有源矩阵有机发光二极体显示屏及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种有源矩阵有机发光二极体显示屏及其制备方法，该制备方法包括提供第一基板和第二基板，第一基板上形成有触控层，第二基板上形成有低温多晶硅层，低温多晶硅层上形成有有机发光器件层；在所述第一基板背对所述触控层的一侧对所述第一基板进行减薄，直至第一基板的厚度达到0.12T至0.2T；将第一基板和第二基板封装在一起；在第二基板背对低温多晶硅层的一侧对第二基板减薄，直至第二基板的厚度达到0.12T至0.2T。最终使得有源矩阵有机发光二极体显示屏最终厚度在0.24T以上，0.4T以下，厚度较小，应用至手机等移动设备上可以有效减小设备厚度，给用户带来更好的体验。

Active matrix OLED display and its preparation

【技术实现步骤摘要】
有源矩阵有机发光二极体显示屏及其制备方法
本专利技术涉及有机发光显示
，特别是涉及一种有源矩阵有机发光二极体(Active-matrixorganiclightemittingdiode，简称AMOLED)显示屏及其制备方法。
技术介绍
有源矩阵有机发光二极体显示屏广泛用作手机等移动设备上，目前，有源矩阵有机发光二极体显示屏的制备方法是将制作完成后的显示屏进行减薄以降低其厚度，具体是对背板玻璃进行减薄，以达到有源矩阵有机发光二极体显示屏薄的目的，但是减薄后的有源矩阵有机发光二极体显示屏度为0.65T及以上，厚度仍然较厚。
技术实现思路
基于此，有必要提供一种有源矩阵有机发光二极体显示屏及其制备方法。第一方面，本专利技术提供一种有源矩阵有机发光二极体显示屏的制备方法，所述制备方法包括：提供第一基板和第二基板，所述第一基板上形成有触控层(TouchPanel，简称TP)，所述第二基板上形成有低温多晶硅(LowTemperaturePolySilicon，简称LTPS)层，所述低温多晶硅层上形成有有机发光器件(OrganicLightEmittingDisplay，简称OLED)层；在所述第一基板背对所述触控层的一侧对所述第一基板进行减薄，直至所述第一基板的厚度达到0.12T至0.2T；将所述第一基板和第二基板进行封装；在所述第二基板背对所述低温多晶硅层的一侧对所述第二基板进行减薄，直至所述第一基板的厚度达到0.12T至0.2T。上述有源矩阵有机发光二极体显示屏的制备方法，会对第一基板和第二基板减薄，使得有源矩阵有机发光二极体显示屏最终厚度在0.24T以上，0.4T以下，厚度较小，应用至手机等移动设备上可以有效减小设备厚度。第二方面，本专利技术提供一种有源矩阵有机发光二极体显示屏，包括：第一基板和第二基板，所述第一基板上形成有触控层，所述第二基板上形成有低温多晶硅层，所述低温多晶硅层上形成有有机发光器件层，所述第一基板和第二基板封装在一起，所述第一基板和所述第二基板的厚度为均0.12T至0.2T。上述有源矩阵有机发光二极体显示屏，所述第一基板和所述第二基板的厚度为均0.12T至0.2T，使得有源矩阵有机发光二极体显示屏最终厚度在0.24T以上，0.4T以下，厚度较小，应用至手机等移动设备上也能有效减小设备厚度。附图说明图1为本专利技术一个实施例中的有源矩阵有机发光二极体显示屏的制备方法的流程示意图；图2为本专利技术一个实施例中的第一基板的结构示意图；图3为本专利技术一个实施例中的第二基板的结构示意图；图4为本专利技术一个实施例中的第一基板减薄后的结构示意图；图5为本专利技术第二实施例中有源矩阵有机发光二极体显示屏的制备方法的流程示意图；图6为本专利技术一个实施例中的引入载体玻璃的第一基板的结构示意图；图7为本专利技术一个实施例中的制作了封装胶的第一基板的结构示意图；图8为本专利技术一个具体实施例中的有源矩阵有机发光二极体显示屏的结构示意图；图9为分离了图8中的载体玻璃的有源矩阵有机发光二极体显示屏的结构示意图；图10为将图9中第二基板减薄后的有源矩阵有机发光二极体显示屏的结构示意图。具体实施方式为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。如
技术介绍
所述，目前有源矩阵有机发光二极体显示屏的制备方法是将制作完成后的显示屏进行减薄以降低其厚度，具体是对背板进行减薄，减薄后的显示屏度为0.65T(Thickness，厚度单位，1T通常等于1毫米)及以上，厚度仍然较厚。本专利技术实施例提供一种有源矩阵有机发光二极体显示屏的制备方法，显示屏最终厚度在0.24T以上，0.4T以下，厚度较小，应用至手机等移动设备上可以有效减小设备厚度，给用户带来更好的体验。图1为一个实施例中有源矩阵有机发光二极体显示屏的制备方法流程示意图，如图1所示，该制备方法包括步骤102至步骤108：步骤102：提供第一基板和第二基板，第一基板、第二基板分别作为有源矩阵有机发光二极体显示屏的封装盖板玻璃、背板玻璃。如图2所示，第一基板210上形成有触控层212，如图3所示，第二基板310上形成有低温多晶硅层312，所述低温多晶硅层312上形成有有机发光器件层314。具体地，如图3所示，第二基板310上还形成有其他内部电路316例如电源电路或驱动电路等，有机发光器件层314于图3中从左往右依次包括红色有机发光器件层、绿色有机发光器件层和蓝色有机发光器件层。触控层212内集成有触控线路。具体地，提供的所述第一基板和第二基板均可为0.5T以上。步骤104：在所述第一基板背对所述触控层的一侧对所述第一基板进行减薄，直至所述第一基板的厚度达到0.12T至0.2T；基于图2，在第一基板210背对触控层212的一侧所述第一基板210进行减薄，图4为减薄后的第一基板210的结构示意图。于本专利技术的其中一个实施例中，如图5所示，所述将第一基板和第二基板进行封装之前，还包括提供载体玻璃，将第一基板形成有触控层的那一面与载体玻璃贴合的步骤105，提供的载体玻璃厚度具体为0.5T以上。所述将第一基板和第二基板进行封装之后，具体可以是后续在对第二基板减薄之后，包括从第一基板上分离所述载体玻璃的步骤107。因为封装盖板玻璃减薄后在被运送至设备中与背板玻璃贴合的过程中，可能会因为封装盖板玻璃过于薄而发生较大变形而影响其性能，引入载体玻璃有利于承载封装盖板玻璃，可以大大减少前述变形情况的发生，和背板玻璃进行封装后，载体玻璃最终又能分离出来，也不会影响有源矩阵有机发光二极体显示屏的厚度；选择的载体玻璃厚度为0.5T以上时，承载性能也比较优良，更有利于减小封装盖板玻璃的变形。具体地，可采用剥离工艺将载体玻璃从封装盖板玻璃上剥离，剥离采用LLO(LaserLiftOff，激光剥离)工艺或碱性剥离液浸泡显示屏来实现。图6为一个具体实施例中基于图4的贴合了载体玻璃214的第一基板210的结构示意图。本步骤中，可以在将第一基板形成有触控层的那一面与载体玻璃贴合之前，减薄第一基板。或者，也可以在将第一基板形成有触控层的那一面与载体玻璃贴合之后，将第一基板和第二基板进行封装之前，减薄所述第一基板。步骤106：将第一基板和第二基板进行封装。本步骤中，如图7所示，可先在第一基板210上制作封装胶216，具体是在第一基板210背对触控层212的那一面的边缘具体是四周的边缘制作封装胶216，然后，如图8所示，利用封装胶216将第一基板210和第二基板310进行贴合，利用激光工艺熔化封装胶，使得第一基板和第二基板连接。然后，可以分离图8中的载体玻璃214，得到图9中的有源矩阵有机发光二极体显示屏。其他实施例中，也可以在后续步骤108之后从第一基板上分离载体玻璃。如图9所示，关于将第一基板本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种有源矩阵有机发光二极体显示屏的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：/n提供第一基板和第二基板，所述第一基板上形成有触控层，所述第二基板上形成有低温多晶硅层，所述低温多晶硅层上形成有有机发光器件层；/n在所述第一基板背对所述触控层的一侧对所述第一基板进行减薄，直至所述第一基板的厚度达到0.12T至0.2T；/n将所述第一基板和第二基板进行封装；/n在所述第二基板背对所述低温多晶硅层的一侧对所述第二基板进行减薄，直至所述第一基板的厚度达到0.12T至0.2T。/n

【技术特征摘要】
1.一种有源矩阵有机发光二极体显示屏的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
提供第一基板和第二基板，所述第一基板上形成有触控层，所述第二基板上形成有低温多晶硅层，所述低温多晶硅层上形成有有机发光器件层；
在所述第一基板背对所述触控层的一侧对所述第一基板进行减薄，直至所述第一基板的厚度达到0.12T至0.2T；
将所述第一基板和第二基板进行封装；
在所述第二基板背对所述低温多晶硅层的一侧对所述第二基板进行减薄，直至所述第一基板的厚度达到0.12T至0.2T。


2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一基板和所述第二基板减薄后的厚度均为0.15T。


3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述将第一基板和第二基板进行封装之前，还包括提供载体玻璃，以及将所述第一基板形成有触控层的那一面与载体玻璃贴合的步骤；
所述将第一基板和第二基板进行封装之后，包括从所述第一基板上分离所述载体玻璃的步骤。


4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，在将第一基板形成有触控层的那一面与载体玻璃贴合之前，对所述第一基板进行减薄。


5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪国杰，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44