【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光学频率梳偏移频率的量子干涉检测政府条款本专利技术是根据由NAVY-SPAWAR授予的批准号N6601-15-1-4050以及由DOD/DARPA授予的批准号HR0011516448在政府支持下作出的。政府对本专利技术具有一定权利。相关申请的交叉引用本申请要求于2017年5月12日提交的美国临时申请第62/505,285号的权益。以上申请的全部公开内容通过引用并入本文中。
本公开内容涉及用于确定光学频率梳的偏移频率的改进的方法。
技术介绍
光学频率梳对一系列的技术具有重大且持续的影响。光学频率梳提供了将由任意大的频率差分开的光信号相干地链接以及将光学频率链接到无线电频率的能力。最初,对于梳的兴奋是由于梳在光学频率计量(即,对光的频率进行绝对测量)以及开发光学原子钟的反问题中的应用。然而,梳的应用一直在稳步扩展。这些包括相干通信和双梳光谱的发展,其中双梳光谱与传统方法相比可以更快地并且以更小的包产生更高的分辨率。对于锁模激光器频率梳,稳定和控制梳偏移频率是必要的。测量偏移频率的最常见方案是f-2f自参考。f-2f自参考的一种实现方式是检测由跨半导体隙的同时单光子和双光子吸收引起的光电流的量子干涉控制(QuIC)。该QuIC自参考方案已用于测量和稳定钛:蓝宝石激光器频率梳的载波包络相位。然而,该方案和所有其他f-2f方案均需要跨越至少倍频程(即,频率上的两倍)的频谱。该部分提供了与本公开内容相关的背景信息,该背景信息不一定是现有技术。
技术实现思路
本部 ...
【技术保护点】
1.一种用于确定频率梳的偏移频率的方法,包括:/n生成具有在时域中有规律地重复并且在频域中呈现频率梳的波形的光束,其中,所述光束具有光学带宽,所述光学带宽包括以第一频率传播的光和以第二频率传播的光,其中,所述第一频率小于所述第二频率,并且所述第二频率与所述第一频率之比为3∶2;/n将所述光束指向材料上的入射点,其中,所述材料具有带隙并且所述带隙不大于所述第一频率的三倍;以及/n检测由所述光束引起的所述材料中的光电流的振荡。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170512 US 62/505,2851.一种用于确定频率梳的偏移频率的方法,包括:
生成具有在时域中有规律地重复并且在频域中呈现频率梳的波形的光束,其中,所述光束具有光学带宽,所述光学带宽包括以第一频率传播的光和以第二频率传播的光,其中,所述第一频率小于所述第二频率,并且所述第二频率与所述第一频率之比为3∶2;
将所述光束指向材料上的入射点,其中,所述材料具有带隙并且所述带隙不大于所述第一频率的三倍;以及
检测由所述光束引起的所述材料中的光电流的振荡。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述光束的波形在时域中由一系列光脉冲限定。
3.根据权利要求1所述的方法,还包括:使用锁模激光器生成第一光束。
4.根据权利要求1所述的方法,其中,所述光束的重复率在10兆赫兹至10吉赫兹的范围内。
5.根据权利要求1所述的方法,其中,将所述材料进一步限定为半导体或绝缘体之一。
6.根据权利要求1所述的方法,其中,所述材料具有大于所述第一频率的两倍但小于所述第一频率的三倍的带隙。
7.根据权利要求1所述的方法,还包括:通过测量光电流的振荡的频率来检测所述光电流的振荡。
8.根据权利要求7所述的方法,还包括:使用在所述材料的表面上设置的电极来检测所述光电流的振荡。
9.根据权利要求1所述的方法,还包括:检测横向于光的传播方向流过所述材料的光电流的振荡。
10.根据权利要求1所述的方法,其中,检测所述光电流的振荡还进行以下操作:布置所述材料,使得所述光束不沿所述材料的对称轴传播。
11.根据权利要求10所述的方法,还包括:检测平行于光的传播方向流过所述材料的光电流的振荡。
12.根据权利要求1所述的方法,还包括:在所述光束入射到所述材料上之前,放大所述光束中所述第一频率的光和所述第二频率的光中的至少之一。
13.根据权利要求1所述的方法,还包括:在所述光束入射到所述材料上之前,从所述光束中滤除所述第一频率的光和所述第二频率的光中的至少之一。
14.一种用于确定频率梳的偏移频率的方法,包括:
生成具有在时域中有规律地重复并且在频域中呈现频率梳的波形的光束,其中,所述光束具有光学带宽,所述光学带宽包括以第一频率传播的光和以第二频率传播的光,使得所述第一频率小于所述第二频率,并且所述第二频率与所述第一频率之比为n∶m,其中,n=m+1,m为大于1的整数,并且n为正整数;
将所述光束指向材料上的入射点,其中,所述材料具有带隙并且所述带隙不大于所述第一频率的n倍;以及
检测由所述光束引起的所述材料中的光电流的振荡。
15.根据权利要求14所述的方法,其中,所述光束的波形在时域中由一系列光脉冲限定。
16.根据权利要求14所述的方法,还包括:使用锁模激光器生成第一光束。
17.根据权利要求14所述的方法,其中,所述光束的重复率在10兆赫兹至10吉赫兹的范围内。
18.根据权利要求14所述的方法,其中,将所述材料进一步限定为半导体或绝缘体之一。
19.根据权利要求14所述的方法,其中,所述材料具有大于所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:史蒂文·T·坎迪夫,约翰·希佩,王凯,罗德里戈·穆尼兹,
申请(专利权)人:密歇根大学董事会,
类型:发明
国别省市:美国;US
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