一种射频前端架构制造技术

本申请公开了一种射频前端架构，所述射频前端架构包括：功率放大器模组PAM、集成双工器的射频前端模组FEMiD、天线和至少一个可调谐匹配网络；其中，所述PAM包括功率放大器，所述至少一个可调谐匹配网络位于所述功率放大器和所述天线之间，用于调节所述功率放大器的输出端的阻抗和/或天线的输入端的阻抗。本申请通过调节可调谐匹配网络对射频前端架构进行阻抗匹配，使射频前端架构在多个射频通路上都能够保持较佳的工作性能。

A RF front-end architecture

【技术实现步骤摘要】
一种射频前端架构
本申请涉及电子
，尤其涉及一种射频前端架构。
技术介绍
射频前端架构包含功率放大器(PA，PowerAmplifier)、低噪声放大器(LNA，LowNoiseAmplifier)、滤波器、双工器、开关、天线等器件。随着新增频段的增加，载波聚合、多输入多输出(MIMO，MultipleInputMultipleOutput)等技术的广泛应用，各类射频器件越来越多，射频前端架构也越来越复杂化，各类射频器件在射频系统中占用很大面积。目前一种广泛应用的技术方案是将LNA、滤波器、双工器和开关集成在一颗芯片中，构成集成滤波器/双工器的射频前端模组(FEMiD，Front-endModuleintegratedDuplexer)，将FEMiD和功率放大器模组(PAM，PowerAmplifierModule)以及天线一起组成一个完整的射频前端架构。采用这种技术方案能够减小各射频器件的占用面积，但是这种集成方式减小了各器件的调试自由度，在实际应用中给射频工程师的调试带来了极大的不便，导致各射频器件及模块无法达到自身最优性能。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本申请实施例提供了一种射频前端架构。本申请实施例提供的射频前端架构，包括：功率放大器模组PAM、集成双工器的射频前端模组FEMiD、天线和至少一个可调谐匹配网络；其中，所述PAM包括功率放大器，所述至少一个可调谐匹配网络位于所述功率放大器和所述天线之间，用于调节所述功率放大器的输出端的阻抗和/或天线的输入端的阻抗。在本申请一可选实施方式中，所述FEMiD包括第一开关、第二开关以及位于所述第一开关和所述第二开关之间的多个支路；或者，所述PAM包括第一开关，所述FEMiD包括第二开关以及位于所述第一开关和所述第二开关之间的多个支路；或者，所述FEMiD和所述PAM之间设置有第一开关，所述FEMiD包括第二开关以及位于所述第一开关和所述第二开关之间的多个支路；其中，所述多个支路中的每个支路包括滤波器或双工器，所述滤波器或所述双工器的输入端和输出端分别设置有输入匹配网络和输出匹配网络。在本申请一可选实施方式中，所述至少一个可调谐匹配网络包括以下至少之一：至少一个第一可调谐匹配网络、至少一个第二可调谐匹配网络、至少一个第三可调谐匹配网络。在本申请一可选实施方式中，所述第一可调谐匹配网络位于所述功率放大器和所述第一开关之间。在本申请一可选实施方式中，所述第一可调谐匹配网络集成于所述PAM中；或者，所述第一可调谐匹配网络集成于所述FEMiD中；或者，所述第一可调谐匹配网络独立设置在所述PAM和所述FEMiD之间。在本申请一可选实施方式中，所述第二可调谐匹配网络位于所述第二开关和所述天线之间。在本申请一可选实施方式中，所述第二开关和所述天线之间还设置有天线匹配网络；其中，所述第二可调谐匹配网络位于所述天线匹配网络和所述天线之间；或者，所述第二可调谐匹配网络位于所述第二开关和所述天线匹配网络之间。在本申请一可选实施方式中，所述第二可调谐匹配网络位于所述第二开关和所述天线匹配网络之间的情况下，所述第二可调谐匹配网络集成于所述FEMiD中；或者，所述第二可调谐匹配网络独立设置在所述FEMiD和所述天线匹配网络之间。在本申请一可选实施方式中，所述第三可调谐匹配网络位于所述FEMiD中的支路中。在本申请一可选实施方式中，所述第三可调谐匹配网络为所述支路中的输入匹配网络；或者，所述第三可调谐匹配网络为所述支路中的输出匹配网络。在本申请一可选实施方式中，所述可调谐匹配网络包括以下至少一种类型的元件：电感、电容、电阻、传输线、开关；其中，所述可调谐匹配网络中的阻抗值可调。本申请实施例的技术方案中，所述射频前端架构包括：功率放大器模组PAM、集成双工器的射频前端模组FEMiD、天线和至少一个可调谐匹配网络；其中，所述PAM包括功率放大器，所述至少一个可调谐匹配网络位于所述功率放大器和所述天线之间，用于调节所述功率放大器的输出端的阻抗和/或天线的输入端的阻抗。通过可调谐匹配网络对射频前端架构进行阻抗匹配，使射频前端架构在多个射频通路上都能够保持较佳的工作性能，能够克服现有技术中射频架构调试困难，灵活性不高的问题，使射频架构同时具备高集成度、高性能、灵活性、低成本等特点。附图说明图1为本申请实施例提供的射频前端架构示意图一；图2(a)、(b)为本申请实施例提供的公共端阻抗匹配史密斯圆图；图3为本申请实施例提供的射频前端架构示意图二；图4为本申请实施例提供的可调谐匹配网络示意图；图5(a)、(b)、(c)为本申请实施例提供的可调谐匹配网络拓扑结构示意图；图6为本申请实施例提供的可变电容阵列示意图；图7为本申请实施例提供的第一可调谐匹配网络集成于PAM中的示意图；图8为本申请实施例提供的第一可调谐匹配网络集成于FEMiD中的示意图；图9为本申请实施例提供的第一可调谐匹配网络独立设置在PAM和FEMiD之间的示意图；图10为本申请实施例提供的第二可调谐匹配网络集成于FEMiD中的示意图；图11为本申请实施例提供的第二可调谐匹配网络天线匹配网络和天线之间的示意图；图12为本申请实施例提供的第三可调谐匹配网络为FEMiD中的支路中的输入匹配网络的示意图；图13为本申请实施例提供的射频前端架构示意图三；图14为本申请实施例提供的射频前端架构示意图四；图15为本申请实施例提供的射频前端架构示意图五；图16为本申请实施例提供的射频前端架构示意图六；图17为本申请实施例提供的射频前端架构示意图七；图18为本申请实施例提供的射频前端架构示意图八；图19为本申请实施例提供的射频前端架构示意图九；图20为本申请实施例提供的射频前端架构示意图十。具体实施方式在一种实施方式中，射频前端架构如图1所示，图1是一种多模多频(MMMB，Multi-ModeMulti-Band)的PAM与FEMiD组合的射频前端架构，RFIN代表射频输入端，其中，所述射频前端架构中包括PAM、FEMiD和天线(ANT)，其中，所述PAM中包括PA和功率放大器匹配网络(PA_MN)。所述FEMiD包括第一开关(即SW1)、第二开关(即SW2)以及位于所述第一开关和所述第二开关之间的多个支路TX1、TX2、...TXn；其中，所述多个支路TX1、TX2、...TXn中的每个支路包括滤波器(Filter)或双工器(Duplexer)，所述滤波器或所述双工器的输入端和输出端分别设置有输入匹配网络(IMN1、IMN2、...IMNn)和输出匹配网络(OMN1、OMN2、...OMNn)。所述第二开关和所述天线之间还设置有天线匹配网络(ANT_MN)。需本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种射频前端架构，其特征在于，所述射频前端架构包括：功率放大器模组PAM、集成双工器的射频前端模组FEMiD、天线和至少一个可调谐匹配网络；其中，/n所述PAM包括功率放大器，所述至少一个可调谐匹配网络位于所述功率放大器和所述天线之间，用于调节所述功率放大器的输出端的阻抗和/或天线的输入端的阻抗。/n

【技术特征摘要】
1.一种射频前端架构，其特征在于，所述射频前端架构包括：功率放大器模组PAM、集成双工器的射频前端模组FEMiD、天线和至少一个可调谐匹配网络；其中，
所述PAM包括功率放大器，所述至少一个可调谐匹配网络位于所述功率放大器和所述天线之间，用于调节所述功率放大器的输出端的阻抗和/或天线的输入端的阻抗。


2.根据权利要求1所述的射频前端架构，其特征在于，
所述FEMiD包括第一开关、第二开关以及位于所述第一开关和所述第二开关之间的多个支路；或者，
所述PAM包括第一开关，所述FEMiD包括第二开关以及位于所述第一开关和所述第二开关之间的多个支路；或者，
所述FEMiD和所述PAM之间设置有第一开关，所述FEMiD包括第二开关以及位于所述第一开关和所述第二开关之间的多个支路；其中，
所述多个支路中的每个支路包括滤波器或双工器，所述滤波器或所述双工器的输入端和输出端分别设置有输入匹配网络和输出匹配网络。


3.根据权利要求2所述的射频前端架构，其特征在于，所述至少一个可调谐匹配网络包括以下至少之一：至少一个第一可调谐匹配网络、至少一个第二可调谐匹配网络、至少一个第三可调谐匹配网络。


4.根据权利要求3所述的射频前端架构，其特征在于，所述第一可调谐匹配网络位于所述功率放大器和所述第一开关之间。


5.根据权利要求4所述的射频前端架构，其特征在于，
所述第一可调谐匹配网络集成于所述PAM中；或者，
所...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭洋洋，陈泽岩，
申请(专利权)人：广州慧智微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44