液晶像素电路、其驱动方法、显示面板及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种液晶像素电路、其驱动方法、显示面板及显示装置，通过两个控制模块单独给液晶等效电容、存储电容和补偿电容进行充电，可以保证液晶等效电容、存储电容和补偿电容的充电率，而不会因为充电时间等限制，出现液晶等效电容、存储电容和补偿电容充电不足的情况，另一方面，通过增加与存储电容并联设置的补偿电容，并联后的电容值大于存储电容的电容值，这样相当于增加了液晶等效电容两端的存储电容的电容值，可以更好的锁存液晶等效电容两端的电压，即使第一控制模块由于像素设计等原因造成漏电时，也不会影响液晶等效电容两端的电压，从而可以保证液晶等效电容在长时间内保持稳定，从而不会造成纵向串扰以及残像等问题。

Liquid crystal pixel circuit, driving method, display panel and display device

【技术实现步骤摘要】
液晶像素电路、其驱动方法、显示面板及显示装置
本专利技术涉及显示
，特别涉及一种液晶像素电路、其驱动方法、显示面板及显示装置。
技术介绍
薄膜晶体管-液晶显示器(ThinFilmTransistorLiquidCrystalDisplay，TFT-LCD)具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，已经得到了广泛的应用，现有的液晶显示器，液晶层两侧的像素电极和公共电极构成了液晶等效电容，图1为现有液晶像素电路的结构示意图，该液晶像素电路包括开关晶体管T，由像素电极1和公共电极2构成的液晶等效电容Clc，以及存储电容Cst，开关晶体管T的栅极与栅线Gate相连，开关晶体管T的源极与数据线Data相连，开关晶体管T的漏极与像素电极1相连，公共电极2与公共电极线Vcom相连，存储电容Cst分别与像素电极1和公共电极2相连。在进行显示时，采用逐行扫描的方式，例如对当前行栅线Gate上输入栅极扫描信号，导通开关晶体管T，数据线Data输出数据电压为当前行液晶等效电容Clc充电，充电完成后，当前行栅线Gate上输入截止信号，关断当前行的开关晶体管T，下一行栅线Gate输入栅极扫描信号，依次类推。但是随着尺寸、分辨率越来越大，传统的像素设计结构面临着越来越多的问题，其中栅线Gate在输入截止信号以关闭开关晶体管T时，开关晶体管T会存在漏电流(Ioff)，造成纵向串扰(Vertical-Crosstalk)、残像等多种问题，目前除了大尺寸TV外，对于车载产品，需要适应高低温等不同严格条件下残像测试，漏电流的影响对显示器件越发重要。r>
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供了一种液晶像素电路、其驱动方法、显示面板及显示装置，用以解决由于像素开关晶体管在关态时存在漏电流导致显示画面出现纵向串扰及残像的问题。因此，本专利技术实施例提供了一种液晶像素电路，包括：第一控制模块、液晶等效电容、第二控制模块、存储电容以及与所述存储电容并联设置的补偿电容；其中，所述第一控制模块，用于在充电阶段单独对所述液晶等效电容进行充电；所述第二控制模块，用于在充电阶段仅对所述存储电容和所述补偿电容进行充电，以及用于在锁存阶段使所述存储电容、所述补偿电容和所述液晶等效电容并联连接。可选地，在具体实施时，在本专利技术实施例提供的上述液晶像素电路中，所述第一控制模块包括：第一开关晶体管；所述第一开关晶体管的栅极与第一控制信号线相连，所述第一开关晶体管的第一极与数据信号线相连，所述第一开关晶体管的第二极与所述液晶等效电容的第一端相连；所述液晶等效电容的第二端与公共电压线相连。可选地，在具体实施时，在本专利技术实施例提供的上述液晶像素电路中，所述第二控制模块包括：第二开关晶体管和第三开关晶体管；其中，所述第二开关晶体管的栅极与第二控制信号线相连，所述第二开关晶体管的第一极连接于所述第一开关晶体管的第二极和所述液晶等效电容的第一端之间，所述第二开关晶体管的第二极与所述存储电容的第一端以及所述补偿电容的第一端相连；所述第三开关晶体管的栅极与所述第一控制信号线相连，所述第三开关晶体管的第一极与所述数据信号线相连，所述第三开关晶体管的第二极与所述存储电容的第一端以及所述补偿电容的第一端相连；所述存储电容的第二端以及所述补偿电容的第二端均与所述公共电压线相连。可选地，在具体实施时，在本专利技术实施例提供的上述液晶像素电路中，当所述第二开关晶体管和所述第三开关晶体管的类型不同时，所述第一控制信号线和所述第二控制信号线为同一控制信号线。可选地，在具体实施时，在本专利技术实施例提供的上述液晶像素电路中，所述第一开关晶体管和所述第三开关晶体管均为N型晶体管，所述第二开关晶体管为P型晶体管。可选地，在具体实施时，在本专利技术实施例提供的上述液晶像素电路中，所述第一开关晶体管和所述第三开关晶体管均为P型晶体管，所述第二开关晶体管为N型晶体管。可选地，在具体实施时，在本专利技术实施例提供的上述液晶像素电路中，所述补偿电容包括与所述存储电容并联设置的至少一个补偿子电容。相应地，本专利技术实施例还提供了一种显示面板，包括多个像素单元，每一所述像素单元包括本专利技术实施例提供的上述任一液晶像素电路。相应地，本专利技术实施例还提供了一种显示装置，包括本专利技术实施例提供的上述显示面板。相应地，本专利技术实施例还提供了一种本专利技术实施例提供的上述任一种液晶像素电路的驱动方法，包括：充电阶段：通过所述第一控制模块单独对所述液晶等效电容进行充电，通过所述第二控制模块仅对所述存储电容和所述补偿电容进行充电；锁存阶段：通过所述第二控制模块使所述存储电容、所述补偿电容和所述液晶等效电容并联连接。本专利技术实施例的有益效果如下：本专利技术实施例提供的液晶像素电路、其驱动方法、显示面板及显示装置，在充电阶段，该液晶像素电路通过采用第一控制模块单独对液晶等效电容进行充电，采用第二控制模块仅对存储电容和补偿电容进行充电；在锁存阶段(充电结束阶段)，通过第二控制模块使存储电容、补偿电容和液晶等效电容并联连接；一方面，本专利技术通过两个控制模块单独给液晶等效电容、存储电容和补偿电容进行充电，这样可以保证液晶等效电容、存储电容和补偿电容的充电率，而不会因为充电时间等限制，出现液晶等效电容、存储电容和补偿电容充电不足的情况，另一方面，通过增加与相关技术中存储电容并联设置的补偿电容，并联后的电容值大于相关技术中单独的存储电容的电容值，这样相当于增加了液晶等效电容两端的存储电容的电容值，由于存储电容是为了在液晶等效电容充电结束之后保持液晶等效电容两端的电压稳定，因此通过增大存储电容的电容值，可以更好的锁存液晶等效电容两端的电压，即使第一控制模块由于像素设计等原因造成漏电时，也不会影响液晶等效电容两端的电压，从而可以保证液晶等效电容在长时间内保持稳定，从而不会造成纵向串扰以及残像等问题。附图说明图1为现有的液晶像素电路的结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的液晶像素电路的结构示意图之一；图3为本专利技术实施例提供的液晶像素电路的结构示意图之二；图4为本专利技术实施例提供的液晶像素电路的结构示意图之三；图5为本专利技术实施例提供的液晶像素电路的结构示意图之四。具体实施方式为了使本专利技术的目的，技术方案和优点更加清楚，下面结合附图，对本专利技术实施例提供的液晶像素电路、其驱动方法、显示面板及显示装置的具体实施方式进行详细地说明。显然，所描述的实施例仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本专利技术保护的范围。附图中各部件的形状和大小不反映真实比例，目的只是示意说明本
技术实现思路
。本专利技术实施例提供的一种液晶像素电路，如图2所示，包括：第一控制模块1、液晶等效电容Clc、第二控制模块2、存储电容Cst以及与存储电容并联设置的补偿电容C0；其中，第一控制模块1，用于在充电阶段单独对液晶本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种液晶像素电路，其特征在于，包括：第一控制模块、液晶等效电容、第二控制模块、存储电容以及与所述存储电容并联设置的补偿电容；其中，/n所述第一控制模块，用于在充电阶段单独对所述液晶等效电容进行充电；/n所述第二控制模块，用于在充电阶段仅对所述存储电容和所述补偿电容进行充电，以及用于在锁存阶段使所述存储电容、所述补偿电容和所述液晶等效电容并联连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种液晶像素电路，其特征在于，包括：第一控制模块、液晶等效电容、第二控制模块、存储电容以及与所述存储电容并联设置的补偿电容；其中，
所述第一控制模块，用于在充电阶段单独对所述液晶等效电容进行充电；
所述第二控制模块，用于在充电阶段仅对所述存储电容和所述补偿电容进行充电，以及用于在锁存阶段使所述存储电容、所述补偿电容和所述液晶等效电容并联连接。


2.如权利要求1所述的液晶像素电路，其特征在于，所述第一控制模块包括：第一开关晶体管；
所述第一开关晶体管的栅极与第一控制信号线相连，所述第一开关晶体管的第一极与数据信号线相连，所述第一开关晶体管的第二极与所述液晶等效电容的第一端相连；
所述液晶等效电容的第二端与公共电压线相连。


3.如权利要求2所述的液晶像素电路，其特征在于，所述第二控制模块包括：第二开关晶体管和第三开关晶体管；其中，
所述第二开关晶体管的栅极与第二控制信号线相连，所述第二开关晶体管的第一极连接于所述第一开关晶体管的第二极和所述液晶等效电容的第一端之间，所述第二开关晶体管的第二极与所述存储电容的第一端以及所述补偿电容的第一端相连；
所述第三开关晶体管的栅极与所述第一控制信号线相连，所述第三开关晶体管的第一极与所述数据信号线相连，所述第三开关晶体管的第二极与所述存储电容的第一端以及所述补偿电容的第一端相连；
所述存储电容...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘玉东，李海龙，邓传峰，刘强，陈志远，张晓哲，熊雄，王宁，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥鑫晟光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11