一种氟硼铝酸铯铷非线性光学晶体及其制备方法和用途技术

本发明专利技术提供了一种氟硼铝酸铯铷非线性光学晶体及其制备方法和用途，所述晶体的化学式为CsRbAl

A cesium rubidium fluoroborate nonlinear optical crystal and its preparation method and Application

【技术实现步骤摘要】
一种氟硼铝酸铯铷非线性光学晶体及其制备方法和用途
本专利技术涉及光电子功能材料
，具体地说涉及一种氟硼铝酸铯铷非线性光学晶体及其制备方法和用途。
技术介绍
基于非线性光学晶体的多级变频技术产生的紫外相干光具有效率高、结构简单紧凑、输出光束质量好、寿命长等优点，在激光光刻技术、激光精密加工、光电子能谱仪、激光光谱仪、激光Raman光谱仪等高
和先进仪器制造业领域具有重要的应用前景。其中，适用于紫外/深紫外波段的非线性光学晶体材料是全固态激光光源的核心材料。近年来，新型的非线性光学晶体材料不断被发现，但能够满足商业化紫外激光输出的晶体材料却很少。对于性能优异的新型非线性晶体材料，其性能通常需要满足以下要求：1）有效非线性光学系数大于1倍KDP，即deff>d36(KDP)=0.39pm/V；2）宽的透光范围，并且紫外截止边低于200nm；3）适中的双折射(∆n~0.08)；4）高的激光损伤阈值（>1GW/cm2）；5）容易生长大尺寸单晶，物理化学性能稳定，适宜加工等。目前唯一能够实际应用的深紫外非线性光学晶体KBe2BO3F本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种氟硼铝酸铯铷非线性光学晶体，其特征是，所述晶体的化学式为CsRbAl

【技术特征摘要】
1.一种氟硼铝酸铯铷非线性光学晶体，其特征是，所述晶体的化学式为CsRbAl2(B3O6)2F2，晶体的分子量为567.19，所述晶体的结构属于六方晶系，空间群为P-62c，晶胞参数为a=b=6.9807Å，c=8.057Å，α=β=90°，γ=120°，单胞体积为340.02Å3。


2.一种权利要求1所述的氟硼铝酸铯铷非线性光学晶体的制备方法，其特征是，包括以下步骤：
a、按照化学式的摩尔比分别称取含有Cs、Al、B、O和F的化合物为原料；
b、将原料混合研磨后置于马弗炉中，升温至500~650℃，烧结24~96小时，烧结完成后冷却至室温，即得氟硼铝酸铯铷多晶粉末；
c、采用提拉法或泡生法生长晶体的步骤为：
c-1、将氟硼铝酸铯铷多晶粉末装入铂金坩埚，然后置于晶体炉中，升温至660~800℃，恒温5~96小时至原料完全熔化均匀，之后迅速降温至凝固点以上0.5~2℃，得到熔体；其中，所述凝固点为650±5℃；
c-2、将籽晶固定在籽晶杆的下端并与熔体液面接触，预热1~10min后降温至凝固点或低于凝固点0.1~1℃，开始进行晶体生长；
c-3、通过晶体生长控制仪施加2~20rpm的晶转，以0~10mm/天的速度提拉籽晶，然后按0.1~5℃/天的速率缓慢降温，降温结束后将晶体提离液面，以10~30℃/小时的速率降至室温，即得所述的氟硼铝酸铯铷非线性光学晶体；
采用高温熔盐法生长晶体的步骤为：
c-1、将氟硼铝酸铯铷多晶粉末与助熔剂装入铂金坩埚，然后置于晶体炉中，升温至600~750℃，恒温5~96小时至原料完全熔化均匀...

【专利技术属性】
技术研发人员：王颖，刘红坤，
申请(专利权)人：河北大学，
类型：发明
国别省市：河北;13