用于低应力MEMS封装的粘接结构、封装结构及其制造方法技术

本发明专利技术涉及低应力MEMS封装技术领域，尤其涉及一种用于低应力MEMS封装的粘接结构、封装结构及其制造方法。本发明专利技术涉及低应力MEMS封装技术领域，尤其涉及一种针对惯性传感器的低应力MEMS封装的三维封装粘接结构和封装结构。所述用于低应力MEMS封装结构包括MEMS芯片和MEMS基座，所述MEMS芯片通过如本发明专利技术第一方面所述的用于低应力MEMS封装的粘接结构粘贴在所述MEMS基座上。所述用于低应力MEMS封装的粘接结构和封装结构具有较好的应力隔离效果。

Bonding structure, packaging structure and manufacturing method for low stress MEMS packaging

【技术实现步骤摘要】
用于低应力MEMS封装的粘接结构、封装结构及其制造方法
本专利技术涉及低应力MEMS封装
，尤其涉及一种针对惯性传感器的低应力MEMS封装的三维粘接结构和封装结构，以及用于实现低应力MEMS封装的粘接结构的集成制造方法。
技术介绍
MEMS惯性传感器件对封装工艺过程中硅芯片中产生的应力很敏感，这与存在应力时的芯片翘曲有关。在芯片贴片封装工艺中，一般有焊接和有机胶粘接两种方式。低温低应力封装是MEMS惯性传感器件的通常要求，而工艺温度最低的方法为有机胶粘接的方法。常用的粘接剂有环氧胶，硅胶等。传统的胶粘贴片方式为整层胶粘或局部点胶粘接，环境温度变化时，由于材料热失配往往导致残余应力的产生，残余应力随环境温度的变化将通过MEMS器件的敏感单元以电信号的形式反映到输出信号上，从而使传感器的输出发生偏移。传统的胶粘贴片方式存在一定的局限性，即良好的应力隔离效果和较好的芯片-基座粘接力不能同时得到。
技术实现思路
为了解决现有技术中存在的不足，本专利技术提供用于低应力MEMS封装的粘接结构和封装结构，具有较好的应力隔离效果和较好本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于低应力MEMS封装的粘接结构，其特征在于，所述用于低应力MEMS封装的粘接结构包括：从下至上依次交替叠置的应力隔离A层（100）和应力隔离B层（200）；所述应力隔离A层（100）和应力隔离B层（200）均分别包括至少一层的应力隔离层；所述应力隔离层包括若干根呈阵列式排布的应力隔离条（300）。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于低应力MEMS封装的粘接结构，其特征在于，所述用于低应力MEMS封装的粘接结构包括：从下至上依次交替叠置的应力隔离A层（100）和应力隔离B层（200）；所述应力隔离A层（100）和应力隔离B层（200）均分别包括至少一层的应力隔离层；所述应力隔离层包括若干根呈阵列式排布的应力隔离条（300）。


2.如权利要求1所述的用于低应力MEMS封装的粘接结构，其特征在于，所述应力隔离A层（100）包括第一应力隔离层（410），所述应力隔离B层（200）包括第二应力隔离层（420）；
所述第一应力隔离层（410）和第二应力隔离层（420）中的应力隔离条（300）分别并列排成一排，且所述第一应力隔离层（410）中的应力隔离条（300）与第二应力隔离层（420）中的应力隔离条（300）之间相互交叉。


3.如权利要求1所述的用于低应力MEMS封装的粘接结构，其特征在于，所述应力隔离A层（100）包括应力隔离条（300）排布一致的第一应力隔离层（410）和第二应力隔离层（420），所述应力隔离B层（200）包括应力隔离条（300）排布一致的第三应力隔离层（430）和第四应力隔离层（440）；
第一应力隔离层（410）和第二应力隔离层（420）中的应力隔离条（300）排布一致；第三应力隔离层（430）和第四应力隔离层（440）中的中的应力隔离条（300）排布一致
且第一应力隔离层（410）和第二应力隔离层（420）中的应力隔离条（300）交叉于第三应力隔离层（430）和第四应力隔离层（440）中的应力隔离条（300）。


4.如权利要求1所述的用于低应力MEMS封装的粘接结构，其特征在于，所述应力隔离条（300）的宽度为50~~150μm，应力隔离条（300）的间距为100~~500μm。


5.如权利要求1所述的用于低应力MEMS封装的粘接结构，其特征在于，所述应力隔离条（300）采用的材料为：陶瓷、热固型橡胶、热塑型橡胶、热固型树脂和热塑型树脂中的任意一种或多种。


6.如权利要求1所述的用于低应力MEMS封装的粘接结构，其特征在于，所述应力隔离条（30...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘禹，唐彬，商二威，杨杰，陈彦秋，
申请(专利权)人：江南大学，
类型：发明
国别省市：江苏;32