【技术实现步骤摘要】
一种具有高出光率的掺铈硅酸镥闪烁晶体辐射探测器
本专利技术涉及核辐射或X射线辐射的测量，尤其涉及X射线辐射、γ射线辐射、微粒子辐射或宇宙线辐射的测量，具体来说是辐射强度测量中闪烁体是晶体的闪烁探测器。
技术介绍
辐射测量已在许多领域发挥着重要的作用，如核电站热电厂辐射测量，对测量地点的辐射剂量进行连续测量；工业和民用建筑，建筑装修，建筑材料生产制造，对各种建筑材料的放射性测量;地质勘探，地质找矿与矿山辐射测量;用于射线安检通道门，能够为海关、机场、边境检查、重要会议场所的安全检查提供帮助;医疗中使用的辐射测量和辐射治疗（CT，PET，射线刀等）均需要通过测量辐射强度用于诊断和治疗，辐射测量已经广泛应用于放射性监测、工业无损探伤、医院的治疗和诊断、同位素应用、废料回收等放射性场所，辐射测量一方面监测辐射防止辐射产生危害，另一方面起到诊断和治疗的监测和计算作用。辐射探测是辐射测量最基础的研究领域，辐射探测器的基本原理是，利用辐射在气体或者液体或者固体中引起的电离激发效应或者其它物理或化学变化进行辐射探测，探测器的公知类型...
【技术保护点】
1.一种具有高出光率的掺铈硅酸镥闪烁晶体辐射探测器，包括闪烁晶体，光传感器，前置放大电路和多道分析仪，闪烁晶体表面设置有反光层和增透层，反光层设置在除了闪烁光出射面以外的表面，增透层设置在闪烁光出射面，所述闪烁晶体为掺铈硅酸镥晶体，闪烁晶体和光传感器设置在封装壳体中，其特征在于：所述反光层为增反膜层，所述增反膜层对于所述闪烁晶体的闪烁光的反射率大于99%，膜层层数小于10层。/n
【技术特征摘要】
1.一种具有高出光率的掺铈硅酸镥闪烁晶体辐射探测器，包括闪烁晶体，光传感器，前置放大电路和多道分析仪，闪烁晶体表面设置有反光层和增透层，反光层设置在除了闪烁光出射面以外的表面，增透层设置在闪烁光出射面，所述闪烁晶体为掺铈硅酸镥晶体，闪烁晶体和光传感器设置在封装壳体中，其特征在于：所述反光层为增反膜层，所述增反膜层对于所述闪烁晶体的闪烁光的反射率大于99%，膜层层数小于10层。
2.如权利要求1所述的辐射探测器，其特征在于：所述增反膜层为多层薄膜，从闪烁晶体的接触面开始膜层依次为钼（Mo),...
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