复合材料及其制备方法和量子点发光二极管技术

本发明专利技术属于纳米材料技术领域，具体涉及一种复合材料及其制备方法和量子点发光二极管。所述复合材料包括ZnS纳米颗粒和分散在所述ZnS纳米颗粒之间的纳米石墨烯。将纳米石墨烯分散在硫化锌纳米颗粒中形成的复合材料可作为一种电子传输效率高、导电性强、化学稳定性好、与量子点发光层的能级匹配度高的电子传输材料。

Composite materials, preparation methods and quantum dot light emitting diodes

【技术实现步骤摘要】
复合材料及其制备方法和量子点发光二极管
本专利技术属于纳米材料
，具体涉及一种复合材料及其制备方法和量子点发光二极管。
技术介绍
量子点发光二极管(QLED)由于其拥有高发光效率、高色纯度、窄发光光谱、发射波长可调等优点，因此成为新一代优秀显示技术，而且QLED的技术水平也在不断提升。其中，优化器件结构是提升QLED性能的一个大方向，如何通过优化电荷传输层来提高量子点发光层的发光效率是最为重要的一个环节。目前，金属氧化物、有机聚合物等材料常被用于制备QLED的电子传输层，然而这些材料会有能级匹配度低、传输效率低等等的缺点。因此，现有技术有待改进。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术的上述不足，提供一种复合材料及其制备方法和量子点发光二极管，旨在解决现有电子传输材料的能级匹配度低、且电子传输效率低的技术问题。为实现上述专利技术目的，本专利技术采用的技术方案如下：本专利技术一方面提供一种复合材料，所述复合材料包括ZnS纳米颗粒和分散在所述ZnS纳米颗粒之间的纳米石墨烯。本专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种复合材料，其特征在于，所述复合材料包括ZnS纳米颗粒和分散在所述ZnS纳米颗粒之间的纳米石墨烯。/n

【技术特征摘要】
1.一种复合材料，其特征在于，所述复合材料包括ZnS纳米颗粒和分散在所述ZnS纳米颗粒之间的纳米石墨烯。


2.如权利要求1所述的复合材料，其特征在于，在所述复合材料中，Zn元素与C元素的摩尔比为1：0.005-0.05。


3.如权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述ZnS纳米颗粒的粒径为10-100nm。


4.如权利要求1所述的复合材料，其特征在于，所述纳米石墨烯选自石墨烯纳米球、石墨烯纳米线、石墨烯纳米棒和石墨烯纳米锤中的至少一种；和/或
所述纳米石墨烯的尺寸为1-10nm。


5.一种复合材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供ZnS溶液；
将纳米石墨烯粉末加入所述ZnS溶液中，得到前驱体溶液；
将所述前驱体溶液进行退火处理，得到所述复合材料。


6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述Zn...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴劲衡，吴龙佳，何斯纳，
申请(专利权)人：TCL集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44