自旋随机存储器及方法技术

本申请提供的自旋随机存储器及方法，通过在每个存储分区中设置第二磁性隧道结，第二磁性隧道结通过电流控制保持反平行态，进而可以检测每个存储分区的温度，然后传输给控制电路，从而控制电路基于接收的温度输出读写控制信号，控制读写的电压，即当温度过高时，降低写电压、增大读电压；反之亦然，进而解决了自旋随机存储器的在低温区的写操作失败以及高温区的读错误问题，加大自旋随机存储器的可靠性工作范围，提高自旋随机存储器的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
自旋随机存储器及方法
本申请涉及存储器
，更具体的，涉及一种自旋随机存储器及方法。
技术介绍
目前的自旋随机存储器存在使用寿命短、读写操作错误率较高以及易受工作温度影响等问题，具有诸多不足。
技术实现思路
为了解决上述诸多不足中的至少一个，本申请提供一种自旋随机存储器，包括：多个存储分区；其中，每个存储分区包括：多个第一磁性隧道结和至少一个第二磁性隧道结；读写电路，与所述第一磁性隧道结电连接；温度控制电路，向所述第二磁性隧道结导入一设定电流，进而使所述第二磁性隧道结保持反平行态；控制电路，所述控制电路根据第二磁性隧道结输出的电信号生成当前温度值，并根据所述当前温度值输出读写电压控制信号，以控制所述读写电路输入至所述第一磁性隧道结的电压值，进而调节对应存储分区的当前温度。在某些实施例中，所述第二磁性隧道结的数量为多个，多个所述第二磁性隧道结串联设置。在某些实施例中，所述控制电路根据所述当前温度值输出读写电压控制信号，包括：所述控制电路将所述当前温度值与设定温度值进行本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种自旋随机存储器，其特征在于，包括：/n多个存储分区；其中，每个存储分区包括：多个第一磁性隧道结和至少一个第二磁性隧道结；/n读写电路，与所述第一磁性隧道结电连接；/n温度控制电路，向所述第二磁性隧道结导入一设定电流，进而使所述第二磁性隧道结保持反平行态；/n控制电路，所述控制电路根据第二磁性隧道结输出的电信号生成当前温度值，并根据所述当前温度值输出读写电压控制信号，以控制所述读写电路输入至所述第一磁性隧道结的电流的电压值，进而调节对应存储分区的当前温度。/n

【技术特征摘要】
1.一种自旋随机存储器，其特征在于，包括：
多个存储分区；其中，每个存储分区包括：多个第一磁性隧道结和至少一个第二磁性隧道结；
读写电路，与所述第一磁性隧道结电连接；
温度控制电路，向所述第二磁性隧道结导入一设定电流，进而使所述第二磁性隧道结保持反平行态；
控制电路，所述控制电路根据第二磁性隧道结输出的电信号生成当前温度值，并根据所述当前温度值输出读写电压控制信号，以控制所述读写电路输入至所述第一磁性隧道结的电流的电压值，进而调节对应存储分区的当前温度。


2.根据权利要求1所述的自旋随机存储器，其特征在于，所述第二磁性隧道结的数量为单个或多个串联设置。


3.根据权利要求1所述的自旋随机存储器，其特征在于，所述控制电路根据所述当前温度值输出读写电压控制信号，包括：
所述控制电路将所述当前温度值与设定温度值进行比对，若所述温度值高于所述设定温度值，则输出第一读写电压控制信号，以控制存储区写入电路电压降低，读出电路电压升高，进而降低对应存储区的温度，反之若所述温度值低于所述设定温度值，则输出第二读写电压控制信号，以控制存储区写入电路电压升高，读出电路电压降低，进而升高对应存储区的温度。


4.根据权利要求1所述的自旋随机存储器，其特征在于，所述控制电路根据所述当前温度值输出读写电压控制信号，包括：
所述控制电路根据预设的温度值与输出读写电压的对应关系，输出所述读写电压控制信号，以控制所述读写电路输出对应所述当前温度值的电压。


5.根据权利要求1所述的自旋随机存储器，其特征在于，所述读写电路包括与每个第一磁性隧道结一一对应的读写电路单元；每个所述读写电路单元包括：
两个P型晶体管、两个N型晶体管以及开关元件；
其中一个P型晶体管与其中一个N型晶体管并联连接在对应的第一磁性隧道结的一端，另外一个P型晶体管与另一个N型晶体管并联连接在开关元件的一端，所述开关元件的另一端与对应的第一磁性隧道结的另一端电连接。


6.一种利用如权利要求1所述的自旋随机存储器进行温度控制方法，其特征在于，包括：
向所述第二磁性...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵巍胜，闫韶华，蔡文龙，曹凯华，邓尔雅，
申请(专利权)人：北京航空航天大学，
类型：发明
国别省市：北京;11