一种功放漏极快速通断电控制电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种功放漏极快速通断电控制电路，包括三极管Q1、三极管Q2、三极管Q3和MOS管Q4，所述三极管Q1的b极连接于电阻R4，电阻R4连接于TTL电平，所述三极管Q1的c极连接于电阻R1，电阻R1分别连接于三极管Q2的c极和MOS管Q4的D极，所述三极管Q1的e极接地；所述三极管Q2与三极管Q3的b极连接于串联电阻R2、R3，串联电阻R2、R3连接于三极管Q1的c极的电路上。本功放漏极快速通断电控制电路，采用两个NPN型的三极管、一个PNP型的三极管以及P型的MOS管实现切换电平为TTL电平，从而在切换系统中，达到功放漏极上电时间为ns级，因而可精确控制对功放漏极的快速通断电。

A fast on-off control circuit for power amplifier drain

【技术实现步骤摘要】
一种功放漏极快速通断电控制电路
本技术涉及通信控制电路
，具体为一种功放漏极快速通断电控制电路。
技术介绍
为适应通信产品中收发快速切换，位于发射链路中的功放的通断电时间很关键，在快速切换系统中，要求功放漏极上电时间为ns级，因此，对功放漏极快速通断电的控制则尤为重要。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种功放漏极快速通断电控制电路，采用两个NPN型的三极管、一个PNP型的三极管以及P型的MOS管实现切换电平为TTL电平，从而在切换系统中，达到功放漏极上电时间为ns级，因而可精确控制对功放漏极的快速通断电，解决了现有技术中的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种功放漏极快速通断电控制电路，包括三极管Q1、三极管Q2、三极管Q3和MOS管Q4，所述三极管Q1的b极连接于电阻R4，电阻R4连接于TTL电平，所述三极管Q1的c极连接于电阻R1，电阻R1分别连接于三极管Q2的c极和MOS管Q4的D极，所述三极管Q1的e极接地；所述三极管Q2与三极管Q3的b极连接于串联电阻R2、R3，串联电阻R2、R3连接于三本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种功放漏极快速通断电控制电路，包括三极管Q1、三极管Q2、三极管Q3和MOS管Q4，其特征在于：所述三极管Q1的b极连接于电阻R4，电阻R4连接于TTL电平，所述三极管Q1的c极连接于电阻R1，电阻R1分别连接于三极管Q2的c极和MOS管Q4的D极，所述三极管Q1的e极接地；所述三极管Q2与三极管Q3的b极连接于串联电阻R2、R3，串联电阻R2、R3连接于三极管Q1的c极的电路上，所述三极管Q2与三极管Q3的e极连接，所述三极管Q3的c极连接于+9V电压；所述MOS管Q4的G极连接于三极管Q2和三极管Q3的e极相连电路上，所述MOS管Q4的S极连接于功率放大器PA；所述的电阻R4电路端还...

【技术特征摘要】
1.一种功放漏极快速通断电控制电路，包括三极管Q1、三极管Q2、三极管Q3和MOS管Q4，其特征在于：所述三极管Q1的b极连接于电阻R4，电阻R4连接于TTL电平，所述三极管Q1的c极连接于电阻R1，电阻R1分别连接于三极管Q2的c极和MOS管Q4的D极，所述三极管Q1的e极接地；所述三极管Q2与三极管Q3的b极连接于串联电阻R2、R3，串联电阻R2、R3连接于三极管Q1的c极的电路上，所述三极管Q2与三极管Q3的e极连接，所述三极管Q3的c极连接于+9V电压；所述MOS管Q4的G极连接于三极管Q2和三极管Q3的e极相连电路上，所述MOS管Q4的S极连接于功率放大器PA；所述的电阻R4电路端还并联有电容C1。


2.根据权利要求1所述的一种功放漏极快速通断电控制电路，其特征在于：所述三极管Q1与三...

【专利技术属性】
技术研发人员：孟剑，雷崇文，
申请(专利权)人：北京澳丰源科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11