显示面板及其制备方法技术

本申请实施例公开了一种显示面板及其制备方法，该制备方法包括：制备依次叠置的半导体层、离子掺杂层、源漏层以及光阻图案层；去除光阻图案层；将离子掺杂层，位于源漏层的投影区域之外的部分，刻蚀掉，以形成离子掺杂图案层，其中，离子掺杂图案层的投影区域与源漏层的投影区域重叠。本申请在刻蚀离子掺杂层之前，去除掉光阻图案层，避免光阻图案层对刻蚀离子掺杂层造成影响，从而使得刻蚀形成的离子掺杂图案层的投影区域与源漏层的投影区域重叠，从而避免离子掺杂图案层超出源漏层造成栅源电容增大的情况，避免影响电阻电容延时和充电率。

【技术实现步骤摘要】
显示面板及其制备方法
本申请涉及显示
，具体涉及一种显示面板及其制备方法。
技术介绍
现有技术中，在半导体层与源漏极之间掺杂离子，起到形成半导体层与源漏极之间欧姆接触的作用，利于载流子传输，从而提高薄膜晶体管器件的电学特性。但是现有的刻蚀工艺会导致栅源电容(Cgs)增大，影响电阻电容延时(RCdelay)和充电率，同时对器件的信赖性也会造成一定的影响。也即，现有技术的刻蚀工艺会增大栅源电容，影响电阻电容延时和充电率。
技术实现思路
本申请实施例提供一种显示面板及其制备方法，能避免增大栅源电容，避免影响电阻电容延时和充电率。为解决上述问题，第一方面，本申请提供一种显示面板的制备方法，所述制备方法包括：制备依次叠置的半导体层、离子掺杂层、源漏层以及光阻图案层；去除所述光阻图案层；将所述离子掺杂层，位于所述源漏层的投影区域之外的部分，刻蚀掉，以形成离子掺杂图案层，其中，所述离子掺杂图案层的投影区域与所述源漏层的投影区域重叠。其中，所述去除所述光阻图案层，包括：通过干法剥离，去除所述光阻图案层；所述将所述离子掺杂层，位于所述源漏层的投影区域之外的部分，刻蚀掉，以形成离子掺杂图案层，包括：通过干法刻蚀，将所述离子掺杂层，位于所述源漏层的投影区域之外的部分，刻蚀掉，以形成离子掺杂图案层。其中，所述制备依次叠置的半导体层、离子掺杂层、源漏层以及光阻图案层，包括：通过干法刻蚀，制备所述源漏层；所述去除所述光阻图案层，包括：通过干法剥离，去除所述光阻图案层。其中，所述干法剥离为氧气灰化，所述干法刻蚀为反应离子刻蚀、等离子刻蚀、电感耦合等离子体刻蚀中的任一种。其中，所述去除所述光阻图案层，包括：通过湿法剥离，去除所述光阻图案层；所述将所述离子掺杂层，位于所述源漏层的投影区域之外的部分，刻蚀掉，以形成离子掺杂图案层，包括：通过湿法刻蚀，将所述离子掺杂层，位于所述源漏层的投影区域之外的部分，刻蚀掉，以形成离子掺杂图案层。其中，所述制备依次叠置的半导体层、离子掺杂层、源漏层以及光阻图案层，包括：通过湿法刻蚀，制备所述源漏层；所述去除所述光阻图案层，包括：通过湿法剥离，去除所述光阻图案层。其中，所述湿法剥离包括通过工业润膨剂和剥离液中的至少一种进行剥离；所述湿法刻蚀包括过氧化氢刻蚀、草酸刻蚀或磷酸刻蚀中的任一种。其中，制备依次叠置的半导体层、离子掺杂层、源漏层以及光阻图案层，包括：在基板上依次制备栅极层、栅极绝缘层、初始半导体层、初始离子掺杂层，金属层以及光阻层；显影曝光所述光阻层；刻蚀所述金属层；灰化处理显影曝光后的所述光阻层，以形成所述光阻图案层；刻蚀所述初始半导体层和初始离子掺杂层，以形成所述半导体层和所述离子掺杂层；再次刻蚀所述金属层，以形成所述源漏层。为解决上述问题，第二方面，本申请提供一种显示面板，所述显示面板包括依次叠置的半导体层、离子掺杂图案层和源漏层，其中，所述离子掺杂图案层的投影区域与所述源漏层的投影区域重叠。其中，所述离子掺杂图案层为N型掺杂。本申请的有益效果是：区别于现有技术，本申请提供一种显示面板的制备方法，该制备方法包括：制备依次叠置的半导体层、离子掺杂层、源漏层以及光阻图案层；去除光阻图案层；将离子掺杂层，位于源漏层的投影区域之外的部分，刻蚀掉，以形成离子掺杂图案层，其中，离子掺杂图案层的投影区域与源漏层的投影区域重叠。本申请在刻蚀离子掺杂层之前，去除掉光阻图案层，避免光阻图案层对刻蚀离子掺杂层造成影响，从而使得刻蚀形成的离子掺杂图案层的投影区域与源漏层的投影区域重叠，从而避免离子掺杂图案层超出源漏层造成栅源电容增大的情况，避免影响电阻电容延时和充电率。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本申请实施例提供的一种显示面板的制备方法一实施例流程示意图；图2是图1中S21后显示面板的剖面结构示意图；图3是图1中S22后显示面板的剖面结构示意图；图4是图1中S23后显示面板的剖面结构示意图；图5是本申请实施例提供的一种显示面板的制备方法另一实施例流程示意图；图6是图5中S31后显示面板的剖面结构示意图；图7是图5中S32后显示面板的剖面结构示意图；图8是图5中S33后显示面板的剖面结构示意图；图9是图5中S34后显示面板的剖面结构示意图；图10是图5中S35后显示面板的剖面结构示意图；图11是图5中S36后显示面板的剖面结构示意图；图12是图5中S37后显示面板的剖面结构示意图；图13是图5中S38后显示面板的剖面结构示意图；图14是本申请实施例提供的一种显示面板一实施例结构示意图。具体实施例下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。在本申请中，“示例性”一词用来表示“用作例子、例证或说明”。本申请中被描述为“示例性”的任何实施例不一定被解释为比其它实施例更优选或更具优势。为了使本领域任何技术人员能够实现和使用本申请，给出了以下描述。在以下描述中，为了解释的目的而列出了细节。应当明白的是，本领域普通技术人员可以认识到，在不使用这些特定细节的情况下也可以实现本申请。在其它实例中，不会对公知的结构和过程进行详细阐述，以避免不必要的细节使本申请的描述变得晦涩。因此，本申请并非旨在限于所示的实施例，而是与符合本申请所公开的原理和特征的最广范围相一致。本申请实施例提供一种显示面板的制备方法，该制备方法包括：制备依次叠置的半导体层、离子掺本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示面板的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：/n制备依次叠置的半导体层、离子掺杂层、源漏层以及光阻图案层；/n去除所述光阻图案层；/n将所述离子掺杂层，位于所述源漏层的投影区域之外的部分，刻蚀掉，以形成离子掺杂图案层，其中，所述离子掺杂图案层的投影区域与所述源漏层的投影区域重叠。/n

【技术特征摘要】
1.一种显示面板的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
制备依次叠置的半导体层、离子掺杂层、源漏层以及光阻图案层；
去除所述光阻图案层；
将所述离子掺杂层，位于所述源漏层的投影区域之外的部分，刻蚀掉，以形成离子掺杂图案层，其中，所述离子掺杂图案层的投影区域与所述源漏层的投影区域重叠。


2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述去除所述光阻图案层，包括：
通过干法剥离，去除所述光阻图案层；
所述将所述离子掺杂层，位于所述源漏层的投影区域之外的部分，刻蚀掉，以形成离子掺杂图案层，包括：
通过干法刻蚀，将所述离子掺杂层，位于所述源漏层的投影区域之外的部分，刻蚀掉，以形成离子掺杂图案层。


3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述制备依次叠置的半导体层、离子掺杂层、源漏层以及光阻图案层，包括：
通过干法刻蚀，制备所述源漏层；
所述去除所述光阻图案层，包括：
通过干法剥离，去除所述光阻图案层。


4.根据权利要求2或3所述的制备方法，其特征在于，所述干法剥离为氧气灰化，所述干法刻蚀为反应离子刻蚀、等离子刻蚀、电感耦合等离子体刻蚀中的任一种。


5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述去除所述光阻图案层，包括：
通过湿法剥离，去除所述光阻图案层；
所述将所述离子掺杂层，位于所述源漏层的投影区域之外的部分，刻蚀掉，以形成离子掺杂图...

【专利技术属性】
技术研发人员：柳吴广，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44