【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】含铁合金以及相关的系统和方法相关申请本申请根据35U.S.C§119(e)要求于2017年5月4日提交并且题为“ThermallyStableNanocrystallineIronAlloys”的美国临时申请第62/501,240号、和于2018年3月21日提交并且题为“ThermallyStableNanocrystallineIronAlloysandAssociatedSystemsandMethods”的美国临时申请第62/646,282号、和于2018年3月28日提交并且题为“ThermallyStableNanocrystallineIronAlloysandAssociatedSystemsandMethods”的美国临时申请第62/649,178号的优先权;其各自通过引用整体并入本文以用于所有目的。
一般地描述了含铁合金以及相关的系统和方法。
技术介绍
纳米晶体材料可能易受晶粒生长的影响。在某些情况下,用于铁基合金的现有烧结技术使得难以生产具有小晶粒尺寸和高相对密度二者的纳米晶体材料,包括块状纳米晶体材料。期望改进的系统和方法以及相关的金属合金。
技术实现思路
一般地描述了含铁合金以及相关的系统和方法。根据某些实施方案,含铁合金是纳米晶体。根据某些实施方案,含铁合金具有高的相对密度。根据某些实施方案,含铁合金可以是相对稳定的。本文还描述了本专利技术的用于制造含铁合金的方法。根据某些实施方案,本专利技术的用于制造含铁合金的方法可以包括烧结包含铁和至少一种另外的元素(例 ...
【技术保护点】
1.一种纳米晶体金属合金,包含:/nFe;和/n第二元素;/n其中:/nFe是所述纳米晶体金属合金中按原子百分比计最丰富的元素,以及/n所述纳米晶体金属合金的相对密度为至少80%。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170504 US 62/501,240;20180321 US 62/646,282;20181.一种纳米晶体金属合金,包含:
Fe;和
第二元素;
其中:
Fe是所述纳米晶体金属合金中按原子百分比计最丰富的元素,以及
所述纳米晶体金属合金的相对密度为至少80%。
2.一种纳米晶体金属合金,包含:
Fe;和
第二元素;
其中:
所述第二元素和Fe表现出混溶间隙,以及
所述纳米晶体金属合金的相对密度为至少80%。
3.一种纳米晶体金属合金,包含:
Fe;和
第二元素;
其中:
所述第二元素的熔点低于Fe的熔点,以及
所述纳米晶体金属合金的相对密度为至少80%。
4.一种纳米晶体金属合金,包含:
Fe;和
第二元素;
其中:
Fe是所述纳米晶体金属合金中按原子百分比计最丰富的元素,以及
所述纳米晶体金属合金在大于或等于100℃的温度下基本稳定。
5.一种纳米晶体金属合金,包含:
Fe;和
第二元素;
其中:
Fe是块状纳米晶体金属合金中按原子百分比计最丰富的元素,以及
所述纳米晶体金属合金的平均晶粒尺寸小于300nm。
6.一种金属合金,包含:
Fe;和
Mg;
其中所述金属合金的相对密度大于或等于80%。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的金属合金,其中所述第二元素为第二金属。
8.根据权利要求1至6中任一项所述的金属合金,其中所述第二元素为准金属。
9.根据权利要求6所述的金属合金,其中所述金属合金为纳米晶体金属合金。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的金属合金,其中所述金属合金为烧结的金属合金。
11.根据前述权利要求中任一项所述的金属合金,其中所述第二元素选自镁(Mg)、硼(B)、锆(Zr)、金(Au)、铬(Cr)、镍(Ni)、钒(V)、铂(Pt)、铅(Pb)、铜(Cu)、钴(Co)和锡(Sn)。
12.根据前述权利要求中任一项所述的金属合金,其中所述第二元素为镁(Mg)。
13.根据前述权利要求中任一项所述的金属合金,其中所述第二元素以小于所述纳米晶体金属合金的40原子%的量存在于所述纳米晶体金属合金中。
14.根据前述权利要求中任一项所述的金属合金,其中存在于所述金属合金中的镁(Mg)、硼(B)、锆(Zr)、金(Au)、铬(Cr)、镍(Ni)、钒(V)、铂(Pt)、铅(Pb)、铜(Cu)、钴(Co)和锡(Sn)的总量小于所述金属合金的40原子%。
15.根据前述权利要求中任一项所述的金属合金,其中:
存在于所述金属合金中的镁(Mg)、硼(B)、锆(Zr)、金(Au)、铬(Cr)、镍(Ni)、钒(V)、铂(Pt)、铅(Pb)、铜(Cu)、钴(Co)和锡(Sn)的总量小于所述金属合金的40原子%;以及
所述金属合金的余量的至少90原子%为Fe。
16.根据前述权利要求中任一项所述的金属合金,其中所述第二元素以所述纳米晶体金属合金的0.5原子%至30原子%的量存在于所述纳米晶体金属合金中。
17.根据前述权利要求中任一项所述的金属合金,其中存在于所述金属合金中的镁(Mg)、硼(B)、锆(Zr)、金(Au)、铬(Cr)、镍(Ni)、钒(V)、铂(Pt)、铅(Pb)、铜(Cu)、钴(Co)和锡(Sn)的总量为所述金属合金的0.5原子%至40原子%。
18.根据前述权利要求中任一项所述的金属合金,其中:
存在于所述金属合金中的镁(Mg)、硼(B)、锆(Zr)、金(Au)、铬(Cr)、镍(Ni)、钒(V)、铂(Pt)、铅(Pb)、铜(Cu)、钴(Co)和锡(Sn)的总量为所述金属合金的0.5原子%至40原子%;以及
所述金属合金的余量的至少90原子%为Fe。
19.根据前述权利要求中任一项所述的金属合金,其中Fe以至少55原子%的量存在于所述纳米晶体合金中。
20.根据前述权利要求中任一项所述的金属合金,其中所述纳米晶体金属合金为双相金属合金。
21.根据前述权利要求中任一项所述的金属合金,其中所述纳米晶体金属合金还包含与所述第二元素不同的第三元素。
22.根据权利要求21所述的金属合金,其中所述第三元素为金属元素。
23.根据权利要求21所述的金属合金,其中所述第三元素为准金属元素。
24.根据权利要求21所述的金属合金,其中所述第三元素选自硼(B)、锆(Zr)、金(Au)、铬(Cr)、镍(Ni)、钒(V)、铂(Pt)、铅(Pb)、铜(Cu)、钴(Co)和锡(Sn)。
25.根据权利要求21所述的金属合金,其中所述第三元素选自金(Au)和铬(Cr)。
26.根据前述权利要求中任一项所述的金属合金,其中所述第二元素和Fe表现出混溶间隙。
27.根据前述权利要求中任一项所述的金属合金,其中所述纳米晶体金属合金的平均晶粒尺寸小于300nm。
28.根据前述权利要求中任一项所述的金属合金,其中所述纳米晶体金属合金的平均晶粒尺寸小于150nm。
29.根据前述权利要求中任一项所述的金属合金,其中所述纳米晶体金属合金的平均晶粒尺寸小于125nm。
30.根据前述权利要求中任一项所述的金属合金,其中所述纳米晶体金属合金的平均晶粒尺寸小于100nm。
31.根据前述权利要求中任一项所述的金属合金,其中所述纳米晶体金属合金的相对密度为至少80%。
32.根据前述权利要求中任一项所述的金属合金,其中所述纳米晶体金属合金的相对密度为至少85%。
33.根据前述权利要求中任一项所述的金属合金,其中所述纳米晶体金属合金的相对密度为至少90%。
34.根据前述权利要求中任一项所述的金属合金,其中所述纳米晶体金属合金的相对密度为至少95%。
35.根据前述权利要求中任一项所述的金属合金,其中所述纳米晶体金属合金的相对密度为至少97%。
36.根据前述权利要求中任一项所述的金属合金,其中所述纳米晶体金属合金的相对密度为至少99%。
37.根据前述权利要求中任一项所述的金属合金,其中所述纳米晶体金属合金为块状纳米晶体金属合金。
38.根据前述权利要求中任一项所述的金属合金,其中所述纳米晶体金属合金在大于或等于100℃的温度下基本稳定。
39.根据前述权利要求中任一项所述的金属合金,其中所述纳米晶体金属合金在大于或等于300℃的温度下基本稳定。
40.根据前述权利要求中任一项所述的金属合金,其中所述纳米晶体金属合金在大于或等于500℃的温度下基本稳定。
41.根据前述权利要求中任一项所述的金属合金,其中所述纳米晶体金属合金在大于或等于700℃的温度下基本稳定。
42.根据前述权利要求中任一项所述的金属合金,其中所述纳米晶体金属合金在大于或等于900℃的温度下基本稳定。
43.根据前述权利要求中任一项所述的金属合金,其中所述纳米晶体金属合金具有第一晶粒尺寸,并且包含Fe但不存在所述第二元素的烧结材料具有第二晶粒尺寸,所述第一晶粒尺寸小于所述第二晶粒尺寸。
44.根据前述权利要求中任一项所述的金属合金,其中所述金属合金包含Fe、Mg和Cr。
45.根据权利要求44所述的金属合金,其中:
Fe以至少50原子%的量存在于所述金属合金中;
Mg以0.5原子%至30原子%的量存在于所述金属合金中;以及
Cr以0.5原子%至30原子%的量存在于所述金属合金中。
46.根据权利要求44所述的金属合金,其中:
Mg以0.5原子%至30原子%的量存在于所述金属合金中;
Cr以0.5原子%至30原子%的量存在于所述金属合金中;以及
所述金属合金的余量的至少90原子%为Fe。
47.根据权利要求44所述的金属合金,其中:
Mg以0.5原子%至1.5原子%的量存在于所述金属合金中;
Cr以25原子%至30原子%的量存在于所述金属合金中;以及
所述金属合金的余量的至少90原子%为Fe。
48.根据前述权利要求中任一项所述的金属合金,其中所述金属合金包含Fe、Mg和Au。
49.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员:多尔·阿姆拉姆,克里斯多佛·A·舒,
申请(专利权)人:麻省理工学院,
类型:发明
国别省市:美国;US
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