一种大功率射频接头制造技术

技术编号:23182058 阅读:70 留言:0更新日期:2020-01-22 05:09
本实用新型专利技术属于加速器物理技术领域,具体涉及一种大功率射频接头,包括射频输入接口和射频输出接口,射频输出接口包括真空侧同轴线接头外导体和真空侧同轴线接头内导体,射频发射侧同轴线接头内导体的下端设有导体连接件,导体连接件的下端连接真空侧同轴线接头内导体;射频发射侧同轴线接头内导体与真空侧同轴线接头内导体之间通过导体连接件连接,形成直接传输,代替现有技术中利用磁耦合环形成的耦合式传输,直接传输中损耗小,传输效率高;通过真空侧同轴线接头内导体与绝缘法兰之间的密封结构,达到高真空的传输环境,提高传输效率,实现大功率的传输效果。

A high power RF connector

【技术实现步骤摘要】
一种大功率射频接头
本技术属于粒子加速器高频
,具体涉及一种大功率射频接头。
技术介绍
粒子加速器在加速粒子时,使用高频功率源给粒子加速,在加速腔中,粒子与高频电场发生共振,获得高频电场能量而被加速;高频功率源产生的几十到几百千瓦的信号需要馈入加速器的加速腔中,在进入真空舱时,需要用接头,射频转接头也称射频同轴连接器,接头的主要作用是隔绝真空舱内外环境,保持舱内高真空;接头的特性阻抗与射频同轴电缆一致;尽量低损耗或无损耗的传输射频功率是非常重要的。如专利号为201120148351.9,公开号为CN202026520U,公开日为2011年11月2日,专利技术名称为:高真空高功率射频耦合器,该装置为耦合式传输方式,此传输方式功率有相应的损耗,传输效率低。
技术实现思路
本技术的目的在于提供了一种大功率射频接头,解决了现有技术中射频接头多为耦合式传输方式,此传输方式功率有相应损耗,传输效率低的问题。本技术所采用的技术方案是一种大功率射频接头,包括射频输入接口和射频输出接口,射频输入接口包括射频发射侧同轴线接头外导体和射频发射侧同轴线接头内导体;射频输出接口包括真空侧同轴线接头外导体和真空侧同轴线接头内导体,射频发射侧同轴线接头内导体的下端设有导体连接件,导体连接件的下端连接真空侧同轴线接头内导体。射频发射侧同轴线接头内导体与真空侧同轴线接头内导体之间通过导体连接件连接,形成直接传输,代替现有技术中利用磁耦合环形成的耦合式传输,直接传输中损耗小,传输效率高。本技术的特点还在于:优选地,射频发射侧同轴线接头内导体内部中空,中空部分包括上下贯通的大径孔和小径孔,所述大径孔和小径孔的连接处设置一变径台阶,所述大径孔连接射频发射侧同轴线缆。射频发射侧同轴线接头内导体内部设置为贯通的大径孔和小径孔,大径孔与射频发射机输出同轴线缆连接;小径孔与变径台阶可实现导体连接件的连接。优选地,导体连接件包括连接件头部和连接件杆部,所述连接件头部与所述连接件杆部呈T形设置,所述连接件头部抵接于所述变径台阶,所述连接件杆部贯穿所述小径孔。导体连接件为T形设置是为了实现与射频发射侧同轴线接头内导体的连接。优选地,真空侧同轴线接头内导体的上端开设有容纳腔,导体连接件的下端位于所述容纳腔内。真空侧同轴线接头内导体开设有容纳腔,为了实现真空侧同轴线接头内导体与导体连接件的连接。优选地,真空侧同轴线接头内导体的下端设有安装孔,所述安装孔连接真空侧同轴线缆。安装孔实现与真空侧同轴线缆的连接,使真空侧同轴线缆与射频发射侧同轴线缆之间通过真空侧同轴线接头内导体和导体连接件连接,从而实现两线缆之间的直接传输,代替现有技术中利用磁耦合环形成的耦合式传输,直接传输中损耗小,传输效率高。优选地,射频输入接口与射频输出接口之间设有绝缘法兰,且真空侧同轴线接头内导体贯穿绝缘法兰。绝缘法兰的设置作用一是给射频输入接口和射频输出接口在结构上提供支撑和连接的作用,作用二是通过绝缘法兰将射频输入接口与射频输出接口的环境隔离,达到一定的密封效果,提高射频输出接口一端的密闭性,提高信号传输效率。优选地,真空侧同轴线接头内导体与绝缘法兰之间设有密封结构。密封结构将内外环境进行隔离,更好的提高传输效率。优选地,真空侧同轴线接头内导体与绝缘法兰接触的外周设有第一密封槽,第一密封槽内部放置有密封圈,在绝缘法兰上设置有与第一密封槽相对应的第二密封槽。第一密封槽和第二密封槽的设置是为了增加密封圈与其的接触面积,从而提高密封性。优选地,真空侧同轴线接头内导体上设有密封耳,密封耳设置在绝缘法兰下方。此密封方式为焊接密封,同样可提高密封性。优选地,真空侧同轴线接头外导体端面均匀设有多个第一通孔。第一通孔的设置实现了真空侧同轴线接头外导体与绝缘法兰的连接。本技术的有益效果:1、本技术一种大功率射频接头,射频发射侧同轴线接头内导体与真空侧同轴线接头内导体之间通过导体连接件连接,形成直接传输,代替现有技术中利用磁耦合环形成的耦合式传输,直接传输中损耗小,传输效率高。2、本技术一种大功率射频接头,通过真空侧同轴线接头内导体与绝缘法兰之间设置的密封结构,达到高真空的传输环境,提高传输效率,实现大功率的传输效果。附图说明图1为本技术一种大功率射频接头的结构爆炸示意图;图2为本技术一种大功率射频接头的剖视结构示意图;图3为本技术一种大功率射频接头的射频发射侧同轴线接头内导体剖视结构示意图;图4为本技术一种大功率射频接头的导体连接件结构示意图;图5为本技术一种大功率射频接头的真空侧同轴线接头内导体结构示意图;图6为本技术一种大功率射频接头的A向结构示意图。图中:1-射频发射侧同轴线接头外导体,2-射频发射侧同轴线接头内导体,201-大径孔,202-小径孔,203-变径台阶,3-导体连接件,301-连接件头部,302-连接件杆部,4-绝缘法兰,5-第一密封槽,6-密封耳,7-真空侧同轴线接头外导体,8-真空侧同轴线接头内导体,801-容纳腔,9-安装孔,10-密封圈,11-第二密封槽,12-第一通孔。具体实施方式下面结合附图和具体实施方式对本技术进行详细说明。本技术为一种大功率射频接头,结构爆炸示意图如图1所示,剖视结构示意图如图2所示,包括射频输入接口和射频输出接口,射频输入接口连接射频发射机同轴线缆接头,射频输出接口连接真空舱同轴线缆接头,射频输入接口包括射频发射侧同轴线接头外导体1和射频发射侧同轴线接头内导体2;射频输出接口包括真空侧同轴线接头外导体7和真空侧同轴线接头内导体8,射频发射侧同轴线接头内导体2的下端设有导体连接件3,导体连接件3的下端连接真空侧同轴线接头内导体8。射频发射侧同轴线接头内导体与真空侧同轴线接头内导体之间通过导体连接件连接,形成直接传输,代替现有技术中利用磁耦合环形成的耦合式传输,直接传输中损耗小,传输效率高。射频输入接口与射频输出接口之间设有绝缘法兰4,且真空侧同轴线接头内导体8贯穿绝缘法兰4。绝缘法兰4的材料为陶瓷,可以为氧化铝、氮化硅、碳化硅、或氮化硼等。绝缘法兰的作用之一是:给射频输入接口和射频输出接口在结构上提供支撑和连接的作用;作用二是:通过绝缘法兰将射频输入接口与射频输出接口的环境隔离,达到一定的密封效果,提高射频输出接口一端的密闭性,提高信号传输效率。真空侧同轴线接头外导体7可以是环状,且内环为矩形,真空侧同轴线接头外导体7与真空侧同轴线接头内导体8之间形成矩形波导,该矩形波导与真空舱端口的线缆波导相连接,真空舱同轴线波导的特性阻抗与射频发射机输出同轴电缆的特性阻抗一致。真空侧同轴线接头外导体7内环的四个棱角为圆角,圆角半径为1~10毫米,圆角半径的限制使得射频输出接口与真空舱的波导连接配合方式为间隙为零的间本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种大功率射频接头,包括射频输入接口和射频输出接口,所述射频输入接口连接射频发射机同轴线缆接头,所述射频输出接口连接真空舱同轴线缆接头,所述射频输入接口包括射频发射侧同轴线接头外导体(1)和射频发射侧同轴线接头内导体(2);所述射频输出接口包括真空侧同轴线接头外导体(7)和真空侧同轴线接头内导体(8),其特征在于:射频发射侧同轴线接头内导体(2)的下端设有导体连接件(3),所述导体连接件(3)的下端连接真空侧同轴线接头内导体(8)。/n

【技术特征摘要】
1.一种大功率射频接头,包括射频输入接口和射频输出接口,所述射频输入接口连接射频发射机同轴线缆接头,所述射频输出接口连接真空舱同轴线缆接头,所述射频输入接口包括射频发射侧同轴线接头外导体(1)和射频发射侧同轴线接头内导体(2);所述射频输出接口包括真空侧同轴线接头外导体(7)和真空侧同轴线接头内导体(8),其特征在于:射频发射侧同轴线接头内导体(2)的下端设有导体连接件(3),所述导体连接件(3)的下端连接真空侧同轴线接头内导体(8)。


2.根据权利要求1所述的大功率射频接头,其特征在于:所述射频发射侧同轴线接头内导体(2)内部中空,中空部分包括上下贯通的大径孔(201)和小径孔(202),所述大径孔(201)和小径孔(202)的连接处设有变径台阶(203),所述大径孔(201)连接射频发射侧同轴线缆。


3.根据权利要求2所述的大功率射频接头,其特征在于:所述导体连接件(3)包括连接件头部(301)和连接件杆部(302),所述连接件头部(301)与所述连接件杆部(302)呈T形设置,所述连接件头部(301)抵接于所述变径台阶(203),所述连接件杆部(302)贯穿所述小径孔(202)。


4.根据权利要求1所述的大功率射频接头,其特征在于:所述真空侧同轴线接头内导体(8)的上端...

【专利技术属性】
技术研发人员:邵亚辉梁万胜吕家根刘静王伟梁都胜刘大治李骍边志彬王博高俊刚卜忍安张兴治严新强
申请(专利权)人:陕西正泽生物技术有限公司
类型:新型
国别省市:陕西;61

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