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磁传感器制造技术

技术编号:23154362 阅读:34 留言:0更新日期:2020-01-18 15:27
本发明专利技术减少具备传感器基板和外部磁性体的磁传感器中的泄漏磁通。本发明专利技术的磁传感器,其具备:具有形成有磁敏元件(R1、R2)的元件形成面(20a)、侧面(21、22)和背面(23)的传感器基板(20);设置于磁敏元件(R1)和磁敏元件(R2)之间的第一外部磁性体(30);以及具有覆盖侧面(21、22)的第一和第二部分(41、42)的第二外部磁性体(40),第二外部磁性体(40)的第一和第二部分(41、42)超过元件形成面(20a)并突出。根据本发明专利技术,由于第二外部磁性体(40)的第一和第二部分(41、42)超过元件形成面(20a)并突出,因此第一外部磁性体(30)和第二外部磁性体(40)之间的泄漏磁通被减少。

Magnetic sensor

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】磁传感器
本专利技术涉及一种磁传感器,特别地,涉及一种具备形成有磁敏元件的磁传感器基板和外部磁性体的磁传感器。
技术介绍
使用了磁敏元件的磁传感器被广泛用于电流计或磁编码器等。如专利文献1中所述,存在磁传感器设置有用于将磁通收集于磁敏元件的外部磁性体的情况。例如,记载有:专利文献1的图8中所记载的磁传感器具有:覆盖传感器芯片的元件形成面的中央部的磁性体21;覆盖传感器芯片的左侧面的磁性体22;以及覆盖传感器芯片的右侧面的磁性体23,通过分别在磁性体21和22之间以及在磁性体21和23之间配置磁敏元件来将磁通分配至磁敏元件的结构。现有技术文献专利文献专利文献1:日本专利第5500785号公报
技术实现思路
专利技术想要解决的技术问题然而,专利文献1中记载的磁传感器由于磁性体21和22之间的间隙或磁性体21和23之间的间隙大,因此磁通的泄漏大,其结果是,存在无法得到充分的检测灵敏度的问题。因此,本专利技术的目的在于,通过减少具备了传感器基板和外部磁性体的磁传感器中的泄漏磁通来提高检测灵敏度。用于解决技术问题的技术手段根据本专利技术的磁传感器,其特征在于,具备:传感器基板,其具有:形成有包含第一和第二磁敏元件的多个磁敏元件的元件形成面;位于所述元件形成面的相反侧的背面;以及与所述元件形成面和所述背面大致正交,并且互相位于相反侧的第一和第二侧面;第一外部磁性体,其在所述元件形成面上,被设置于所述第一磁敏元件与所述第二磁敏元件之间;以及第二外部磁性体,其具有覆盖所述第一侧面的第一部分和覆盖所述第二侧面的第二部分,所述第一磁敏元件,在俯视时,位于所述第一外部磁性体和所述第二外部磁性体的所述第一部分之间,所述第二磁敏元件,在俯视时,位于所述第一外部磁性体和所述第二外部磁性体的所述第二部分之间,所述第二外部磁性体的所述第一和第二部分超过所述元件形成面并突出。根据本专利技术,由于第二外部磁性体的第一部分和第二部分超过元件形成面并突出,因此第一外部磁性体和第二外部磁性体之间的磁通的泄漏被减少。由此,由于磁通由磁敏元件集中,因此能够提高磁场的检测灵敏度。在本专利技术中,所述第一和第二部分的从所述元件形成面的突出量优选为沿所述元件形成面的所述第一外部磁性体和所述第二外部磁性体的所述第一和第二部分的距离以下。由此,由于绕过第一外部磁性体和第二外部磁性体之间的磁通减少,因此能够进一步提高检测灵敏度。在本专利技术中,所述第二外部磁性体的所述第一和第二部分优选为具有从所述元件形成面侧朝向所述背面侧而厚度增大的锥形形状。由此,与不具有锥形形状的情况相比,集磁效果能够被提高。在本专利技术中,所述第二外部磁性体优选为进一步具有覆盖所述背面的第三部分。由此,能够进一步降低磁阻。在本专利技术中,所述第二外部磁性体的所述第一部分和所述第二部分可以是不同的构件,所述传感器基板的所述背面可以不被所述第二外部磁性体覆盖而露出。由此,可以使第二外部磁性体小型化。在本专利技术中,所述第二外部磁性体优选为进一步具有从所述第一部分弯折至所述元件形成面侧的第一突出部分和从所述第二部分弯折至所述元件形成面侧的第二突出部分。由此,第一外部磁性体和第二外部磁性体之间的磁通的泄漏被进一步减少,磁通由磁敏元件集中。由此,能够进一步提高磁场的检测灵敏度。在这种情况下,所述第一和第二突出部可以具有随着接近于所述第一外部磁性体而宽度变窄的形状,也可以具有随着接近于所述第一外部磁性体而厚度变薄的形状。由此,由于不经由磁敏元件而绕过第一外部磁性体和第二外部磁性体之间的磁通被减少,因此能够进一步提高检测灵敏度。根据本专利技术的磁传感器优选为进一步具备在俯视时与所述传感器基板的所述元件形成面重叠的第一、第二和第三磁性体层,所述第一磁敏元件设置于由所述第一磁性体层和所述第二磁性体层之间的第一间隙形成的磁路上,所述第二磁敏元件设置于由所述第一磁性体层和所述第三磁性体层之间的第二间隙形成的磁路上,所述第一外部磁性体设置于所述第一磁性体层上。由此,由于第一~第三磁性体层是传感器基板的元件形成面上的磁路,磁阻大幅地降低。由此,能够更进一步地提高检测灵敏度。在这种情况下,优选为所述第一突出部分覆盖所述第二磁性体层的至少一部分,所述第二突出部分覆盖所述第三磁性体层的至少一部分。由此,能够更进一步地降低磁阻。在本专利技术中,优选多个磁敏元件的任意一个均为磁阻元件。专利技术的效果根据本专利技术,由于第一外部磁性体与第二外部磁性体之间的泄漏磁通被减少,因此,与现有的磁传感器相比,能够进一步提高磁场的检测灵敏度。附图说明图1是示出根据本专利技术的第一实施方式的磁传感器10A的外观的大致立体图。图2是磁传感器10A的大致俯视图。图3是沿图2所示的A-A线的大致截面图。图4是用于说明磁敏元件R1~R4的连接关系的电路图。图5是示出根据第一变形例的磁传感器11A的结构的大致截面图。图6是示出根据第二变形例的磁传感器12A的结构的大致立体图。图7是示出根据第三变形例的磁传感器13A的结构的大致立体图。图8是磁传感器13A的大致俯视图。图9是示出根据第四变形例的磁传感器14A的结构的大致立体图。图10是示出根据本专利技术的第二实施方式的磁传感器10B的外观的大致立体图。图11是磁传感器10B的大致俯视图。图12是沿图11所示的B-B线的大致截面图。图13是示出根据第一变形例的磁传感器11B的结构的大致立体图。图14是示出根据第二变形例的磁传感器12B的结构的大致立体图。图15是示出根据第三变形例的磁传感器13B的结构的大致立体图。图16是示出根据本专利技术的第三实施方式的磁传感器10C的外观的大致立体图。图17是磁传感器10C的大致截面图。图18是示出根据本专利技术的第一变形例的磁传感器11C的外观的大致立体图。图19是磁传感器11C的大致截面图。图20是示出磁传感器10C中的第一和第二部分41、42的突出量和集磁效果的关系的图表。图21是示出磁传感器11C中的第一和第二部分41、42的突出量和集磁效果的关系的图表。图22是示出根据本专利技术的第二变形例的磁传感器12C的结构的大致立体图。符号说明10A~14A、10B~13B、10C~12C磁传感器20传感器基板20a元件形成面21第一侧面22第二侧面23背面24绝缘膜30第一外部磁性体40第二外部磁性体41第一部分42第二部分43第三部分51~54焊盘(bondingpad)61第一磁性体层62第二磁性体层63第三磁性体层G1~G4间隙M1~M3主区域OH1第一突出部分OH2第二突出部分R1~R4磁敏元件S1~S8聚束区域磁通...

【技术保护点】
1.一种磁传感器,其特征在于,/n具备:/n传感器基板,其具有:形成有包含第一和第二磁敏元件的多个磁敏元件的元件形成面;位于所述元件形成面的相反侧的背面;以及与所述元件形成面和所述背面大致正交,并且互相位于相反侧的第一和第二侧面;/n第一外部磁性体,其在所述元件形成面上,被设置于所述第一磁敏元件与所述第二磁敏元件之间;以及/n第二外部磁性体,其具有覆盖所述第一侧面的第一部分和覆盖所述第二侧面的第二部分,/n所述第一磁敏元件,在俯视时,位于所述第一外部磁性体和所述第二外部磁性体的所述第一部分之间,/n所述第二磁敏元件,在俯视时,位于所述第一外部磁性体和所述第二外部磁性体的所述第二部分之间,/n所述第二外部磁性体的所述第一和第二部分超过所述元件形成面并突出。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170523 JP 2017-1015421.一种磁传感器,其特征在于,
具备:
传感器基板,其具有:形成有包含第一和第二磁敏元件的多个磁敏元件的元件形成面;位于所述元件形成面的相反侧的背面;以及与所述元件形成面和所述背面大致正交,并且互相位于相反侧的第一和第二侧面;
第一外部磁性体,其在所述元件形成面上,被设置于所述第一磁敏元件与所述第二磁敏元件之间;以及
第二外部磁性体,其具有覆盖所述第一侧面的第一部分和覆盖所述第二侧面的第二部分,
所述第一磁敏元件,在俯视时,位于所述第一外部磁性体和所述第二外部磁性体的所述第一部分之间,
所述第二磁敏元件,在俯视时,位于所述第一外部磁性体和所述第二外部磁性体的所述第二部分之间,
所述第二外部磁性体的所述第一和第二部分超过所述元件形成面并突出。


2.根据权利要求1所述的磁传感器,其特征在于,
所述第一和第二部分的从所述元件形成面的突出量是沿所述元件形成面的所述第一外部磁性体与所述第二外部磁性体的所述第一和第二部分的距离以下。


3.根据权利要求1或2所述的磁传感器,其特征在于,
所述第二外部磁性体的所述第一和第二部分具有从所述元件形成面侧朝向所述背面侧而厚度增大的锥形形状。


4.根据权利要求1~3中任一项所述的磁传感器,其特征在于,
所述第二外部磁性体进一步具有覆盖所述背面的第三部分。

【专利技术属性】
技术研发人员:林承彬
申请(专利权)人:TDK株式会社
类型:发明
国别省市:日本;JP

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