【技术实现步骤摘要】
防线圈烧毁的漏电保护电路
本技术涉及漏电保护电路
，尤其是一种防线圈烧毁的漏电保护电路。
技术介绍
目前，市场上的微型漏电保护器，绝大多数都是接线方式单一的（只能上进线或者下进线），一般进线端和出线端不能接反，否则在漏电跳闸后会引起线圈烧毁的现象，而另一种危险的情况是当漏电发生而断路器拒动时，也会导致线圈长时间通电而烧毁，所以为了断路器本身的安全考虑，当用户接错线时或者断路器拒动时，此时希望可控硅能够关断，从而避免线圈烧毁，虽然现有方案也能关断可控硅，但是电路比较复杂。中国专利申请号为201220629540.2提供了一种漏电断路器，如附图1所示的电路，使用运放和或门电路，使得电路复杂，成本高，且其只是利用了半波整流过零点的情况对可控硅进行关断，对于目前普遍使用的漏电芯片54123而言，这款芯片一旦输出漏电信号，除非电源断开，否则漏电信号一直存在，也就是说即使过零点出现，但是可控硅控制极一直有信号，这样可控硅就不能实现关断，所以这种方案不适用于54123漏电保护电路。
技术实现思路
为了克服现有...
【技术保护点】
1.一种防线圈烧毁的漏电保护电路，包括互感器、整流滤波电路模块、电源电路模块、漏电信号检测电路模块和脱扣电路模块，所述脱扣电路模块包括可控硅D3，其特征在于：还包括可控硅控制信号关断电路模块，可控硅控制信号关断电路模块包括电阻R2、电阻R4、电阻R5、电容C10、二极管D4和MOS管VT1，其中二极管D4的阳极接到可控硅D3触发极和电阻R5的公共端，电阻R5另一端接MOS管VT1的漏极，二极管D4的阴极接到电阻R2的一端， 电阻R2、电阻R4和电容C10的公共端接到MOS管的栅极，电阻R4和电容C10的另一端接地，MOS管VT1的源极接地。/n
【技术特征摘要】
1.一种防线圈烧毁的漏电保护电路，包括互感器、整流滤波电路模块、电源电路模块、漏电信号检测电路模块和脱扣电路模块，所述脱扣电路模块包括可控硅D3，其特征在于：还包括可控硅控制信号关断电路模块，可控硅控制信号关断电路模块包括电阻R2、电阻R4、电阻R5、电容C10、二极管D4和MOS管VT1，其中二极管D4的阳极接到可控硅D3触发极和电阻R5的公共端，电阻R5另一端接MOS管VT1的漏极，二极管D4的阴极接到电阻R2的一端，电阻R2、电阻R4和电容C10的公共端接到MOS管的栅极，电阻R4和电容C10的另一端接地，MOS管VT1的源极接地。
2.根据权利要求1所述的防线圈烧毁的漏电保护电路，其特征在于：所述漏电信号检测电路包括漏电芯片U1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C6、电容C7、电容C8、电阻R6、调节电阻R7和双向二极管D2，其中调节电阻R7两端并接到互感器的两个输出端。
3.根据权利要求2所述的防线圈烧毁的漏电保护电路，其特征在于：所述双向二极管D2和电容C6并联在电阻R7上，电容C...
【专利技术属性】
技术研发人员：潘秀菊，丁小伟，
申请(专利权)人：德力西电气有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33
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