一种1140V高压可控硅功率控制器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种1140V高压可控硅功率控制器，包括壳体和内置于壳体中的散热风冷单元和控制板组件，所述控制板组件包括控制板，设置于控制板上的主电源、1140V三相负载电源、互感器，本实用新型专利技术的有益效果在于：采用微机技术，用PIC18F45K22单片机为控制核心，通过脉冲变压器两个一组分别耦接于可控硅模块和微处理器之间，实现六路脉冲变压器触发，使电路起控电压变低，不会引起冲击电流过大，稳定性良好，并且采用散热冷风单元配合功率电阻解决了，电压过高，发热过大，散热不易的问题，同时为了限制电路电压上升率过大,确保可控硅模块安全运行,在可控硅两端并联RC阻容吸收器来滤除谐波，有效地提高产品的稳定性。

A 1140V high voltage SCR power controller

【技术实现步骤摘要】
一种1140V高压可控硅功率控制器
：本技术涉及功率控制器领域，具体是一种1140V高压可控硅功率控制器。
技术介绍
：可控硅触发电路常规工作电路电源电压为380-750V；低压工作环境对元器件的选择及设计原理要求不能满足1140V的要求；所以在1140V工作环境下，如果起控点电压过高会引起冲击电流过大，需要重新设计适合当前工作电压的电路，并且适当选择高耐压的隔离元件，同时针对1140V取样电源，RC阻容吸收也有难点，电压高做功时发热大，普通电阻不易散热。
技术实现思路
：本技术的目的就是为了解决现有问题，而提供一种1140V高压可控硅功率控制器。本技术的技术解决措施如下：一种1140V高压可控硅功率控制器，包括壳体和内置于壳体中的散热风冷单元和控制板组件，所述控制板组件包括控制板，设置于控制板上的主电源、1140V三相负载电源、互感器、RC阻容吸收器、可控硅模块、负载设备、脉冲变压器、微处理器和三相同步变压器，所述互感器连接在1140V三相负载电源的每一相电路上，所述可控硅模块分别耦接于1140V三相负载电源的输入端和互感器之间，所述可控硅模块上均并联RC阻容吸收器，所述负载设备连接于1140V三相负载电源的输出端，所述脉冲变压器两个一组分别耦接于可控硅模块和微处理器之间，所述微处理器分别连接主电源、互感器输出接线端子、控制信号接线端子、启动/停止开关接线端子、故障报警接线端子、220V电源接线端子和调功/调压切换接线端子，连接启动/停止开关接线端子的电路上外接有限幅器和手动电位器，所述控制板上设置有输出限幅调节旋钮和电位器时间调节旋钮，所述主电源连接微处理器和三相同步变压器，所述三相同步变压器和220V电源接线端子相连接。作为优选，所述散热风冷单元包括插片式散热器和大功率风机。作为优选，所述互感器的变比为1000:1。作为优选，所述可控硅模块为耐压4200V的光隔离单向晶闸管反并联模块。作为优选，所述控制板上还设置有散热器温度开关。作为优选，所述负载设备为加热元件。作为优选，所述微处理器为单片机。本技术的有益效果在于：采用微机技术，用PIC18F45K22单片机为控制核心，通过脉冲变压器两个一组分别耦接于可控硅模块和微处理器之间，实现六路脉冲变压器触发，使电路起控电压变低，不会引起冲击电流过大，稳定性良好，并且采用散热冷风单元配合功率电阻解决了，电压过高，发热过大，散热不易的问题，同时为了限制电路电压上升率过大,确保可控硅模块安全运行,在可控硅两端并联RC阻容吸收器来滤除谐波，有效地提高产品的稳定性。附图说明：图1为本技术的控制板组件示意图；附图中：1、控制板；2、主电源；3、1140V三相负载电源；4、互感器；5、RC阻容吸收器；6、可控硅模块；7、负载设备；8、脉冲变压器；9、微处理器；10、三相同步变压器；11、互感器输出接线端子；12、控制信号接线端子；13、启动/停止开关接线端子；14、故障报警接线端子；15、220V电源接线端子；16、调功/调压切换接线端子；17、限幅器；18、手动电位器；19、输出限幅调节旋钮；20、电位器时间调节旋钮；21、散热器温度开关。具体实施方式：如图1所示，1140V高压可控硅功率控制器，包括壳体和内置于壳体中的散热风冷单元和控制板1组件，所述控制板1组件包括控制板1，设置于控制板1上的主电源2-220VAC±10％50HZ、1140V三相负载电源3、互感器4、RC阻容吸收器5、可控硅模块6、负载设备7、脉冲变压器8、微处理器9和三相同步变压器10，所述互感器4连接在1140V三相负载电源3的每一相电路上，所述可控硅模块6分别耦接于1140V三相负载电源3的输入端和互感器4之间，所述可控硅模块6上均并联RC阻容吸收器5，所述负载设备7连接于1140V三相负载电源3的输出端，所述脉冲变压器8两个一组分别耦接于可控硅模块6和微处理器9之间，通过设置六路脉冲变压器8，使得起控电压点低，避免了因1140V高电压引起起控电压过高，导致冲击电流过大，提高了稳定性，所述微处理器9分别连接主电源2、互感器输出接线端子11、控制信号接线端子12、启动/停止开关接线端子13、故障报警接线端子14、220V电源接线端子15和调功/调压切换接线端子16，连接启动/停止开关接线端子13的电路上外接有限幅器17和手动电位器18，所述控制板1上设置有输出限幅调节旋钮19和电位器时间调节旋钮20，所述主电源2连接微处理器9和三相同步变压器10，所述三相同步变压器10和220V电源接线端子15相连接。具体地，所述散热风冷单元包括插片式散热器和大功率风机，此风机电源：220AC，电流1A以下，提高了功率电阻的散热能力。具体地，所述互感器4的变比为1000:1。具体地，所述可控硅模块6为耐压4200V的光隔离单向晶闸管反并联模块。具体地，所述控制板1上设置有散热器温度开关21，此散热器温度开关21设为常闭接点70℃，动作时间＜20ms。具体地，所述负载设备7为加热元件，此加热元件用于油田升温降粘系统。具体地，所述微处理器9为单片机。采用本申请的控制器可实现调功调压一体化，即移相控制：连续调压，调功控制：周波调功，调功调压可随意切换。其中移相控制时，电位器时间调节旋钮20的调节范围为0.2～120秒，并且缓关停和缓启动的时间调节范围一致，改变设定需要重新上电，此设置可防止过大冲击电流，对可控硅模块6和负载设备7的保护十分有利。输出限幅调节旋钮19的调节范围为0～100％，过流保护特性：当输出电流大于额定值的150％时，检测到过流信号后15ms内自动截止输出并报警。以上所述仅为本技术的较佳实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本技术保护的范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种1140V高压可控硅功率控制器，包括壳体和内置于壳体中的散热风冷单元和控制板组件，其特征在于：所述控制板组件包括控制板，设置于控制板上的主电源、1140V三相负载电源、互感器、RC阻容吸收器、可控硅模块、负载设备、脉冲变压器、微处理器和三相同步变压器，所述互感器连接在1140V三相负载电源的每一相电路上，所述可控硅模块分别耦接于1140V三相负载电源的输入端和互感器之间，所述可控硅模块上均并联RC阻容吸收器，所述负载设备连接于1140V三相负载电源的输出端，所述脉冲变压器两个一组分别耦接于可控硅模块和微处理器之间，所述微处理器分别连接主电源、互感器输出接线端子、控制信号接线端子、启动/停止开关接线端子、故障报警接线端子、220V电源接线端子和调功/调压切换接线端子，连接启动/停止开关接线端子的电路上外接有限幅器和手动电位器，所述控制板上设置有输出限幅调节旋钮和电位器时间调节旋钮，所述主电源连接微处理器和三相同步变压器，所述三相同步变压器和220V电源接线端子相连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种1140V高压可控硅功率控制器，包括壳体和内置于壳体中的散热风冷单元和控制板组件，其特征在于：所述控制板组件包括控制板，设置于控制板上的主电源、1140V三相负载电源、互感器、RC阻容吸收器、可控硅模块、负载设备、脉冲变压器、微处理器和三相同步变压器，所述互感器连接在1140V三相负载电源的每一相电路上，所述可控硅模块分别耦接于1140V三相负载电源的输入端和互感器之间，所述可控硅模块上均并联RC阻容吸收器，所述负载设备连接于1140V三相负载电源的输出端，所述脉冲变压器两个一组分别耦接于可控硅模块和微处理器之间，所述微处理器分别连接主电源、互感器输出接线端子、控制信号接线端子、启动/停止开关接线端子、故障报警接线端子、220V电源接线端子和调功/调压切换接线端子，连接启动/停止开关接线端子的电路上外接有限幅器和手动电位器，所述控制板上设置有输出限幅调节旋钮和电位器时间调节旋钮，所述主电源连接微处理器和三相同...

【专利技术属性】
技术研发人员：马贤平，
申请(专利权)人：上海磊强实业有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31