半导体检查装置制造方法及图纸

检查系统(1)具备：光源(33)；镜(40b)；检流计镜(44a、44b)；壳体(32)，其在内部保持镜(40b)与检流计镜(44a、44b)，且具有用于安装光学元件的安装部(46)；及控制部(21a)，其控制检流计镜(44a、44b)的偏转角；控制部(21a)以在通过检流计镜(44a、44b)及镜(40b)的第1光路(L1)与通过检流计镜(44a、44b)及安装部(46)的第2光路(L2)之间切换与半导体器件(D)光学连接的光路的方式控制偏转角，且以切换为第1光路(L1)时的偏转角与切换为第2光路(L2)时的偏转角不重复的方式控制偏转角。

Semiconductor inspection device

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体检查装置
本专利技术涉及一种检查半导体器件的半导体检查装置。
技术介绍
一直以来，使用一边施加测试信号一边检查半导体器件的装置。例如，在下述专利文献1中已知有具备检流计镜、2条光纤、及可与它们光学地结合的多光纤转盘的装置，一方的光纤与激光扫描模块(以下称为“LSM”)光学地结合，另一方的光纤光学连接于单光子检测器。在这样的装置中，可切换地执行LSM所进行的半导体器件的检查、及单光子检测器所进行的发光测量。现有技术文献专利文献专利文献1：美国专利2009/0295414号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的问题在上述的现有的检查半导体器件的装置中，期望在各光学元件的各个中设定最佳的光学系统。即，当在光学元件中共用光学系统时，有各光学元件中的光路的空间精度降低的倾向。实施方式的目的在于提供一种半导体检查装置。解决问题的技术手段本专利技术的实施方式是一种半导体检查装置。半导体检查装置是检查半导体器件的半导体检查装置，具备：第1光源，其产生照射于半导体器件的光；导光元件，其与第1光源光学连接；一对检流计镜，其设置于可经由导光元件而与第1光源光学连接的位置；壳体，其在内部保持导光元件与一对检流计镜，且具有设置于可与一对检流计镜光学连接的位置的用于安装光学元件的第1安装部；及控制部，其控制一对检流计镜的偏转角；控制部以在通过一对检流计镜及导光元件的第1光路与通过一对检流计镜及第1安装部的第2光路之间切换与半导体器件光学连接的光路的方式控制偏转角，且以切换为第1光路时的偏转角与切换为第2光路时的偏转角不重复的方式控制偏转角。专利技术的效果根据实施方式的半导体检查装置，通过提高多个光学元件中的光路的空间精度而能够高精度地检查半导体器件。附图说明图1是第1实施方式所涉及的检查系统的构成图。图2是显示在图1的光学装置31A中切换为第1检查系统的状态下的结构及第1光路的图。图3是显示在图1的光学装置31A中切换为第2检查系统的状态下的结构及第2光路的图。图4是显示由图1的计算机21的控制部21a控制的一对检流计镜44a、44b的偏转角的变更范围的图。图5是显示第2实施方式所涉及的光学装置31B的结构的图。图6是显示第3实施方式所涉及的光学装置31C的结构的图。图7是显示第4实施方式所涉及的光学装置31D的结构的图。图8是显示由第4实施方式所涉及的计算机21的控制部21a控制的一对检流计镜44a、44b的偏转角的变更范围的图。图9是显示第4实施方式所涉及的光学装置31E的结构的图。图10是显示变形例所涉及的光学装置31F的结构的图。图11是显示变形例所涉及的光学装置31G的结构的图。图12是显示变形例所涉及的光学装置31H的结构的图。图13是显示变形例所涉及的光学装置31I的结构的图。具体实施方式以下，一边参照附图一边针对半导体检查装置的优选的实施方式进行详细的说明。此外，在附图的说明中针对同一或相当部分赋予同一符号，省略重复的说明。[第1实施方式]如图1所示，第1实施方式所涉及的检查系统1是在被检查器件(DUT：DeviceUnderTest(待测器件))即半导体器件D中特定故障部位等的用于检查半导体器件D的半导体检查装置。另外，检查系统1除进行特定故障部位的处理外，也可进行在该故障部位的周围进行显示该故障部位的标记的处理等。利用该标记，在故障解析的后工序中，能够容易地掌握检查系统1所特定的故障部位。作为半导体器件D是例如个别半导体元件(离散式元件)、光电子元件、传感器/致动器、逻辑LSI(LargeScaleIntegration(大规模集成电路))、存储器元件、或线性IC(IntegratedCircuit(集成电路))等、或它们的混合器件等。个别半导体元件包含二极管、功率晶体管等。逻辑LSI由MOS(Metal-Oxide-Semiconductor(金属氧化物半导体))构造的晶体管、双极构造的晶体管等构成。另外，半导体器件D可为包含半导体器件的封装件、复合基板等。半导体器件D通过在基板上形成有金属层而构成。作为半导体器件D的基板，可使用例如硅基板。半导体器件D载置于样品载台40。该检查系统1具备：信号施加部11、计算机21、显示部22、输入部23、及光学装置31A。信号施加部11经由缆线电连接于半导体器件D，对半导体器件D施加刺激信号。信号施加部11是例如测试单元，利用电源(未图示)动作，对半导体器件D重复施加规定的测试图案等的刺激信号。信号施加部11可为施加调制电流信号的信号施加部，也可为施加CW(continuouswave(连续波))电流信号的信号施加部。信号施加部11经由缆线电连接于计算机21，将由计算机21指定的测试图案等的刺激信号施加至半导体器件D。此外，信号施加部11可不一定电连接于计算机21。信号施加部11当不与计算机21电连接时，以单机决定测试图案等的刺激信号，并将该测试图案等的刺激信号施加至半导体器件D。信号施加部11可为产生规定的信号并将其施加至半导体器件D的脉冲产生器。计算机21经由缆线电连接于光学装置31A。计算机21是包含例如处理器(CPU：CentralProcessingUnit(中央处理单元))、以及存储介质即RAM(RandomAccessMemory(随机存取存储器))、ROM(ReadOnlyMemory(只读存储器))及HDD(HardDiskDrive(硬盘))等的计算机。计算机21对于存储于存储介质的数据执行处理器的处理。另外，计算机21可由微电脑或FPGA(Field-ProgrammableGateArray(现场可编程门阵列))、云服务器等构成。计算机21基于自光学装置31A输入的检测信号制作图案图像或解析图像(例如发光图像等)。此处，仅通过解析图像不易特定半导体器件D的图案中的详细的位置。因此，计算机21将使基于来自半导体器件D的反射光的图案图像与半导体器件D的解析图像重叠的重叠图像作为解析图像而产生。另外，计算机21将所制作的解析图像输出至显示部22。显示部22是用于对用户显示解析图像的显示器等的显示装置。显示部22显示所输入的解析图像。在此情况下，用户自显示部22所显示的解析图像中确认故障部位的位置，并将显示故障部位的信息输入至输入部23。输入部23是受理来自用户的输入的键盘及鼠标等的输入装置。输入部23将自用户受理的显示故障部位的信息输入至计算机21。此外，计算机21、显示部22、及输入部23可为智能设备终端。其次，参照图2及图3，针对光学装置31A的结构进行说明。图2是显示在光学装置31A中切换为第1检查系统的状态下的结构及第1光路的图，图3是显示在光学装置31A中切换为第2检查系统的状态下的结构及第2光路的图。如图2及图3所示，光学装置31A具备：壳体32、光源(第1光源)33、光检测器(本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体检查装置，其特征在于，/n是检查半导体器件的半导体检查装置，/n具备：/n第1光源，其产生照射于所述半导体器件的光；/n导光元件，其与所述第1光源光学连接；/n一对检流计镜，其设置于能够经由所述导光元件而与所述第1光源光学连接的位置；/n壳体，其在内部保持所述导光元件与所述一对检流计镜，且具有设置于能够与所述一对检流计镜光学连接的位置的用于安装光学元件的第1安装部；及/n控制部，其控制所述一对检流计镜的偏转角，/n所述控制部以在通过所述一对检流计镜及所述导光元件的第1光路与通过所述一对检流计镜及所述第1安装部的第2光路之间切换与所述半导体器件光学连接的光路的方式控制所述偏转角，/n并且以切换为所述第1光路时的所述偏转角与切换为所述第2光路时的所述偏转角不重复的方式控制所述偏转角。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170602 JP 2017-1099181.一种半导体检查装置，其特征在于，
是检查半导体器件的半导体检查装置，
具备：
第1光源，其产生照射于所述半导体器件的光；
导光元件，其与所述第1光源光学连接；
一对检流计镜，其设置于能够经由所述导光元件而与所述第1光源光学连接的位置；
壳体，其在内部保持所述导光元件与所述一对检流计镜，且具有设置于能够与所述一对检流计镜光学连接的位置的用于安装光学元件的第1安装部；及
控制部，其控制所述一对检流计镜的偏转角，
所述控制部以在通过所述一对检流计镜及所述导光元件的第1光路与通过所述一对检流计镜及所述第1安装部的第2光路之间切换与所述半导体器件光学连接的光路的方式控制所述偏转角，
并且以切换为所述第1光路时的所述偏转角与切换为所述第2光路时的所述偏转角不重复的方式控制所述偏转角。


2.如权利要求1所述的半导体检查装置，其特征在于，
还具备检测来自所述半导体器件的光的第1光检测器，
所述导光元件与所述第1光检测器光学连接。


3.如权利要求1或2所述的半导体检查装置，其特征在于，
还具备检测来自所述半导体器件的光的第2光检测器，
所述第2光检测器通过被安装于所述第1安装部而能够经由所述第2光路检测所述光。


4.如权利要求3所述的半导体检查装置，其特征在于，
所述第2光检测器经由准直透镜及光纤而安装于第1安装部。


5.如权利要求1或2所述的半导体检查装置，其特征在于，
还具备产生照射于所述半导体器件的光的第2光源，
所述第2光源通过被安装于所...

【专利技术属性】
技术研发人员：中村共则，岩城吉刚，
申请(专利权)人：浜松光子学株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP