金属醇盐化合物、薄膜形成用原料及薄膜的制造方法技术

本发明专利技术提供由下述通式(1)表示的金属醇盐化合物:(式中，R

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】金属醇盐化合物、薄膜形成用原料及薄膜的制造方法
本专利技术涉及具有特定的亚氨基醇作为配体的金属醇盐化合物，含有该化合物的薄膜形成用原料以及使用该薄膜形成用原料的含有金属的薄膜的制造方法。
技术介绍
在元素周期表的第3族元素中，将钪(Sc)、钇(Y)和从镧(La)到镥(Lu)的镧系元素统称为稀土元素，这些稀土元素是电子和光电领域中的重要元素。钇是Y-B-C系超导体的主要构成元素。镧是铁电体PLZT的主要构成元素。另外，许多镧系元素被用作添加剂，以赋予作为发光材料等的功能性。作为含有这样的元素的薄膜的制造方法，可举出溅射法、离子镀法、涂布热解法和溶胶-凝胶法等MOD法，以及化学气相沉积法，但包括原子层沉积(ALD)法在内的化学气相沉积(以下有时简称为“CVD”)法是最佳的制造方法，因为它具有如下许多优点：例如组成控制性和台阶覆盖性优异，适于量产化，可混合集成等。作为用于化学气相沉积法的金属供给源，大量报道了各种各样的原料，例如，专利文献1中公开了可用作薄膜形成用原料的金属醇盐化合物。另外，专利文献2中公开了在ALD法中用作薄膜形成用本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.下述通式(1)表示的金属醇盐化合物：/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170621 JP 2017-1214131.下述通式(1)表示的金属醇盐化合物：



式中，R1和R2各自独立地表示碳数1～4的烷基，R3表示碳数2或3的烷基，M表示钪原子、钇原子、镧原子、铈原子、镨原子、钕原子、钷原子、钐原子、铕原子、钆原子、铽原子、镝原子、钬原子、铒原子、铥原子、镱原子或镥原子，n表示M表示的原子的价数。


2.薄膜形成用原料，其含有权...

【专利技术属性】
技术研发人员：樱井淳，畑濑雅子，冈田奈奈，西田章浩，
申请(专利权)人：株式会社ADEKA，
类型：发明
国别省市：日本;JP