像素驱动电路及显示装置制造方法及图纸

本揭示提供一种像素驱动电路及显示装置，所述像素驱动电路包括数据写入单元、驱动单元、补偿单元和发光单元，通过在驱动单元增加第一电容，所述第一电容的第一端用于接收所述电源高压信号，所述第一电容的第二端耦接所述第二节点，通过第一电容对驱动单元的耦合作用，减小在不同灰阶状态下驱动单元的数据传输效率，通过较低的数据传输效率实现高低灰阶的切换，从而提高像素驱动电路高低灰阶的切换能力，同时在发光单元的微发光二极管与驱动单元之间增设第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的栅极耦接发光信号，漏极耦接微发光二极管的第一端，保证微发光二极管在发光之前不会受到驱动单元电流波动的影响，提高显示装置的显示效果。

Pixel driving circuit and display device

【技术实现步骤摘要】
像素驱动电路及显示装置
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种像素驱动电路及显示装置。
技术介绍
微发光二极管显示装置(MicroLightEmittingDiodeDisplay,Micro-LED)，是一种高密度集成的LED阵列显示装置，相较于液晶显示装置(LiquidCrystalDisplay,LCD)技术以及有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode,OLED)显示装置技术，Micro-LED具有更高的发光效率和更低的功耗，并且具有寿命长、响应快等优势。传统的3T1C像素驱动电路已广泛应用于OLED显示中，对于驱动晶体管来说，通过驱动晶体管的电流大小决定着OLED或者Micro-LED的发光亮度，而电流的大小与驱动晶体管栅极和源极的电压差Vgs有关，电压差大小的不同从而产生不同的灰阶显示。由于Micro-LED相比于OLED具有更高的发光效率和亮度，对于驱动晶体管来说，电压差的变化范围比较小就能实现较高的亮度，因此高低灰阶切换电压差的变化范围很小，这需要数据信号具有更高的精度。综上所述，现有Micro-LED显示装置的像素驱动电路存在高低灰阶切换能力较弱的问题。故，有必要提供一种像素驱动电路及显示装置来改善这一缺陷。
技术实现思路
本揭示实施例提供一种像素驱动电路及显示装置，用于解决Micro-LED显示装置的像素驱动电路存在高低灰阶切换能力较弱的问题。本揭示实施例提供一种像素驱动电路，包括数据写入单元、驱动单元、补偿单元和发光单元；<br>所述数据写入单元用于接收数据电压信号和第一扫描信号，并与所述驱动单元耦接于第一节点；所述驱动单元用于接收电源高压信号，并与所述补偿单元耦接于第二节点；所述发光单元用于接收发光信号和电源低压信号，并与所述驱动单元耦接于第三节点；其中，所述驱动单元包括第一电容，所述第一电容的第一端用于接收所述电源高压信号，所述第一电容的第二端耦接所述第二节点，所述发光单元包括第一薄膜晶体管和微发光二极管，所述第一薄膜晶体管的栅极用于接收所述发光信号，所述第一薄膜晶体管的源极耦接所述第三节点，所述第一薄膜晶体管的漏极耦接所述微发光二极管的第一端。根据本揭示一实施例，所述数据写入单元包括第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管的栅极用于接收所述第一扫描信号，所述第二薄膜晶体管的源极用于接收所述数据电压信号，所述第二薄膜晶体管的漏极耦接所述第一节点。根据本揭示一实施例，所述驱动单元还包括第三薄膜晶体管和储存电容，所述第三薄膜晶体管的栅极耦接所述第一节点，所述第三薄膜晶体管的源极用于接收所述电源高压信号，所述第三薄膜晶体管的漏极耦接所述第三节点，所述储存电容的第一端耦接所述第一节点，所述储存电容的第二端耦接所述第二节点。根据本揭示一实施例，所述补偿单元用于接收第二扫描信号和耦接感测电路，所述感测电路用于产生感测电压信号，通过所述补偿单元传输至所述第三薄膜晶体管，用于感测所述第三薄膜晶体管的阈值电压，并对所述阈值电压进行补偿。根据本揭示一实施例，所述补偿单元包括第四薄膜晶体管，所述第四薄膜晶体管的栅极用于接收所述第二扫描信号，所述第四薄膜晶体管的源极耦接所述感测电路，所述第四薄膜晶体管的漏极耦接所述第二节点。根据本揭示一实施例，所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管、所述第三薄膜晶体管和所述第四薄膜晶体管均为N型晶体管。根据本揭示一实施例，所述像素驱动电路的驱动时序包括第一阶段、第二阶段和第三阶段；其中，在所述第一阶段内，通过所述第一扫描信号和所述第二扫描信号分别开启所述第二薄膜晶体管和所述第四薄膜晶体管，并写入所述数据电压信号和所述感测电压信号；在所述第二阶段内，通过所述第一扫描信号和所述第二扫描信号分别关闭所述第二薄膜晶体管和所述第四薄膜晶体管，所述驱动单元发生电容耦合效应；在所述第三阶段内，开启所述第三薄膜晶体管，并通过所述发光信号开启所述第一薄膜晶体管，所述驱动单元产生驱动电流驱动所述微发光二极管发光。根据本揭示一实施例，在所述第一阶段内，所述第一扫描信号、所述第二扫描信号、所述数据电压信号以及所述感测电压信号均为高电平信号，所述发光信号为低电平信号；在所述第二阶段内，所述第一扫描信号、所述第二扫描信号和所述发光信号均为低电平信号，所述数据电压信号包括高电平信号和低电平信号，所述感测电压信号包括高电平信号和低电平信号；在所述第三阶段内，所述第一扫描信号、所述第二扫描信号、所述数据电压信号以及所述感测电压信号均为低电平信号，所述发光信号为高电平信号。根据本揭示一实施例，所述数据电压信号的时序与所述感测电压信号的时序相同，所述第一扫描信号的时序与所述第二扫描信号的时序相同。本揭示实施例还提供一种显示装置，包括如上述的像素驱动电路。本揭示实施例的有益效果：本揭示实施例提供一种像素驱动电路，包括数据写入单元、驱动单元、补偿单元和发光单元，通过在驱动单元增加第一电容，所述第一电容的第一端用于接收所述电源高压信号，所述第一电容的第二端耦接所述第二节点，通过第一电容对驱动单元的耦合作用，减小在不同灰阶状态下驱动单元的数据传输效率，通过较低的数据传输效率实现高低灰阶的切换，从而提高像素驱动电路高低灰阶的切换能力，同时在发光单元的微发光二极管与驱动单元之间增设第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的栅极耦接发光信号，漏极耦接微发光二极管的第一端，保证微发光二极管在发光之前不会受到驱动单元电流波动的影响，提高显示装置的显示效果。附图说明为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是揭示的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本揭示实施例提供的像素驱动电路的框架示意图；图2为本揭示实施例提供的像素驱动电路的结构示意图；图3为本揭示实施例提供的像素驱动电路的时序图；图4为本揭示实施例提供的像素驱动电路的检测数据图。具体实施方式以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本揭示可用以实施的特定实施例。本揭示所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本揭示，而非用以限制本揭示。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。下面结合附图和具体实施例对本揭示做进一步的说明：本揭示实施例提供一种像素驱动电路，下面结合图1至图3进行详细说明。如图1所示，图1为本揭示实施例提供的像素驱动电路的框架示意图，所述像素驱动电路包括数据写入单元110、驱动单元120、补偿单元130和发光单元140。所述数据写入单元110用于接收数据电压信号Vdata和第一扫描信号WR，并与所述驱动单元120耦接于第本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种像素驱动电路，其特征在于，包括数据写入单元、驱动单元、补偿单元和发光单元；/n所述数据写入单元用于接收数据电压信号和第一扫描信号，并与所述驱动单元耦接于第一节点；/n所述驱动单元用于接收电源高压信号，并与所述补偿单元耦接于第二节点；/n所述发光单元用于接收发光信号和电源低压信号，并与所述驱动单元耦接于第三节点；/n其中，所述驱动单元包括第一电容，所述第一电容的第一端用于接收所述电源高压信号，所述第一电容的第二端耦接所述第二节点，所述发光单元包括第一薄膜晶体管和微发光二极管，所述第一薄膜晶体管的栅极用于接收所述发光信号，所述第一薄膜晶体管的源极耦接所述第三节点，所述第一薄膜晶体管的漏极耦接所述微发光二极管的第一端。/n

【技术特征摘要】
1.一种像素驱动电路，其特征在于，包括数据写入单元、驱动单元、补偿单元和发光单元；
所述数据写入单元用于接收数据电压信号和第一扫描信号，并与所述驱动单元耦接于第一节点；
所述驱动单元用于接收电源高压信号，并与所述补偿单元耦接于第二节点；
所述发光单元用于接收发光信号和电源低压信号，并与所述驱动单元耦接于第三节点；
其中，所述驱动单元包括第一电容，所述第一电容的第一端用于接收所述电源高压信号，所述第一电容的第二端耦接所述第二节点，所述发光单元包括第一薄膜晶体管和微发光二极管，所述第一薄膜晶体管的栅极用于接收所述发光信号，所述第一薄膜晶体管的源极耦接所述第三节点，所述第一薄膜晶体管的漏极耦接所述微发光二极管的第一端。


2.如权利要求1所述的像素驱动电路，其特征在于，所述数据写入单元包括第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管的栅极用于接收所述第一扫描信号，所述第二薄膜晶体管的源极用于接收所述数据电压信号，所述第二薄膜晶体管的漏极耦接所述第一节点。


3.如权利要求2所述的像素驱动电路，其特征在于，所述驱动单元还包括第三薄膜晶体管和储存电容，所述第三薄膜晶体管的栅极耦接所述第一节点，所述第三薄膜晶体管的源极用于接收所述电源高压信号，所述第三薄膜晶体管的漏极耦接所述第三节点，所述储存电容的第一端耦接所述第一节点，所述储存电容的第二端耦接所述第二节点。


4.如权利要求3所述的像素驱动电路，其特征在于，所述补偿单元用于接收第二扫描信号和耦接感测电路，所述感测电路用于产生感测电压信号，通过所述补偿单元传输至所述第三薄膜晶体管，用于感测所述第三薄膜晶体管的阈值电压，并对所述阈值电压进行补偿。


5.如权利要求4所述的像素驱动电路，其特征在于，所述补偿单元包括第四薄膜晶体管，所述第四薄膜晶体管的栅极用于接收所述第二扫描信...

【专利技术属性】
技术研发人员：张晓东，韩佰祥，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44