一种降低可控硅调光频闪的调光电路、装置及调光方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种降低可控硅调光频闪的调光电路、装置及调光方法，所述降低可控硅调光频闪的调光电路包括相位检测模块、运算模块、恒流驱动模块和储能模块；所述相位检测模块根据线电压输出相位信息至所述运算模块；所述运算模块根据所述相位信息输出控制信号至所述恒流驱动模块；所述储能模块用于在所述线电压大于所述储能模块的充电电压时存储电能，并在所述线电压小于所述充电电压时，为LED灯串供电；所述恒流驱动模块用于根据所述控制信号调节所述LED灯串的恒流电流，使得所述储能模块放电后的电压大于或等于所述LED灯串的恒流拐点电压，进而实现了LED灯串无频闪，优化LED灯串的发光效果。

A dimming circuit, device and dimming method for reducing SCR dimming strobe

【技术实现步骤摘要】
一种降低可控硅调光频闪的调光电路、装置及调光方法
本专利技术涉及LED调光
，特别涉及一种降低可控硅调光频闪的调光电路、装置及调光方法。
技术介绍
如图1所示，在现有的LED调光电路中，为降低可控硅调光的频闪，通常在灯串的两端并联一电容，使得电容的充电电流最大为LED灯串的设定电流值，当电容的充电时间小于放电时间时，LED电流无法达到设定电流值，而出现频闪；当可控硅相角进一步减小，电容充电时间变短，放电时间变长，频闪加深。因而现有技术还有待改进和提高。
技术实现思路
鉴于上述现有技术的不足之处，本专利技术的目的在于提供的一种降低可控硅调光频闪的调光电路、装置及调光方法，能够有效的解决LED灯串的频闪问题，且电路结构简单。为了达到上述目的，本专利技术采取了以下技术方案：一种降低可控硅调光频闪的调光电路，其与LED灯串连接，包括整流模块、相位检测模块、运算模块、恒流驱动模块和储能模块；输入交流电经过所述整流模块进行整流处理后输出线电压至所述相位检测模块、所述LED灯串和所述储能模块；所述相位检测模块根据所述线电压输出相位信息至所述运算模块；所述运算模块根据所述相位信息输出控制信号至所述恒流驱动模块；所述储能模块用于在所述线电压大于所述储能模块的充电电压时存储电能，并在所述线电压小于所述充电电压时，为所述LED灯串供电；所述恒流驱动模块用于根据所述控制信号调节所述LED灯串的恒流电流，使得所述储能模块放电后的电压大于或等于所述LED灯串的恒流拐点电压。所述的降低可控硅调光频闪的调光电路中，所述恒流驱动模块包括第一恒流驱动单元和第二恒流驱动单元；所述第一恒流驱动单元用于根据所述控制信号调节所述充电电流，所述第二恒流驱动单元用于根据所述控制信号调节所述恒流电流。所述的降低可控硅调光频闪的调光电路中，所述运算模块具体用于根据所述相位信息输出第一控制信号至所述第一恒流驱动单元，并输出第二控制信号至所述第二恒流驱动单元。所述的降低可控硅调光频闪的调光电路中，所述第一恒流驱动单元包括第一运算放大器、第一MOS管和第一电阻，所述第一运算放大器的输出端连接所述第一MOS管的栅极，所述第一MOS管的源极通过所述第一电阻接地，所述第一MOS管的漏极连接所述储能模块；所述第一运算放大器的正相输入端连接所述运算模块，所述第一运算放大器的反相输入端连接所述第一MOS管的源极。所述的降低可控硅调光频闪的调光电路中，所述第二恒流驱动单元包括第二运算放大器、第二MOS管和第二电阻；所述第二运算放大器的输出端连接所述第二MOS管的栅极，所述第二MOS管的源极通过所述第二电阻接地，所述第二MOS管的漏极连接所述LED灯串的输出端；所述第一运算放大器的正相输入端连接所述运算模块，所述第一运算放大器的反相输入端连接所述第二MOS管的源极。所述的降低可控硅调光频闪的调光电路中，所述运算模块包括第三运算放大器、第四运算放大器、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第三电阻、第四电阻、第五电阻和第六电阻；所述第三运算放大器的输出端连接所述第三MOS管的栅极，所述第三MOS管的漏极连接所述第四MOS管的栅极、所述第四MOS管的源极和所述第五MOS管的栅极，所述第四MOS管的漏极连接所述第五MOS管的漏极，所述第五MOS管的源极连接所述第一恒流驱动单元和所述第六电阻的一端；所述第三MOS管的源极连接所述第五电阻的一端，所述第五电阻的另一端连接所述第四运算放大器的输出端和所述第四电阻的一端，所述第四电阻的另一端连接所述第四运算放大器的反相输入端和所述第三电阻的一端，所述第三电阻的另一端和所述第六电阻的另一端均接地；所述第四运算放大器的正相输入端连接所述相位检测模块和所述第二恒流驱动单元。所述的降低可控硅调光频闪的调光电路中，所述相位检测模块包括第七电阻、第八电阻和第一电容；所述第七电阻连接所述整流模块和所述LED灯串的输入端，所述第七电阻的另一端连接所述第四运算放大器的正相输入端、所述第一电容的一端和所述第八电阻的一端，所述第八电阻的另一端和所述第一电容的另一端均接地。所述的降低可控硅调光频闪的调光电路中，所述第四MOS管和所述第五MOS管均为P沟道MOS管。一种基于如上所述的降低可控硅调光频闪的调光电路的调光方法，包括如下步骤：输入交流电经过所述整流模块进行整流处理后输出线电压至所述相位检测模块、所述LED灯串和所述储能模块；所述相位检测模块根据所述线电压输出相位信息至所述运算模块；所述运算模块根据所述相位信息输出控制信号至所述恒流驱动模块；所述储能模块用于在所述线电压大于所述储能模块的充电电压时存储电能，并在所述线电压小于所述充电电压时，为所述LED灯串供电；所述恒流驱动模块用于根据所述控制信号调节所述LED灯串的恒流电流，使得所述储能模块放电后的电压大于或等于所述LED灯串的恒流拐点电压。一种降低可控硅调光频闪的调光装置，包括外壳，所述外壳内设置有PCB板，其特征在于，所述PCB板上设置有如上所述的降低可控硅调光频闪的调光电路。相较于现有技术，本专利技术提供的一种降低可控硅调光频闪的调光电路、装置及调光方法，所述降低可控硅调光频闪的调光电路包括相位检测模块、运算模块、恒流驱动模块和储能模块；所述相位检测模块根据线电压输出相位信息至所述运算模块；所述运算模块根据所述相位信息输出控制信号至所述恒流驱动模块；所述储能模块用于在所述线电压大于所述储能模块的充电电压时存储电能，并在所述线电压小于所述充电电压时，为LED灯串供电；所述恒流驱动模块用于根据所述控制信号调节所述LED灯串的恒流电流，使得所述储能模块放电后的电压大于或等于所述LED灯串的恒流拐点电压，进而实现了LED灯串无频闪，优化LED灯串的发光效果。附图说明图1为现有的调光电路的电路原理图；图2为本专利技术提供的降低可控硅调光频闪的调光电路的电路框图；图3为本专利技术提供的降低可控硅调光频闪的调光电路中第一实施例的电路原理图；图4为本专利技术提供的降低可控硅调光频闪的调光电路中第二实施例的电路原理图；图5为本专利技术提供的降低可控硅调光频闪的调光方法的步骤流程图。具体实施方式本专利技术的目的在于提供一种降低可控硅调光频闪的调光电路、装置及调光方法，能够有效的解决LED灯串的频闪问题，且电路结构简单。为使本专利技术的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下参照附图并举实施例对本专利技术进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。请一并参阅图2，本专利技术提供降低可控硅调光频闪的调光电路，其与LED灯串连接，包括整流模块100、相位检测模块200、运算模块300、恒流驱动模块400和储能模块500；所述整流模块100的输入端与所述交流电源连接，所述整流模块100的输出端则分别与所述LED灯串的输入端、所述相位检测模块200和所述储能模块500连接，所述LED灯串的输出端连接所述恒流驱动模块4本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种降低可控硅调光频闪的调光电路，其与LED灯串连接，包括整流模块，其特征在于，还包括相位检测模块、运算模块、恒流驱动模块和储能模块；输入交流电经过所述整流模块进行整流处理后输出线电压至所述相位检测模块、所述LED灯串和所述储能模块；所述相位检测模块根据所述线电压输出相位信息至所述运算模块；所述运算模块根据所述相位信息输出控制信号至所述恒流驱动模块；所述储能模块用于在所述线电压大于所述储能模块的充电电压时存储电能，并在所述线电压小于所述充电电压时，为所述LED灯串供电；所述恒流驱动模块用于根据所述控制信号调节所述LED灯串的恒流电流，使得所述储能模块放电后的电压大于或等于所述LED灯串的恒流拐点电压。/n

【技术特征摘要】
1.一种降低可控硅调光频闪的调光电路，其与LED灯串连接，包括整流模块，其特征在于，还包括相位检测模块、运算模块、恒流驱动模块和储能模块；输入交流电经过所述整流模块进行整流处理后输出线电压至所述相位检测模块、所述LED灯串和所述储能模块；所述相位检测模块根据所述线电压输出相位信息至所述运算模块；所述运算模块根据所述相位信息输出控制信号至所述恒流驱动模块；所述储能模块用于在所述线电压大于所述储能模块的充电电压时存储电能，并在所述线电压小于所述充电电压时，为所述LED灯串供电；所述恒流驱动模块用于根据所述控制信号调节所述LED灯串的恒流电流，使得所述储能模块放电后的电压大于或等于所述LED灯串的恒流拐点电压。


2.根据权利要求1所述的降低可控硅调光频闪的调光电路，其特征在于，所述恒流驱动模块包括第一恒流驱动单元和第二恒流驱动单元；所述第一恒流驱动单元用于根据所述控制信号调节所述储能模块的充电电流，所述第二恒流驱动单元用于根据所述控制信号调节所述恒流电流。


3.根据权利要求2所述的降低可控硅调光频闪的调光电路，其特征在于，所述运算模块具体用于根据所述相位信息输出第一控制信号至所述第一恒流驱动单元，并输出第二控制信号至所述第二恒流驱动单元。


4.根据权利要求2所述的降低可控硅调光频闪的调光电路，其特征在于，所述第一恒流驱动单元包括第一运算放大器、第一MOS管和第一电阻，所述第一运算放大器的输出端连接所述第一MOS管的栅极，所述第一MOS管的源极通过所述第一电阻接地，所述第一MOS管的漏极连接所述储能模块；所述第一运算放大器的正相输入端连接所述运算模块，所述第一运算放大器的反相输入端连接所述第一MOS管的源极。


5.根据权利要求2所述的降低可控硅调光频闪的调光电路，其特征在于，所述第二恒流驱动单元包括第二运算放大器、第二MOS管和第二电阻；所述第二运算放大器的输出端连接所述第二MOS管的栅极，所述第二MOS管的源极通过所述第二电阻接地，所述第二MOS管的漏极连接所述LED灯串的输出端；所述第一运算放大器的正相输入端连接所述运算模块，所述第一运算放大器的反相输入端连接所述第二MOS管的源极。


6.根据权利要求1所述的降低可控硅调光频闪的调光电路，其特征在于，所述运算模块包括第三运...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶羽安，陈博，王文攀，
申请(专利权)人：深圳市晟碟半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44