【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光传感器及电子设备
本专利技术涉及一种基于飞行时间测量(TOF)对与对象物之间的距离进行测定的光传感器及电子设备。
技术介绍
当前,作为对微弱光高速地进行检测的光接收元件,已知一种使用雪崩光电二极管的飞行时间测量(TOF,Time-Of-Flight)技术,该雪崩光电二极管利用了光电二极管的雪崩放大(雪崩)效果(专利文献1及专利文献2)。作为雪崩光电二极管,如果施加低于降伏电压(击穿电压)的逆失调电压,则作为直线模式进行动作,以相对于接收光量具有正相关的方式输出电流产生变动。另一方面,作为雪崩光电二极管,如果施加降伏电压以上的逆失调电压,则作为盖革模式进行动作。盖革模式的雪崩光电二极管,由于即使单一光子的入射也会引起雪崩现象,因此获得大的输出电流。因此,盖革模式的雪崩光电二极管被称为单光子雪崩二极管(SPAD:SinglePhotonAvalancheDiode)。通过相对于盖革模式的雪崩光电二极管,串联地增加猝灭电阻,从而可以获得相对于光子入射而同步的脉冲输出。图16是表示使用了盖革模式的雪崩光电二极管的光接收部的结构例的电路图。光接收部由光电二极管PD15、主动猝灭电阻R15(MOS晶体管的电阻成分)、缓存器BUF15构成。光电二极管PD15是盖革模式的雪崩光电二极管,在降伏电压以上的失调电压施加时,相对于单一光子的入射而引起雪崩现象,流过电流。通过在与光电二极管PD15串联连接的主动猝灭电阻R15中流过电流,从而主动猝灭电阻R15的端子间电压增加,与其相伴而光电二极管PD15的失 ...
【技术保护点】
1.一种光传感器,其特征在于,具备:/n基准脉冲生成电路,其生成基准脉冲信号;/n发光元件,其基于由所述基准脉冲生成电路生成的基准脉冲信号,向对象物射出光;/n罩面板,其使从所述发光元件射出的光的一部分透过,并对其它的一部分进行反射;/n光子计数型的第一光接收元件,其设置为,可以接收由所述对象物反射的对象物反射光、和由所述罩面板反射的罩面板反射光;以及/n判断电路,其基于根据由所述第一光接收元件接收的对象物反射光及罩面板反射光中的至少一方的第一光接收脉冲信号、和所述基准脉冲信号,判断由所述对象物反射光的所述第一光接收元件进行的光接收的有无。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170519 JP 2017-1001601.一种光传感器,其特征在于,具备:
基准脉冲生成电路,其生成基准脉冲信号;
发光元件,其基于由所述基准脉冲生成电路生成的基准脉冲信号,向对象物射出光;
罩面板,其使从所述发光元件射出的光的一部分透过,并对其它的一部分进行反射;
光子计数型的第一光接收元件,其设置为,可以接收由所述对象物反射的对象物反射光、和由所述罩面板反射的罩面板反射光;以及
判断电路,其基于根据由所述第一光接收元件接收的对象物反射光及罩面板反射光中的至少一方的第一光接收脉冲信号、和所述基准脉冲信号,判断由所述对象物反射光的所述第一光接收元件进行的光接收的有无。
2.根据权利要求1所述的光传感器,其特征在于,
所述判断电路具有:
n个计数器,其对将所述基准脉冲信号的基准周期进行n等分的从第一期间至第n期间的各自中的来自于所述第一光接收元件的第一光接收脉冲信号的个数进行计数,n为2以上的整数;以及
第一计算电路,其针对所述基准脉冲信号的m种不同频率条件的每一种频率条件,计算由第一输出脉冲数减去第二输出脉冲数而得到的第三输出脉冲数,所述第一输出脉冲数表示在所述发光元件基于所述基准脉冲信号而发光的发光期间的从所述第一期间至所述第n期间,利用所述n个计数器计数的所述第一光接收脉冲信号的个数,所述第二输出脉冲数表示在所述发光元件不发光的非发光期间的从所述第一期间至所述第n期间,利用所述n个计数器计数的所述第一光接收脉冲信号的个数,
所述判断电路基于由所述第一计算电路计算出所述基准脉冲信号的m种不同频率条件的每一种频率条件下的m种第三输出脉冲数,判断由所述对象物反射光的所述第一光接收元件进行的光接收的有无。
3.根据权利要求2所述的光传感器,其特征在于,
将所述基准周期进行n等分而成的从第一期间至第n期间通过所述基准周期的1/n倍的周期的脉冲波形进行分频而生成。
4.根据权利要求2所述的光传感器,其特征在于,
所述第一计算电路基于所述发光期间的长度与所述非发光期间的长度之间的比率,对由所述第一输出脉冲数减去所述第二输出脉冲数后的所述第三输出脉冲数进行计算。
5.根据权利要求2所述的光传感器,其特征在于,
所述光传感器在对与所述对象物间的距离进行测定的实际测定期间、和对由所述对象物反射光的所述第一光接收元件进行的光接收的有无进...
【专利技术属性】
技术研发人员:佐藤秀树,平松卓磨,清水隆行,生田吉纪,
申请(专利权)人:夏普株式会社,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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