图案化装置制造方法及图纸

一种用于与光刻设备一起使用的图案化装置，该装置包括：被配置为吸收入射辐射并且反射部分入射辐射的吸收器部分，吸收器部分包括第一层和第二层，吸收器部分的第一层包括第一材料，该第一材料与吸收器部分的第二层的第二材料不同；被布置在吸收器部分下方的反射器部分，反射器部分被配置为反射入射辐射；以及被布置在反射器部分与吸收器部分之间的相位调谐部分，相位调谐部分被配置为在由反射器部分反射的辐射与由吸收器部分反射的部分辐射之间引起相移，使得由反射器部分反射的辐射与由吸收器部分反射的部分辐射相消干涉。

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【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】图案化装置相关申请的交叉引用本申请要求于2017年6月1日提交的欧洲专利申请No.17173891.7的优先权，其全部内容通过引用合并于此。
本专利技术涉及一种用于与光刻设备一起使用的图案化装置以及该图案化装置的制造方法。
技术介绍
光刻设备是一种被构造为将期望图案施加到衬底上的机器。光刻设备可以被用于例如集成电路(IC)的制造中。光刻设备可以例如将图案从图案化装置(例如，掩模)投射到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。光刻设备用来将图案投射到衬底上的辐射的波长决定了可以在该衬底上形成的特征的最小尺寸。使用EUV辐射(波长在4-20nm范围内的电磁辐射)的光刻设备可以被用于在衬底上形成比传统光刻设备(例如，可以使用波长为193nm的电磁辐射)更小的特征。图案化装置可以以二元掩模的形式而被提供，其包括在顶部具有反射部分和吸收部分的衬底。吸收部分可以包括约60至70nm的厚度。吸收部分的这种厚度对于光刻设备的性能可能是有问题的。相对于吸收部分的厚度，要被成像的特征的尺寸可能较小，这可能导致复杂的三维衍射或阴影效应。例如，由于EUV辐射在图案化装置上的入射角(可能是非零的)，因此可以在衬底上观察到水平线和竖直线的很大差异，即所谓的H-V差异。另外，吸收部分可以将非远心性引入到由图案化装置投射的辐射。
技术实现思路
根据本专利技术的第一方面，提供了一种用于与光刻设备一起使用的图案化装置，该装置包括：被配置为吸收入射辐射并且反射部分入射辐射的吸收器部分，吸收器部分包括第一层和第二层，吸收器部分的第一层包括第一材料，该第一材料与吸收器部分的第二层的第二材料不同；被布置在吸收器部分下方的反射器部分，反射器部分被配置为反射入射辐射；以及被布置在反射器部分与吸收器部分之间的相位调谐部分，相位调谐部分被配置为在由反射器部分反射的辐射与由吸收器部分反射的部分辐射之间引起相移，使得由反射器部分反射的辐射与由吸收器部分反射的部分辐射相消干涉。通过为吸收器部分提供包括与第二层的第二材料不同的第一材料的第一层，吸收器部分的反射率可以被改变。这允许吸收器部分的厚度相对于包括单个材料的吸收器部分减小。相位调谐部分可以包括被选择为使得由相位调谐部分引起的相移可以在由反射器部分反射的辐射与由吸收器部分反射的部分辐射之间引起相消干涉的材料和/或厚度。第一材料可以包括与第二材料的一个或多个特性不同的一个或多个光学特性。第一材料和第二材料可以被选择为使得吸收器部分的反射率可以低于反射器部分的反射率。第一材料和第二材料可以被选择为使得吸收器部分可以包括在约1％至20％的范围内的反射率。第一材料和第二材料可以被选择为使得吸收器部分的厚度可以等于或小于25nm或30nm。通过选择第一材料和第二材料使得吸收器部分的厚度可以等于或小于25nm或30nm，阴影效应或非远心性效应可以被减小，这可以提高光刻设备的性能。吸收器部分可以包括多个第一层和/或多个第二层。多个第一层中的第一层/每个第一层可以与多个第二层中的第二层/每个第二层交替地布置。第一层/每个第一层和第二层/每个第二层可以被布置为使得由吸收器部分反射的部分辐射可以是同相的，例如，基本上是同相的，或者包括单个相位。第一层/每个第一层的第一材料的折射率和/或吸收系数可以高于第二层/每个第二层的第二材料的折射率和/或吸收系数。第一层和第二层的数目可以被选择以提供吸收器部分的预定反射率。第一材料和第二材料和/或第一层的厚度与第二层的厚度的比率可以被选择以提供预定反射率。相位调谐部分的材料可以与第一层/每个第一层的第一材料或第二层/每个第二层的第二材料或反射器部分的材料相同。这可以促进图案化装置的制造。相位调谐部分的材料可以与第一层/每个第一层的第一材料和/或第二层/每个第二层的第二材料不同。吸收器可以包括第三层和第四层。第三层或第四层中的一者可以被布置在第一层或第二层中的一者上。第三层或第四层中的另一者可以被布置在第三层或第四层中的上述一者上，该第三层或第四层中的上述一者被布置在第一层或第二层中的上述一者上的。第一层和/或第四层可以包括银、钽、氮化钽和镍中的至少一者。第二层和/或第三层可以包括铝和硅中的至少一者。如上所述，通过向吸收器部分提供第三层和/或第四层，图案化装置的一种或多种特性，例如，吸收器部分，可以被调节。例如，吸收器部分的第三层和/或第四层的提供可以改善在光刻设备的辐射和/或氢环境施加在图案化装置上的负荷下图案化装置的稳定性/性能。第三层和/或第四层的提供可以促进图案化装置的清洁和/或检查，例如深紫外线检查。相位调谐部分可以包括钌、硅和钼中的至少一者。吸收器部分可以被布置在相位调谐部分和/或反射器部分上，以形成要通过光刻设备而被投射在衬底上的图案。图案化装置可以被提供用于与包括波长为约13.5nm或约6.7nm的辐射一起使用。根据本专利技术的第二方面，提供了一种制造用于与光刻设备一起使用的图案化装置的方法，该方法包括：形成反射器部分，反射器部分被配置为反射入射辐射；形成吸收器部分，吸收器部分被配置为吸收入射辐射并且反射部分入射辐射，其中反射器部分被形成在吸收器部分下方，吸收器部分包括第一层和第二层，第一层包括第一材料，该第一材料与第二层的第二材料不同；以及在反射器部分与吸收器部分之间形成相位调谐部分，相位调谐部分被配置为在由反射器部分反射的辐射与由吸收器部分反射的部分辐射之间引起相移，使得由反射器部分反射的辐射与由吸收器部分反射的部分辐射相消干涉。根据本专利技术的第三方面，提供了一种根据第一方面的图案化装置与光刻设备的结合使用。根据本专利技术的第四方面，提供了一种方法，该方法包括将图案化辐射束投射到衬底上，其中辐射束由根据第一方面的图案化装置图案化。上面或下面阐述的本专利技术的各个方面和特征可以与本领域技术人员将很清楚的本专利技术的各个其他方面和特征组合。附图说明现在将仅通过示例的方式，参考所附的示意图来描述本专利技术的实施例，在附图中：-图1描绘了根据本专利技术的实施例的包括光刻设备和图案化装置的光刻系统；-图2示意性地描绘了根据本专利技术的实施例的图案化装置；-图3描绘了根据本专利技术的实施例的图案化装置的吸收器部分的反射率的图；-图4描绘了根据本专利技术的实施例的图案化装置的吸收器部分的反射率的曲线图；-图5描绘了根据本专利技术的另一实施例的图案化装置的吸收器部分的反射率的曲线图；-图6描绘了根据本专利技术的另一实施例的图案化装置的吸收器部分的反射率的曲线图；-图7示意性地描绘了根据本专利技术的实施例的图案化装置；以及-图8描绘了根据本专利技术的实施例的制造图案化装置的方法的流程图。具体实施方式图1示出了根据本专利技术的一个实施例的包括图案化装置MA的光刻系统。光刻系统包括辐射源SO和光刻设备LA。辐射源SO被配置为生成极紫外(本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于与光刻设备一起使用的图案化装置，所述装置包括：/n吸收器部分，被配置为吸收入射辐射并且反射部分入射辐射，所述吸收器部分包括第一层和第二层，所述吸收器部分的所述第一层包括第一材料，所述第一材料与所述吸收器部分的所述第二层的第二材料不同，/n反射器部分，被布置在所述吸收器部分下方，所述反射器部分被配置为反射入射辐射；以及/n相位调谐部分，被布置在所述反射器部分与所述吸收器部分之间，所述相位调谐部分被配置为在由所述反射器部分反射的辐射与由所述吸收器部分反射的部分辐射之间引起相移，使得由所述反射器部分反射的辐射与由所述吸收器部分反射的部分辐射相消干涉。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170601 EP 17173891.71.一种用于与光刻设备一起使用的图案化装置，所述装置包括：
吸收器部分，被配置为吸收入射辐射并且反射部分入射辐射，所述吸收器部分包括第一层和第二层，所述吸收器部分的所述第一层包括第一材料，所述第一材料与所述吸收器部分的所述第二层的第二材料不同，
反射器部分，被布置在所述吸收器部分下方，所述反射器部分被配置为反射入射辐射；以及
相位调谐部分，被布置在所述反射器部分与所述吸收器部分之间，所述相位调谐部分被配置为在由所述反射器部分反射的辐射与由所述吸收器部分反射的部分辐射之间引起相移，使得由所述反射器部分反射的辐射与由所述吸收器部分反射的部分辐射相消干涉。


2.根据权利要求1所述的装置，其中所述相位调谐部分包括被选择为使得由所述相位调谐部分引起的所述相移在由所述反射器部分反射的辐射与由所述吸收器部分反射的部分辐射之间引起相消干涉的材料和/或厚度。


3.根据权利要求1或2所述的装置，其中所述第一材料包括与所述第二材料的一个或多个特性不同的一个或多个光学特性。


4.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其中所述第一材料和所述第二材料被选择为使得所述吸收器部分的反射率低于所述反射器部分的反射率。


5.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其中所述第一材料和所述第二材料被选择为使得所述吸收器部分包括在约1％至20％的范围内的反射率。


6.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其中所述第一材料和所述第二材料被选择为使得所述吸收器部分的厚度等于或小于25nm或30nm。


7.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其中所述吸收器部分包括多个第一层和多个第二层。


8.根据权利要求7所述的装置，其中所述多个第一层中的第一层/每个第一层与所述多个第二层中的第二层/每个第二层交替地布置。


9.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其中所述第一层/每个第一层和所述第二层/每个第二层被布置为使得由所述吸收器部分反射的部分辐射同相或包括单个相位。


10.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其中所述第一层/每个第一层的所述第一材料包括高于所述第二层/每个第二层的所述第二材料的折射率和/或吸收系数的折射率和/或吸收系数。


11.根据权利要求7至10中任一项所述的装置，其中第一层和第二层的数目被选择以提供所述吸收器部分的预定反射率。


12.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其中所述第一材料和所述第二材料和/或...

【专利技术属性】
技术研发人员：M·A·范德凯克霍夫，L·C·德温特，E·范塞腾，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL