基材表面装饰图形与微观形纹理加工方法技术

本发明专利技术公开了一种基材表面装饰图形与微观形纹理加工方法。该方法包括如下步骤：在基材表面制作掩膜保护层形成保护中间体，基材表面上具有所述掩膜保护层的区域形成保护图形区域，其他区域形成显形加工区域；将保护中间体进行干法蚀刻加工形成蚀刻中间体，干法蚀刻加工包括如下工艺：在真空环境下，通过离子源把反应气氛离子化，参与反应的离子与保护中间体上的显形加工区域的组份发生反应，反应生成物以气氛状态脱离保护中间体的表面，并形成保护图形区域与显形加工区域的高度差，实现保护中间体的表面蚀刻；去除所述蚀刻中间体上的所述掩膜保护层，得到加工基材。该方法精度高、易转换蚀刻图形、周期短，减少环境污染使蚀刻加工更加环保。

【技术实现步骤摘要】
基材表面装饰图形与微观形纹理加工方法
本专利技术涉及蚀刻领域，特别是涉及一种基材表面装饰图形与微观形纹理加工方法。
技术介绍
随着消费电子产品应用范围增多，表面AG、蚀刻图形纹理在玻璃、金属表面应用日趋增多，现有行业目前使用的为酸碱溶液化学湿法蚀刻工艺，该工艺会造成过多废液排放和环境污染且成本高、效率低、周期长。另外，消费电子产品的外壳体的蚀刻对环保、微观化、多种类上的需求日益增多，而现有工艺达不到上述要求。
技术实现思路
基于此，有必要提供一种成本低、效率高、周期短，减少环境污染使蚀刻加工更加环保的基材表面装饰图形与微观形纹理加工方法。一种基材表面装饰图形与微观形纹理加工方法，包括如下步骤：在基材表面制作掩膜保护层形成保护中间体，所述基材表面上具有所述掩膜保护层的区域形成保护图形区域，其他区域形成显形加工区域；将保护中间体进行干法蚀刻加工形成蚀刻中间体，所述干法蚀刻加工包括如下工艺：在真空环境下，通过离子源把反应气氛离子化，参与反应的离子与所述保护中间体上的所述显形加工区域的组份发生反应，反应生成物本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基材表面装饰图形与微观形纹理加工方法，其特征在于，包括如下步骤：/n在基材表面制作掩膜保护层形成保护中间体，所述基材表面上具有所述掩膜保护层的区域形成保护图形区域，其他区域形成显形加工区域；/n将保护中间体进行干法蚀刻加工形成蚀刻中间体，所述干法蚀刻加工包括如下工艺：在真空环境下，通过离子源把反应气氛离子化，参与反应的离子与所述保护中间体上的所述显形加工区域的组份发生反应，反应生成物以气氛状态脱离所述保护中间体的表面，并形成所述保护图形区域与所述显形加工区域的高度差和蚀刻后形貌，实现所述保护中间体的表面蚀刻及蚀刻形貌形成；/n去除所述蚀刻中间体上的所述掩膜保护层，得到加工基材。/n

【技术特征摘要】
1.一种基材表面装饰图形与微观形纹理加工方法，其特征在于，包括如下步骤：
在基材表面制作掩膜保护层形成保护中间体，所述基材表面上具有所述掩膜保护层的区域形成保护图形区域，其他区域形成显形加工区域；
将保护中间体进行干法蚀刻加工形成蚀刻中间体，所述干法蚀刻加工包括如下工艺：在真空环境下，通过离子源把反应气氛离子化，参与反应的离子与所述保护中间体上的所述显形加工区域的组份发生反应，反应生成物以气氛状态脱离所述保护中间体的表面，并形成所述保护图形区域与所述显形加工区域的高度差和蚀刻后形貌，实现所述保护中间体的表面蚀刻及蚀刻形貌形成；
去除所述蚀刻中间体上的所述掩膜保护层，得到加工基材。


2.根据权利要求1所述的基材表面装饰图形与微观形纹理加工方法，其特征在于，还包括如下步骤：在制作所述掩膜保护层之前，清洗所述基材。


3.根据权利要求1所述的基材表面装饰图形与微观形纹理加工方法，其特征在于，所述基材可以是玻璃基材、塑料基材或金属基材。


4.根据权利要求1所述的基材表面装饰图形与微观形纹理加工方法，其特征在于，所述基材表面具有镀层，所述镀层为装饰镀层、保护镀层或者光学镀层。


5.根据权利要求1-4任意一项所述的基材表面装饰图形与微观形纹理加工方法，其特征在于，在基材表面制作掩膜保护层形成保护中间体时具体包括如下步骤：
在...

【专利技术属性】
技术研发人员：李可峰，许仁，王伟，
申请(专利权)人：维达力实业深圳有限公司，万津科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44