直流微电阻测量方法及装置制造方法及图纸

本申请提供了一种直流微电阻测量方法及装置，包括：首先根据待测电阻的功率通入预设电流，记录所述待测电阻在预设时间内的阻值变化和温度变化，并得到多个第一阻值和多个与各个所述第一阻值对应的第一温度值。其次，根据多个所述第一阻值和所述第一温度值确定所述待测电阻的温度变化曲线。最后，将所述温度变化曲线与多个预设温度变化曲线进行比对，从而可确定所述待测电阻的性能参数。本申请不仅能够校正温度对标准电阻的影响，还提高了测量的可靠性，测试过程更加便捷快速。

DC micro resistance measurement method and device

【技术实现步骤摘要】
直流微电阻测量方法及装置
本申请涉及检测
，特别是涉及直流微电阻测量方法及装置。
技术介绍
在生产和实践中，常常需要对微小电阻进行精确测量。例如电机和变压器的线圈电阻，电闸接线端子和电缆插座的接触电阻，大功率电气开关的接触电阻等。这些电阻的阻值一般都在mΩ级甚至μΩ级。一般的指针或数字万用表可以实现对10Ω-100MΩ范围内电阻值的精确测量。但对于1Ω以下的电阻(即微电阻)，指针或数字万用表的测量值会出现严重偏差。目前，针对微电阻的阻值测量大多采用微电阻测试仪进行测量。通过微电阻测试仪可以实现对微小电阻测量，但采用微电阻测试仪按照现有的测试方法在测量时忽略了不同电阻温度系数对其阻值的影响，即忽略了电阻在测量时产生温升，使其阻值发生变化，造成测量偏差。
技术实现思路
基于此，有必要针对现有微电阻测试仪按照现有的测试方法在测量时忽略了电阻在测量时产生的温升，使其阻值发生变化，从而造成测量偏差的问题，提供一种直流微电阻测量方法及装置。一种直流微电阻测量方法，包括：根据待测电阻的功率通入预设电流，记录所述待测电阻在预设时间内的阻值变化和温度变化，并得到多个第一阻值和多个与各个所述第一阻值对应的第一温度值；根据多个所述第一阻值和所述第一温度值确定所述待测电阻的温度变化曲线；将所述温度变化曲线与多个预设温度变化曲线进行比对，以确定所述待测电阻的性能参数。在其中一个实施例中，所述将所述温度变化曲线与多个预设温度变化曲线进行比对，以确定所述待测电阻的性能参数的步骤包括：获取多个所述预设温度变化曲线；将所述温度变化曲线与多个所述预设温度变化曲线分别进行比对，若温度变化曲线与多个所述预设温度变化曲线中的任意一个所述预设温度变化曲线重合，则确定所述待测电阻的性能参数与该所述预设温度变化曲线对应的电阻的性能参数相同。在其中一个实施例中，所述将所述温度变化曲线与多个预设温度变化曲线进行比对，以确定所述待测电阻的性能参数的步骤之前，所述方法还包括：将不同材料的标准电阻分别通入所述预设电流，记录各个所述标准电阻在所述预设时间内的阻值变化和温度变化，并得到多个第二阻值和多个与各个所述第二阻值对应的第二温度值；根据多个所述第二阻值和多个所述第二温度值确定各个所述标准电阻的温度变化曲线，并得到多个所述预设温度变化曲线。在其中一个实施例中，根据多个所述第二阻值和多个所述第二温度值确定各个所述标准电阻的温度变化曲线，并得到多个所述预设温度变化曲线的步骤包括：根据多个所述第二阻值和多个所述第二温度值按照预设算法确定各个所述标准电阻的温度变化曲线，并得到多个所述预设温度变化曲线，所述预设算法包括负温度系数预设算法和正温度系数预设算法。在其中一个实施例中，所述负温度系数预设算法的公式如下：其中，Rn-T为所述标准电阻在待测温度的电阻值，Rn-25为所述标准电阻在25℃时的电阻值，BN为负温度系数所述标准电阻的材料常数，T为待测温度。在其中一个实施例中，所述正温度系数预设算法的公式如下：RT＝R25expBP(T-298)其中，RT为所述标准电阻在待测温度的电阻值，R25为所述标准电阻在25℃时的电阻值，BP为正温度系数所述标准电阻的材料常数，T为待测温度。在其中一个实施例中，所述根据多个所述第一阻值和所述第一温度值确定所述待测电阻的温度变化曲线的步骤包括：根据多个所述第一阻值和所述第一温度值按照预设算法确定所述待测电阻的温度变化曲线，所述预设算法包括负温度系数预设算法和正温度系数预设算法。在其中一个实施例中，所述负温度系数预设算法的公式如下：其中，rn-T为所述待测电阻在待测温度的电阻值，rn-25为所述待测电阻在25℃时的电阻值，BN1为负温度系数所述待测电阻的材料常数，T为待测温度；所述正温度系数预设算法的公式如下：rT＝r25expBP1(T-298)其中，rT为所述待测电阻在待测温度的电阻值，r25为所述待测电阻在25℃时的电阻值，BP1为正温度系数所述待测电阻的材料常数。一种直流微电阻测量装置，包括：真空烘箱以及设置于真空烘箱内的可控电流源、标准电阻、第一继电器开关、待测电阻、第二继电器开关、电压表、电流表和处理器，所述真空烘箱设置有温度表；所述可控电流源依次与所述标准电阻、所述第一继电器开关和所述电流表串联，并形成闭环回路；所述待测电阻的第一端与所述可控电流源的第一端电连接，所述待测电阻的第二端与所述第二继电器开关的第一端电连接，所述第二继电器开关的第二端与所述电流表的第一端电连接；所述电压表的第一端与所述可控电流源的第一端电连接，所述电压表的第二端与所述电流表的第一端电连接，所述处理器分别与所述第一继电器开关、所述第二继电器开关、所述电压表、所述电流表、所述可控电流源和所述温度表电连接；所述处理器用于执行上述任一项实施例所述的直流微电阻测量方法。在其中一个实施例中，所述的直流微电阻测量装置还包括：显示屏，设置于所述真空烘箱，与所述处理器电连接。在其中一个实施例中，所述的直流微电阻测量装置还包括：压力计，设置于所述真空烘箱，用于显示所述真空烘箱内的压力。与现有技术相比，上述直流微电阻测量方法及装置，首先根据待测电阻的功率通入预设电流，记录所述待测电阻在预设时间内的阻值变化和温度变化，并得到多个第一阻值和多个与各个所述第一阻值对应的第一温度值。其次，根据多个所述第一阻值和所述第一温度值确定所述待测电阻的温度变化曲线。最后，将所述温度变化曲线与多个预设温度变化曲线进行比对，从而可确定所述待测电阻的性能参数。不仅能够校正温度对标准电阻的影响，还提高了测量的可靠性，测试过程更加便捷快速。附图说明图1为本申请一实施例提供的直流微电阻测量方法的流程图；图2为本申请一实施例提供的直流微电阻测量装置的结构示意图。10直流微电阻测量装置100真空烘箱110温度表120显示屏130压力计140放气阀150抽气阀160压力泵200可控电流源300标准电阻400第一继电器开关500待测电阻600第二继电器开关700电压表800电流表900处理器具体实施方式为使本申请的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本申请的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本申请。但是本申请能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本申请内涵的情况下做类似改进，因此本申请不受下面公开的具体实施的限制。需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种直流微电阻测量方法，其特征在于，包括：/n根据待测电阻的功率通入预设电流，记录所述待测电阻在预设时间内的阻值变化和温度变化，并得到多个第一阻值和多个与各个所述第一阻值对应的第一温度值；/n根据多个所述第一阻值和所述第一温度值确定所述待测电阻的温度变化曲线；/n将所述温度变化曲线与多个预设温度变化曲线进行比对，以确定所述待测电阻的性能参数。/n

【技术特征摘要】
1.一种直流微电阻测量方法，其特征在于，包括：
根据待测电阻的功率通入预设电流，记录所述待测电阻在预设时间内的阻值变化和温度变化，并得到多个第一阻值和多个与各个所述第一阻值对应的第一温度值；
根据多个所述第一阻值和所述第一温度值确定所述待测电阻的温度变化曲线；
将所述温度变化曲线与多个预设温度变化曲线进行比对，以确定所述待测电阻的性能参数。


2.如权利要求1所述的直流微电阻测量方法，其特征在于，所述将所述温度变化曲线与多个预设温度变化曲线进行比对，以确定所述待测电阻的性能参数的步骤包括：
获取多个所述预设温度变化曲线；
将所述温度变化曲线与多个所述预设温度变化曲线分别进行比对，若温度变化曲线与多个所述预设温度变化曲线中的任意一个所述预设温度变化曲线重合，则确定所述待测电阻的性能参数与该所述预设温度变化曲线对应的电阻的性能参数相同。


3.如权利要求1所述的直流微电阻测量方法，其特征在于，所述将所述温度变化曲线与多个预设温度变化曲线进行比对，以确定所述待测电阻的性能参数的步骤之前，所述方法还包括：
将不同材料的标准电阻分别通入所述预设电流，记录各个所述标准电阻在所述预设时间内的阻值变化和温度变化，并得到多个第二阻值和多个与各个所述第二阻值对应的第二温度值；
根据多个所述第二阻值和多个所述第二温度值确定各个所述标准电阻的温度变化曲线，并得到多个所述预设温度变化曲线。


4.如权利要求3所述的直流微电阻测量方法，其特征在于，根据多个所述第二阻值和多个所述第二温度值确定各个所述标准电阻的温度变化曲线，并得到多个所述预设温度变化曲线的步骤包括：
根据多个所述第二阻值和多个所述第二温度值按照预设算法确定各个所述标准电阻的温度变化曲线，并得到多个所述预设温度变化曲线，所述预设算法包括负温度系数预设算法和正温度系数预设算法。


5.如权利要求4所述的直流微电阻测量方法，其特征在于，所述负温度系数预设算法的公式如下：



其中，Rn-T为所述标准电阻在待测温度的电阻值，Rn-25为所述标准电阻在25℃时的电阻值，BN为负温度系数所述标准电阻的材料常数，T为待测温度。


6.如权利要求4所述的直流微电阻测量方法，其特征在于，所述正温度系数预设算法的公式如下：
RT＝R25expBP(T-298)
其中，RT为所述标准电阻在待测温度的电阻值，R25为所述标准电阻在25℃时的电阻值，BP为正温度系数所述标准电阻的材料常数，T为待测温度。


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【专利技术属性】
技术研发人员：罗欣儿，田杰，余鹏，
申请(专利权)人：深圳供电局有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44