发光装置封装件制造方法及图纸

本公开提供一种发光装置封装件，包括：单元阵列，其具有第一表面和与第一表面相对的第二表面，并且在第一表面的水平延伸线的一部分上包括半导体发光单元，半导体发光单元中的每一个包括第一导电类型半导体层以及顺序地位于包括第一导电类型半导体层的侧壁的层表面上的有源层和第二导电类型半导体层；波长转换单元，其分别对应于半导体发光单元，并且波长转换单元中的每一个布置成对应于第一导电类型半导体层；阻挡结构，其布置在与单元阵列对应的波长转换单元之间；以及开关单元，其布置在阻挡结构中并且电连接到半导体发光单元。

Light emitting device package

【技术实现步骤摘要】
发光装置封装件相关申请的交叉引用本申请要求于2018年7月17日向韩国知识产权局(KIPO)提交的韩国专利申请No.10-2018-0083135的优先权，该申请的内容以引用方式全文并入本文。
根据本公开的设备、装置和制品涉及发光装置封装件，更具体地，涉及高质量的发光装置封装件。
技术介绍
正以将发光装置封装件按原样用作一个像素的形式研发显示设备。使用发光装置封装件的显示设备可以实现高亮度并且可以自由地改变屏幕的纵横比并实现大面积。使用发光装置封装件的显示设备要求易于制造并且具有高质量。
技术实现思路
本公开的一个方面是通过可靠地形成用于控制半导体发光单元的开关单元来提供高质量的发光装置封装件。根据示例实施例的一个方面，提供一种发光装置封装件，包括：单元阵列，其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，并且在所述第一表面的水平延伸线的至少一部分上包括多个半导体发光单元，所述多个半导体发光单元中的每一个包括第一导电类型半导体层以及顺序地位于所述第一导电类型半导体层的包括侧壁的层表面上的有源层和第二导电类型半导体层；多个波长转换单元，其分别对应于所述多个半导体发光单元，并且所述多个波长转换单元中的每一个布置成对应于所述第一导电类型半导体层；阻挡结构，其布置在与所述单元阵列对应的所述多个波长转换单元之间；以及多个开关单元，其布置在所述阻挡结构中并且电连接到所述多个半导体发光单元。根据示例实施例的另一个方面，提供一种发光装置封装件，包括：基板，其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；多个半导体发光单元，其在所述基板的所述第一表面的水平延伸线的至少一部分上彼此间隔布置，并且所述多个半导体发光单元的每一个包括第一导电类型半导体层以及顺序地位于所述第一导电类型半导体层上的有源层和第二导电类型半导体层；多个波长转换单元，其分别对应于所述多个半导体发光单元，并布置在所述多个半导体发光单元的所述第一导电类型半导体层上；多个开关单元，其在所述基板的所述第一表面上方与所述多个半导体发光单元间隔开地布置，并且电连接到所述多个半导体发光单元；以及凹陷部分，其在所述多个开关单元中的每一个所位于的所述基板的所述第一表面处具有台阶。根据示例实施例的另一个方面，提供一种发光装置封装件，包括：基板，其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；多个半导体发光单元，其在所述基板的所述第一表面的水平延伸线的至少一部分上彼此间隔布置，并且所述多个半导体发光单元的每一个包括第一导电类型半导体层以及顺序地位于所述第一导电类型半导体层的包括侧壁的层表面上的有源层和第二导电类型半导体层；多个波长转换单元，其分别对应于所述多个半导体发光单元，并且布置成对应于所述多个半导体发光单元的所述第一导电类型半导体层；以及多个开关单元，其与所述多个半导体发光单元间隔开地布置，并与所述多个半导体发光单元电连接，其中，所述第一导电类型半导体层的所述侧壁相对于所述基板的所述第一表面形成倾斜角，并且沿着所述侧壁布置的所述有源层和所述第二导电类型半导体层中的至少一个的第一厚度小于堆叠在所述第一导电类型半导体层的表面上的所述有源层和所述第二导电类型半导体层中的所述至少一个的第二厚度。附图说明通过以下结合附图的详细描述，将更清楚地理解示例实施例，其中：图1是示意性地示出根据实施例的包括发光装置封装件的显示设备的透视图；图2是图1所示的显示设备的发光装置模块的A部分的放大平面图；图3和图4分别是图2的发光装置封装件的平面图和后视图；图5是沿图3中的线I-I'截取的截面图；图6是沿图3的线II-II'截取的截面图；图7是图6的B部分的放大图；图8A和8B是根据实施例的发光装置封装件的平面图；图9是根据实施例的发光装置封装件的平面图；图10A至10C是根据实施例的发光装置封装件的截面图；图11A和11B是根据实施例的发光装置封装件的截面图；图12A和12B是根据实施例的发光装置封装件的截面图；图13和14是根据实施例的发光装置封装件的电路图；图15A至图23B是示出根据实施例的制造发光装置封装件的方法的截面图；图24至图30是示出根据实施例的制造发光装置封装件的方法的截面图；图31和图32是示出根据实施例的制造发光装置封装件的方法的截面图；以及图33至图36是示出根据实施例的制造发光装置封装件的方法的截面图。具体实施方式在下文中，将参考附图详细描述示例实施例。以下实施例可以单独实现或组合实现。因此，本专利技术构思的范围不仅限于一个实施例。附图不一定按比例绘制，并且在一些图示中，可夸大附图中所示的至少一些结构的比例以清楚地说明实施例的特征。在本说明书中，短语“A和B中的至少一个”在其范围内包括“仅A”、“仅B”和“A和B两者”。在详细描述中，为了方便起见，诸如“第一”和“第二”的术语用于描述各种元件、组件和/或部分(或区域)，但是这些元件、组件和/或部分(或者区域)不受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、组件或部分与另一个元件、组件或部分区分开。而且，在详细描述中，为了便于描述，第一组件和第二组件被分开描述，因此可能不直接对应于权利要求的第一组件和第二组件。此外，在详细描述中，诸如“顶部”、“底部”、“侧”、“上”、“上方”、“上面”、“下”、“下方”和“下面”的术语是基于附图的，并且实际上可以根据元件的布置方向而变化。图1是示意性地示出根据实施例的包括发光装置封装件的显示设备的透视图。具体地，显示设备(或显示面板)1可以包括电路板20和位于电路板20上的发光装置模块10。发光装置模块10可以包括可以选择性地发射红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)的光的多个发光装置封装件100。多个发光装置封装件100中的每一个可以构成显示设备1的一个像素。多个发光装置封装件100可以以行和列的方式布置在电路板20上。换句话说，多个发光装置封装件100可以在X方向和Y方向上布置在电路板20上。在图1中，Z方向可以表示垂直于X方向和Y方向的方向。在实施例中，显示设备1被示出为包括15×15个发光装置封装件100的布置；然而这仅仅是为了便于描述。实际上，根据分辨率，显示设备1可以包括更多数量(例如，1,024×768)个发光装置封装件100的布置。也就是说，发光装置封装件100的数量不受特别限制。发光装置封装件100可以包括与RGB(红-绿-蓝)光源对应的子像素(图3至图6的SP1至SP3)，并且子像素可以彼此间隔开地布置。将参照图3至图6详细描述该布置。子像素的颜色不限于RGB，也可以使用CYMK(青色、黄色、品红色和黑色)的光源。如图13所示，电路板20可以包括：供电电路CCS，其配置为向发光装置模块10的每个发光装置封装件100供电；以及驱动电路DC，其配置为驱动发光装置封装件100。图2是图1中所示的显示设备的发光装置模块的A部本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光装置封装件，包括：/n单元阵列，其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，并且在所述第一表面的水平延伸线的至少一部分上包括多个半导体发光单元，所述多个半导体发光单元中的每一个包括第一导电类型半导体层以及顺序地位于所述第一导电类型半导体层的包括侧壁的层表面上的有源层和第二导电类型半导体层；/n多个波长转换单元，其分别对应于所述多个半导体发光单元，并且所述多个波长转换单元中的每一个布置成对应于所述第一导电类型半导体层；/n阻挡结构，其布置在与所述单元阵列对应的所述多个波长转换单元之间；以及/n多个开关单元，其布置在所述阻挡结构中并且电连接到所述多个半导体发光单元。/n

【技术特征摘要】
20180717 KR 10-2018-00831351.一种发光装置封装件，包括：
单元阵列，其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，并且在所述第一表面的水平延伸线的至少一部分上包括多个半导体发光单元，所述多个半导体发光单元中的每一个包括第一导电类型半导体层以及顺序地位于所述第一导电类型半导体层的包括侧壁的层表面上的有源层和第二导电类型半导体层；
多个波长转换单元，其分别对应于所述多个半导体发光单元，并且所述多个波长转换单元中的每一个布置成对应于所述第一导电类型半导体层；
阻挡结构，其布置在与所述单元阵列对应的所述多个波长转换单元之间；以及
多个开关单元，其布置在所述阻挡结构中并且电连接到所述多个半导体发光单元。


2.根据权利要求1所述的发光装置封装件，还包括在所述多个半导体发光单元中的每一个与所述多个波长转换单元中的每一个之间的缓冲层。


3.根据权利要求1所述的发光装置封装件，其中所述阻挡结构包括半导体基板。


4.根据权利要求1所述的发光装置封装件，其中所述阻挡结构包括包含硅的基板，
所述基板包括掺杂有高浓度杂质的主体层和与所述主体层相比掺杂有低浓度杂质的低浓度杂质层，并且
所述低浓度杂质层与所述多个开关单元中的每一个相邻。


5.根据权利要求1所述的发光装置封装件，其中所述多个开关单元中的每一个包括暴露所述单元阵列的所述第一表面的暴露区域。


6.根据权利要求1所述的发光装置封装件，其中，所述单元阵列还包括覆盖所述多个半导体发光单元的模制单元。


7.根据权利要求1所述的发光装置封装件，其中所述多个开关单元中的每一个包括场效应晶体管，并且
通过对所述阻挡结构的区域进行掺杂形成所述场效应晶体管，并且所述场效应晶体管包括：
彼此间隔开的源区和漏区；
分别电连接到所述源区和所述漏区的源电极和漏电极；
布置在所述源区和所述漏区上的栅极绝缘层；以及
布置在所述栅极绝缘层上的栅电极。


8.根据权利要求7所述的发光装置封装件，其中所述多个半导体发光单元中的每一个还包括分别连接到所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层的第一电极和第二电极，并且
所述第一电极和所述第二电极分别连接到所述多个开关单元中的每一个的所述源电极和所述漏电极。


9.根据权利要求7所述的发光装置封装件，其中所述阻挡结构包括包含硅的基板，
所述场效应晶体管包括N沟道场效应晶体管，并且
围绕所述源区和所述漏区的P型阱位于所述阻挡结构中。


10.根据权利要求1所述的发光装置封装件，其中所述多个半导体发光单元彼此间隔开并且在所述第一表面上在一个方向上平行布置，并且
所述多个开关单元中的每一个布置在所述多个半导体发光单元之间或者布置在所述多个半导体发光单元的一侧。


11.根据权利要求1所述的发光装置封装件，其中所述多个半导体发光单元彼此间隔开并且在所述第一表面上在一个方向上平行布置，并且
所述多个开关单元布置在所述多个半导体发光单元内部突出的区域中。


12.一种发光装置封装件，包括：
基板，其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；
多个半导体发光单元，其在所述基板的所述第一表面的水平延伸线的至少一部分上彼此间隔布置，并且所述多个半导体发光单元的每一个包括第一导电类型半导体层以及顺序地位于所述第一导电类型半导体层上的有源层和第二导电类型半导体层；
多个波长转换单元，其分别对应于所述多个半导体发光单元，并布置在所述多个半导体发光单元的所述第一导电类型半导体层上；
多个开关单元，其在所述基板的所述第一表面上方与所述多个半导体发光单元间隔开地布置，并且电连接到所述多个半导体发光单元；以及
凹陷部分，其在所述多个开关单元中的每一个所位于的所述基板的所述第一表面处具有台阶。


13.根据权利要求12所述的发光装置封装件，其中所述多个开关单元包括暴露所述基板的所述第一表面的暴露区域。<...

【专利技术属性】
技术研发人员：金柱成，徐钟旭，李东建，卓泳助，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR