【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】低DC电阻和高RF电阻功率放大器扼流圈电感器相关申请的交叉引用本申请要求于2017年6月26日提交的、标题为“LOWDCRESISTANCEANDHIGHRFRESISTANCEPOWERAMPLIFIERCHOKEINDUCTOR”的美国临时专利申请号No.62/525,114的权益，上述申请的公开内容明确地通过引用整体地并入本文。
本公开总体上涉及扼流圈电感器。更具体地，本公开涉及低直流(DC)电阻和高射频(RF)电阻功率放大器(PA)扼流圈电感器。
技术介绍
扼流圈是用于在通过较低频电流(例如，直流电)的同时阻止电路中的较高频交流电的电感器。在常规系统中，扼流圈是缠绕在磁芯上的绝缘导线的线圈。一些扼流圈电感器可以是螺旋电感器或同螺旋电感器。为了在诸如射频前端(RFFE)功率放大器的放大器中实现稳定性，使用具有低直流电阻和高射频电阻的射频扼流圈是期望的。低直流电阻减小在功率放大器输出处的电压降级。由于高品质(Q)因数(例如，大于二十)，常规印刷电感器可以是不稳定的。高RF电阻或低Q因数是期望的，以...
【技术保护点】
1.一种多层螺旋感应阵列，包括：/n第一多层螺旋电感器，具有与第一层的螺旋图案匹配的第二层；以及/n第二多层螺旋电感器，具有与第四层的螺旋图案匹配的第三层，所述第二多层螺旋电感器与所述第一多层螺旋电感器串联耦合。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170626 US 62/525,114;20171002 US 15/722,4461.一种多层螺旋感应阵列，包括：
第一多层螺旋电感器，具有与第一层的螺旋图案匹配的第二层；以及
第二多层螺旋电感器，具有与第四层的螺旋图案匹配的第三层，所述第二多层螺旋电感器与所述第一多层螺旋电感器串联耦合。
2.根据权利要求1所述的多层螺旋感应阵列，其中所述第一多层螺旋电感器的内螺旋的转弯半径小于所述第一多层螺旋电感器的内迹线的迹线宽度的两倍。
3.根据权利要求1所述的多层螺旋感应阵列，其中所述第一多层螺旋电感器的迹线被耦合到所述第二多层螺旋电感器的迹线。
4.根据权利要求1所述的多层螺旋感应阵列，其中所述第一多层螺旋电感器的所述第二层在所述第一多层螺旋电感器的中心处被耦合到所述第一多层螺旋电感器的所述第一层。
5.根据权利要求1所述的多层螺旋感应阵列，其中所述第一多层螺旋电感器和所述第二多层螺旋电感器形成功率放大器射频(RF)扼流圈电感器。
6.根据权利要求5所述的多层螺旋感应阵列，进一步包括围绕所述功率放大器RF扼流圈电感器的接地壁。
7.根据权利要求1所述的多层螺旋感应阵列，进一步包括与所述第二多层螺旋电感器串联耦合的第三多层螺旋电感器。
8.根据权利要求1所述的多层螺旋感应阵列，其中所述第一层在所述第二层上方，并且所述第四层在所述第三层上方。
9.根据权利要求1所述的多层螺旋感应阵列，所述多层螺旋感应阵列被集成到移动电话、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、计算机、手持式个人通信系统(PCS)单元、便携式数据单元和/或固定位置数据单元中。
10.一种制造多层螺旋感应阵列的方法，包括：
制造具有与第一层的螺旋图案匹配的第二层的第一多层螺旋电感器；以及
制造具有与第四层的螺旋图案匹配的第三层的第二多层螺旋电感器，所述第二多层螺旋电感器串联耦合到所述第一多层螺旋...
【专利技术属性】
技术研发人员：D·D·金，B·具，B·内亚蒂，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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