一种碲化镉薄膜电池制造技术

技术编号:23151807 阅读:89 留言:0更新日期:2020-01-18 14:29
本发明专利技术实施例公开一种碲化镉薄膜电池,由下到上依次包括衬底层、TiO

A CdTe thin film battery

【技术实现步骤摘要】
一种碲化镉薄膜电池
本专利技术涉及一种碲化镉薄膜太阳能电池
,尤其涉及一种碲化镉薄膜电池。
技术介绍
化合薄膜太阳能电池作为第二代太阳能电池,具有成本低,易大规模生产,物化性能稳定,转换效率高等优势。其中CdTe薄膜太阳能电池作为薄膜电池的代表,在经过多年的发展,目前转换效率已超过20%。CdTe薄膜电池主要由四部分组成:TCO玻璃衬底,CdS层,CdTe层以及金属背电极。该结构简单,制备工艺也较为成熟,为目前市面主要的电池结构。但目前,此CdTe薄膜电池的结构存在较大的弊端:光生载流子传递速度慢,导致内部载流子复合严重,载流子利用率低,限制了电池的性能。
技术实现思路
为解决以上技术问题,本专利技术实施例提供一种碲化镉薄膜电池,可以通过优化结构,改善碲化镉薄膜电池上膜层间的接触,降低层间缺陷,以达到提升载流子的传输速度及利用率,进而实现效率的提升。为达上述目的,本专利技术实施例的技术方案是这样实现的:本专利技术实施例提供一种碲化镉薄膜电池,由下到上依次包括衬底层、窗口层、吸收层和金属背电极层,所述衬底本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种碲化镉薄膜电池,由下到上依次包括衬底层(1)、窗口层(3)、吸收层(4)和金属背电极层(6),其特征在于,所述衬底层(1)与所述窗口层(3)之间设置TiO

【技术特征摘要】
1.一种碲化镉薄膜电池,由下到上依次包括衬底层(1)、窗口层(3)、吸收层(4)和金属背电极层(6),其特征在于,所述衬底层(1)与所述窗口层(3)之间设置TiO2阵列层(2),所述吸收层(4)和所述金属背电极层(6)之间设置背接触层(5)。


2.根据权利要求1所述的一种碲化镉薄膜电池,其特征在于,所述衬底层(1)的材料为FTO导电玻璃或ITO导电玻璃。


3.根据权利要求1所述的一种碲化镉薄膜电池,其特征在于,所述TiO2阵列层的厚度为80~200nm,所述TiO2阵列层(2)的制备方法包括采用匀胶法制备TiO2种子层和采用水热法制备TiO2阵列层(2)。


4.根据权利要求3所述的一种碲化镉薄膜电池,其特征在于,所述采用匀胶法制备TiO2种子层的方法包括:
前驱液的配置:
将2~4mL异丙醇钛加入到20~30mL无水乙醇中,搅拌5~10min后,得到溶液A;
取浓度为2~4mol/L,体积为0.2~0.5mL盐酸溶液加入到20~3mL无水乙醇中,搅拌5~10分钟,得到溶液B;
将所述溶液A与所述溶液B混合,搅拌60~150min,得到前驱液,将所述前驱液在室温内陈化24h后,放置在3~10℃的低温下存储备用;
种子层的制备:
将所述前驱液通过旋涂机旋涂在所述衬底层(1)上,得到样品;
将所述样品进行干燥处理;
将干燥处理后的所述样品进行加热处理,其中,加热的温度450~600℃,加热的时间15~60min;
最后将加热处理后的样品进行自然冷却,得到TiO2种子层样品。


5.根据权利要求3所述的一种碲化镉薄膜电池,其特征在于,所述采用水热法制备TiO2阵列层(2)的方法为:

【专利技术属性】
技术研发人员:傅干华潘锦功彭寿马立云文秋香李永强
申请(专利权)人:成都中建材光电材料有限公司
类型:发明
国别省市:四川;51

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