一种双曲超材料平面天线制造技术

技术编号:23152064 阅读:86 留言:0更新日期:2020-01-18 14:35
一种双曲超材料平面天线,包括接地板、双曲超材料结构层、基片以及辐射天线;所述双曲超材料结构层由半导体层和电介质层交替叠加形成,形成在所述接地板上;在所述双曲超材料层上形成有所述基片;在所述基片上形成有所述辐射天线。所述双曲超材料平面天线结构易于生产和制造,能够有效提高平面天线的增益及抗干扰能力,易于与其他设备集成,并且不易损坏。

A hyperbolic metamaterial plane antenna

【技术实现步骤摘要】
一种双曲超材料平面天线
本专利技术涉及平面天线
,尤其是涉及一种基于双曲超材料的太赫兹平面天线。
技术介绍
太赫兹波是指频率在0.1-10THz、对应波长在3mm-30μm波段内的电磁波。其介于微波与红外可见光之间,处于电子学向光子学的过渡领域。太赫兹波通信具有非常大的潜力,相对于微波通信,太赫兹通信带宽更宽,因此通信传输的容量更大,速度更快;并且太赫兹通信具有更好的保密性及抗干扰能力,因此可以进行更加可靠安全的通信。相比于光通信,太赫兹波波长较长,具有更好的穿透沙尘烟雾的能力,可以实现全天候的工作。因此太赫兹波以极高的带宽在高保密卫星通信及无线通信上有着广阔的应用前景。太赫兹天线是太赫兹无线通信系统中重要的器件之一,其中太赫兹平面天线因其尺寸小、质量轻、在大多数实际的太赫兹系统中很容易与其他平面器件集成、易于加工并且价格便宜,因而被广泛研究和使用。太赫兹平面天线由金属接地板,电介质基片,辐射单元以及馈源组成,可以看成是微波波段的平面天线按照频率比缩放而得。但与微波平面天线不同,太赫兹平面天线性能由于电介质基片在太赫兹波段下发生表本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种双曲超材料平面天线,包括接地板、双曲超材料结构层、基片以及辐射天线;/n在所述接地板上形成有所述双曲超材料结构层;/n所述双曲超材料结构层由半导体层和电介质层交替叠加而成;/n在所述双曲超材料层上形成有所述基片;/n在所述基片上形成有所述辐射天线。/n

【技术特征摘要】
1.一种双曲超材料平面天线,包括接地板、双曲超材料结构层、基片以及辐射天线;
在所述接地板上形成有所述双曲超材料结构层;
所述双曲超材料结构层由半导体层和电介质层交替叠加而成;
在所述双曲超材料层上形成有所述基片;
在所述基片上形成有所述辐射天线。


2.如权利要求1所述的双曲超材料平面天线,其特征在于,所述双曲超材料结构层由半导体层和电介质层交替叠加形成,形成在所述接地板上的具体结构为:在所述接地板上形成一层半导体层,然后在所述半导体材料层上再形成一层电介质层;依次顺序,直至层叠至所述双曲超材料层所需的层数。


3.如权利要求1或2所述的双曲超材料平面天线,其特征在于,在工作频率范围内,所述双曲超材料层的等效介电常数εreff的平行分量ε||和垂直分量ε⊥为一正一负。


4.如权利要求3所述的双曲超材料平面天线,其特征在于,所述半导体层具有厚度tm,所述电介质层具有厚度td;所述双曲超材料结构层的总厚度远小于天线的工作波长,即∑(tm+td)<<λ。


5.如权利要求4所述的双曲超材料平面天线,其特征在于,在工作频率范围内,所述双曲超材料结构层中形成所述半导体层的半导体材料和形成所述电介质层的电介质材料,满足在工作频率范围内所述半导体材料和所述电解质材料具有介电常数实部为一负一正。


6.如权...

【专利技术属性】
技术研发人员:鲁远甫程聪李光元张锐焦国华
申请(专利权)人:深圳先进技术研究院
类型:发明
国别省市:广东;44

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