【技术实现步骤摘要】
一种高荧光纳米荧光素有机硅点及其制备方法和应用
本专利技术属于化学纳米材料领域,具体涉及一种高荧光纳米荧光素有机硅点及其制备方法和应用。
技术介绍
硅量子点是一种零维半导体荧光纳米材料,由于其独特的光学特性而受到越来越多的关注。尤其是硅量子点具有良好的生物相容性和稳定的抗光致荧光漂白。使其成为替代荧光染料应用于生物测定和荧光成像理想候选材料。然而,传统“top-down”方法制备获得的疏水性硅量子点,通常荧光量子产率较低,亲水性修饰后荧光量子产率会进一步降低,限制了其生物成像应用。2013年,何耀教授等采用柠檬酸钠还原3-氨丙基-三甲氧基甲硅烷,利用“bottom-up”方法水相合成了硅量子点,荧光量子产率为20-25%。2017年,吴等采用孟加拉玫瑰红与三种硅烷化试剂进行反应生成了的有机荧光硅点,合成的有机硅点最高荧光量子产率可达100%。这一研究成果的取得,为硅点进一步发展和实际应用展开了一个美好的前景。
技术实现思路
专利技术目的:针对现有技术存在的问题,本专利技术提供一种高荧光纳米荧光素有机硅点, ...
【技术保护点】
1.一种高荧光纳米荧光素有机硅点,其特征在于,由荧光素和硅烷化试剂通过摩尔比为1:2-2:1反应获得。/n
【技术特征摘要】
1.一种高荧光纳米荧光素有机硅点,其特征在于,由荧光素和硅烷化试剂通过摩尔比为1:2-2:1反应获得。
2.根据权利要求1所述的高荧光纳米荧光素有机硅点,其特征在于,所述硅烷化试剂为二乙烯三胺基丙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三乙氧基硅烷、3-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-(beta-氨乙基)-gama-氨丙基三甲氧基硅烷。
3.根据权利要求1或2所述的高荧光纳米荧光素有机硅点,其特征在于,所述高荧光纳米荧光素有机硅点为无定形的纳米颗粒。
4.根据权利要求1或2所述的高荧光纳米荧光素有机硅点,其特征在于,所述高荧光纳米荧光素有机硅点直径在2nm-20nm之间。
5.根据权利要求1或2所述的高荧光纳米荧光素有机硅点,其特征在于,所述高荧光纳米荧光素有机硅点具有荧光性能,在450nm—550nm波长附近具有强的荧光发射峰。
6.一种权利要求1所述的高荧光纳米荧光素有机硅点的制备方法,其特征在于,...
【专利技术属性】
技术研发人员:熊维伟,郑芬芬,姚海洋,王敬敬,陈佩雅,孙莎莎,袁爱华,吴王聪,
申请(专利权)人:江苏科技大学,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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