一种单向可控硅短路保护电路及电子设备制造技术

本发明专利技术公开一种单向可控硅短路保护电路及电子设备，涉及保护电路技术领域，包括：第一电阻、第二电阻、电容和晶闸管，其中，第一电阻的一端同时连接第二电阻的一端及被保护的至少一个MOS管的源极，第一电阻的另一端同时连接电容的一端、晶闸管的阴极并接地；所述第二电阻的另一端同时连接电容的另一端和晶闸管的门极；所述晶闸管的阳极连接被保护的至少一个MOS管的栅极；通过外围电路，增加简单的晶闸管电路，此电路简单，与原电路搭配，解决恒压方案，驱动MOS做调光时，短路起到保护作用。

One way thyristor short circuit protection circuit and electronic equipment

【技术实现步骤摘要】
一种单向可控硅短路保护电路及电子设备
本专利技术涉及保护电路
，尤其涉及一种单向可控硅短路保护电路及电子设备。
技术介绍
LED具有响应速度快、低功耗、节能、寿命长等显著优点；LED驱动及保护技术随着LED应用技术的发展而快速发展；如图1所示，现有产品恒压驱动两路MOS，调制占空比进行调光方案，在未增加短路保护方式时，未能实现短路保护功能；在电源输出端用模块控制MOS来实现调光调色功能，使得模块的信号打开输出，MOS管导通灯亮，这时如果将输出正负短接，MOS-DS管脚电流急剧上升，MOS管G基未关闭，则MOS管一直处于开通状态，MOS功率剧增，导致烧坏MOS；因此，目前急需一种保护电路，实现对MOS管的保护。
技术实现思路
本专利技术针对
技术介绍
的问题提供一种单向可控硅短路保护电路及电子设备，以解决或者至少部分地缓解现有技术中存在的上述问题。为了实现上述目的，本专利技术提出一种单向可控硅短路保护电路，包括：第一电阻、第二电阻、电容和晶闸管，其中，第一电阻的一端同时连接第二电阻的一端及被保护的至少一个MOS管的源极，第一电阻的另一端同时连接电容的一端、晶闸管的阴极并接地；所述第二电阻的另一端同时连接电容的另一端和晶闸管的门极；所述晶闸管的阳极连接被保护的至少一个MOS管的栅极。优选地，所述晶闸管的阳极与被保护的至少一个MOS管的栅极之间还设置有二极管。优选地，所述二极管的阴极连接晶闸管的阳极，所述二极管的阳极连接被保护的至少一个MOS管的栅极。优选地，所述第一电阻采用贴片电阻。优选地，所述电容采用贴片电容。优选地，所述晶闸管采用SCR单相晶闸管。本专利技术还提出一种电子设备，包括如所述的单向可控硅短路保护电路。本专利技术提出一种单向可控硅短路保护电路及电子设备，通过外围电路，增加简单的晶闸管电路，此电路简单，与原电路搭配，解决恒压方案，驱动MOS做调光时，短路起到保护作用。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。图1为本专利技术一种实施例中现有技术电路原理图；图2为本专利技术一种实施例中单向可控硅短路保护电路原理图；图3为本专利技术一种实施例中电子设备结构图；本专利技术目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。需要说明，若本专利技术实施例中有涉及方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)，则该方向性指示仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。另外，若本专利技术实施例中有涉及“第一”、“第二”等的描述，则该“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本专利技术要求的保护范围之内。本专利技术提出一种单向可控硅短路保护电路；本专利技术第一优选实施例中，如图2所示，包括：第一电阻R36、第二电阻ROC、电容C7和晶闸管SCR1，其中，第一电阻R36的一端同时连接第二电阻ROC的一端及被保护的5个MOS管(Q2、Q3、Q4、Q5、Q6)的源极，第一电阻R36的另一端同时连接电容C7的一端、晶闸管SCR1的阴极并接地；所述第二电阻ROC的另一端同时连接电容C7的另一端和晶闸管SCR1的门极；所述晶闸管SCR1的阳极连接被保护的5个MOS管(Q2、Q3、Q4、Q5、Q6)的栅极；所述晶闸管SCR1的阳极与被保护的5个MOS管的栅极之间还设置有二极管(D6、D7、D8、D9、D10)；本专利技术实施例中，所述二极管D8的阴极连接晶闸管SCR1的阳极，所述二极管D8的阳极连接被保护的MOS管Q6的栅极；所述二极管D7的阴极连接晶闸管SCR1的阳极，所述二极管D7的阳极连接被保护的MOS管Q5的栅极；所述二极管D6的阴极连接晶闸管SCR1的阳极，所述二极管D6的阳极连接被保护的MOS管Q4的栅极；所述二极管D9的阴极连接晶闸管SCR1的阳极，所述二极管D9的阳极连接被保护的MOS管Q3的栅极；所述二极管D10的阴极连接晶闸管SCR1的阳极，所述二极管D10的阳极连接被保护的MOS管Q2的栅极；本专利技术实施例中，第一电阻R36采用25120.2R贴片电阻，第二电阻ROC采用08051K，电容C7采用0805102贴片电容，晶闸管SCR1采用SCR单相晶闸管；本专利技术实施例中，当输出短路时，第一电阻R36两端电流上升，在第一电阻R36形成压降出发晶闸管SCR1导通，此时，晶闸管1脚(阳极)、2脚(阴极)导通，将MOS管(Q2、Q3、Q4、Q5、Q6)的G基电压拉低，关闭MOS(Q2、Q3、Q4、Q5、Q6)管，使MOS管(Q2、Q3、Q4、Q5、Q6)DS管脚没有电流，保护MOS管(Q2、Q3、Q4、Q5、Q6)；本专利技术还提出一种电子设备；本专利技术第二优选实施例中，如图3所示，包括如所述的单向可控硅短路保护电路，此处具体的电路结构已在上文详细阐述，此处不再复述；本专利技术提出一种单向可控硅短路保护电路及电子设备，通过外围电路，增加简单的晶闸管电路，此电路简单，与原电路搭配，解决恒压方案，驱动MOS做调光时，短路起到保护作用。以上所述仅为本专利技术的优选实施例，并非因此限制本专利技术的专利范围，凡是在本专利技术的专利技术构思下，利用本专利技术说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的
均包括在本专利技术的专利保护范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种单向可控硅短路保护电路，其特征在于，包括：第一电阻、第二电阻、电容和晶闸管，其中，第一电阻的一端同时连接第二电阻的一端及被保护的至少一个MOS管的源极，第一电阻的另一端同时连接电容的一端、晶闸管的阴极并接地；所述第二电阻的另一端同时连接电容的另一端和晶闸管的门极；所述晶闸管的阳极连接被保护的至少一个MOS管的栅极。/n

【技术特征摘要】
1.一种单向可控硅短路保护电路，其特征在于，包括：第一电阻、第二电阻、电容和晶闸管，其中，第一电阻的一端同时连接第二电阻的一端及被保护的至少一个MOS管的源极，第一电阻的另一端同时连接电容的一端、晶闸管的阴极并接地；所述第二电阻的另一端同时连接电容的另一端和晶闸管的门极；所述晶闸管的阳极连接被保护的至少一个MOS管的栅极。


2.根据权利要求1所述的单向可控硅短路保护电路，其特征在于，所述晶闸管的阳极与被保护的至少一个MOS管的栅极之间还设置有二极管。


3.根据权利要求2所述的单向可控硅短路保护电...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡源洲，郑昌德，
申请(专利权)人：广东明丰电源电器实业有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44