部；耳塞(9)内部中空，耳塞(9)上开设有第一通孔(91)，半导体激光器(11)嵌设在耳塞(9)的通孔(91本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种耳鼻综合治疗设备，其特征在于：包括两路半导体激光器驱动子电路(1)、两路半导体激光器(11)、耳垂刺激子电路(2)、耳道刺激子电路(3)、穴位刺激子电路(4)和电源(5)，半导体激光器驱动子电路(1)、耳垂刺激子电路(2)、耳道刺激子电路(3)、穴位刺激子电路(4)均与电源(5)电性连接；其中：/n半导体激光器驱动子电路(1)的输出端与半导体激光器(11)的输入端连通，并使半导体激光器(11)受激发光并照射耳道或者鼻腔内部；/n耳垂刺激子电路(2)具有两个输入端，该两个输入端分别接入两路反相的PMW信号，且耳垂刺激子电路(2)输出端输出脉冲信号刺激耳垂处的毛细血管；/n耳道刺激子电路(3)的输入端与耳垂刺激子电路(2)其中一个输入端共用一路PMW信号，且耳道刺激子电路(3)输出端输出脉冲信号刺激耳道内的毛细血管；/n穴位刺激子电路(4)输出脉冲信号对鼻翼两侧的迎香穴进行刺激。/n

【技术特征摘要】
1.一种耳鼻综合治疗设备，其特征在于：包括两路半导体激光器驱动子电路(1)、两路半导体激光器(11)、耳垂刺激子电路(2)、耳道刺激子电路(3)、穴位刺激子电路(4)和电源(5)，半导体激光器驱动子电路(1)、耳垂刺激子电路(2)、耳道刺激子电路(3)、穴位刺激子电路(4)均与电源(5)电性连接；其中：
半导体激光器驱动子电路(1)的输出端与半导体激光器(11)的输入端连通，并使半导体激光器(11)受激发光并照射耳道或者鼻腔内部；
耳垂刺激子电路(2)具有两个输入端，该两个输入端分别接入两路反相的PMW信号，且耳垂刺激子电路(2)输出端输出脉冲信号刺激耳垂处的毛细血管；
耳道刺激子电路(3)的输入端与耳垂刺激子电路(2)其中一个输入端共用一路PMW信号，且耳道刺激子电路(3)输出端输出脉冲信号刺激耳道内的毛细血管；
穴位刺激子电路(4)输出脉冲信号对鼻翼两侧的迎香穴进行刺激。


2.如权利要求1所述的一种耳鼻综合治疗设备，其特征在于：所述半导体激光器驱动子电路(1)包括光耦合器、第一运输放大器A1、第二运算放大器A2和三极管Q1，光耦合器的引脚1通过开关K0与+3.3V电源电性连接；光耦合器的引脚2置为低电平；光耦合器的引脚3接地，光耦合器的引脚4与第一运算放大器A1的同相输入端电性连接；第一运算放大器A1的输出端与电阻R2的一端电性连接，电阻R2的另一端与三极管Q1的基极电性连接，三极管Q1的集电极与电容C3的一端电性连接，电容C3的另一端与+5V电源电性连接；半导体激光器(11)并联在电容C3的两端；三极管Q1的发射极分别与电阻R3的一端和第二运算放大器A2的同相输入端并联，电阻R3与电阻R4串联后并联在第二运算放大器A2的同相输入端与反相输入端之间，电阻R3与电阻R4的连接端接地；第二运算放大器A2的输出端与第一运算放大器A1的反相输入端电性连接，第二运算放大器A2的输出端与其反相输入端之间还并联有电阻R5和电容C2；第一运算放大器A1的反相输入端与输出端之间并联有电容C1；半导体激光器(11)的两端反向并联有瞬态抑制二极管D1。


3.如权利要求2所述的一种耳鼻综合治疗设备，其特征在于：所述耳垂刺激子电路(2)包括第一输入端、第二输入端、三极管Q2、Q3、Q4、Q5和插座J1，第一输入端和第二输入端分别接入两路反相的PMW信号；三极管Q2的基极通过电阻R6与其第一输入端电性连接，三极管Q3的基极通过电阻R7与其第二输入端电性连接；三极管Q2和Q3的发射极均接地；三极管Q2的集电极一方面通过电阻R8与三极管Q4的基极电性连接，三极管Q2的集电极还与三极管Q5的集电极电性连接；三极管Q3的集电极一方面通过电阻R9与三极管Q5的基极电性连接，三极管Q3的集电极还与三极管Q4的集电极电性连接；三极管Q4的基极通过电阻R10与其发射极并联，三极管Q5的基极通过电阻R11与其发射极并联；三极管Q4和Q5的发射极均与+5V电源电性连接；三极管Q4和Q5的集电极还分别通过电阻R12和电阻R13与插座J1的引脚1和引脚2电性连接。


4.如权利要求3所述的一种耳鼻综合治疗设备，其特征在于：所述耳道刺激子电路(3)包括第三运算放大器A3、第四运算放大器A4、三极管Q7、三极管Q8和插座J2，耳道刺激子子电路(3)的输入端分别与耳垂刺激子电路(2)的第一输入端和第三运算放大器A3的同相输入端电性连接，第三运算放大器A3的输出端通过电阻R16与三极管Q7的基极电性连接，三极管Q7的集电极串联电阻R17后接地，三极管Q7的集电极还与第三运算放大器A3的反相输入端电性连接；三极管Q7...

【专利技术属性】
技术研发人员：张俊文，
申请(专利权)人：武汉春盛电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42