聚合物、有机层组合物以及形成图案的方法技术

本申请公开一种包含由化学式1表示的第一化合物与由化学式2表示的第二化合物的反应产物的聚合物、包含聚合物的有机层组合物以及使用有机层组合物形成图案的方法。根据本发明专利技术的有机膜组合物在通过旋涂方法施加时可具有改进的平坦化特征和间隙填充特征，同时确保耐蚀刻性。[化学式1](CHO)

Polymer, organic layer composition and pattern forming method

【技术实现步骤摘要】
聚合物、有机层组合物以及形成图案的方法相关申请的交叉引用本申请主张2018年7月18日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2018-0083636号的优先权和权益，所述申请的全部内容以引用的方式并入本文中。
本申请公开一种聚合物、包含聚合物的有机层组合物以及使用有机层组合物形成图案的方法。
技术介绍
近年来，半导体行业已经研发出具有几纳米到几十纳米尺寸的图案的超精细技术。这种超精细技术基本上需要有效的光刻技术(lithographictechniques)。典型的光刻技术包含：在半导体衬底上提供材料层；在材料层上涂布光致抗蚀剂层(photoresistlayer)；曝光且显影光致抗蚀剂层以提供光致抗蚀剂图案(photoresistpattern)；以及使用光致抗蚀剂图案作为掩模来蚀刻材料层。当今，根据待形成的图案的较小尺寸，仅仅通过上述典型光刻技术难以提供具有极好轮廓的精细图案。因此，可以在材料层与光致抗蚀剂层之间形成被称为硬掩模(hardmask)层的有机层来提供精细图案。r>硬掩模层起到中间本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种聚合物，包括由化学式1表示的第一化合物与由化学式2表示的第二化合物的反应产物：/n[化学式1]/n(CHO)

【技术特征摘要】
20180718 KR 10-2018-00836361.一种聚合物，包括由化学式1表示的第一化合物与由化学式2表示的第二化合物的反应产物：
[化学式1]
(CHO)n1-Ar1-X-Ar2-(CHO)n2
其中，在化学式1中，
X是O、S或NR，其中R为氢或取代或未取代的C1到C30烷基，
Ar1及Ar2独立地为取代或未取代的C6到C30芳环基，且
n1及n2独立地为整数1到3中的一个；
[化学式2]
Ar3-(OH)m
其中，在化学式2中，
Ar3为至少两个环稠合的取代或未取代的C10到C30稠合芳环基，且
m是整数1到3中的一个。


2.根据权利要求1所述的聚合物，其中所述Ar1及Ar2独立地为至少两个环稠合的取代或未取代的C10到C30稠合芳环基。


3.根据权利要求2所述的聚合物，其中所述Ar1及Ar2独立地为三个环稠合的取代或未取代的C14稠合芳环基、四个环稠合的取代或未取代的C16到C18稠合芳环基或其组合。


4.根据权利要求1所述的聚合物，其中所述第一化合物被羟基及C1到C5烷氧基中的至少一个取代或未取代。


5.根据权利要求1所述的聚合物，其中所述n1及n2独立地为整数1。


6.根据权利要求1所述的聚合物，其中所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：金瑆焕，朴裕信，郑铉日，
申请(专利权)人：三星SDI株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR