一种反极性AlGaInP四元LED芯片的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种反极性AlGaInP四元LED芯片的制备方法，包括步骤如下：(1)在衬底上依次生长重掺N型层、量子阱层、P型层；(2)粗化P型层的表面；(3)在P型层的表面制备透明导电薄膜或复合薄膜；(4)在透明导电薄膜或复合薄膜上制备玻璃层；(5)去除衬底，(6)刻蚀重掺N型层、量子阱层、P型层，露出对应P电极的透明导电薄膜或复合薄膜；(7)在露出的透明导电薄膜或复合薄膜上制备P电极，在重掺N型层上制备N电极；(8)对玻璃层进行研磨；(9)切割，即得。本发明专利技术利用低温玻璃粉，形成出光层，该层既作为基底支撑，又作为光出射层，此工艺方式不需要高压键合，不需要永久基板键合。

A preparation method of reverse polarity AlGaInP Quad LED chip

【技术实现步骤摘要】
一种反极性AlGaInP四元LED芯片的制备方法
本专利技术涉及一种反极性AlGaInP四元LED芯片的制备方法，适用于反极性芯片、miniled芯片制备，属于光电子

技术介绍
LED作为21世纪的照明新光源，同样亮度下，半导体灯耗电仅为普通白炽灯的l/10，而寿命却可以延长100倍。LED器件是冷光源，光效高，工作电压低，耗电量小，体积小，可平面封装，易于开发轻薄型产品，结构坚固且寿命很长，光源本身不含汞、铅等有害物质，无红外和紫外污染，不会在生产和使用中产生对外界的污染。因此，半导体灯具有节能、环保、寿命长等特点，如同晶体管替代电子管一样，半导体灯替代传统的白炽灯和荧光灯，也将是大势所趋。无论从节约电能、降低温室气体排放的角度，还是从减少环境污染的角度，LED作为新型照明光源都具有替代传统照明光源的极大潜力。AlGaInP材料体系最初是被用来制造可见光的激光二极管，首先由日本研究人员在二十世纪八十年代中期提出。那个时期的LED及LD器件，通常使用与GaAs衬底匹配的Ga0.5In0.5P作为有源发光区，发光波长为650nm，在四元本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种反极性AlGaInP四元LED芯片的制备方法，其特征在于，包括步骤如下：/n(1)在衬底上依次生长重掺N型层、量子阱层、P型层；/n(2)粗化所述P型层的表面；/n(3)在所述P型层的表面制备透明导电薄膜或复合薄膜；/n(4)在所述透明导电薄膜或复合薄膜上制备玻璃层；/n(5)去除所述衬底，/n(6)刻蚀所述重掺N型层、所述量子阱层、所述P型层，露出对应P电极的透明导电薄膜或复合薄膜；/n(7)在露出的透明导电薄膜或复合薄膜上制备P电极，在所述重掺N型层上制备N电极；/n(8)对所述玻璃层进行研磨；/n(9)切割，获得独立的反极性AlGaInP四元LED芯片。/n

【技术特征摘要】
1.一种反极性AlGaInP四元LED芯片的制备方法，其特征在于，包括步骤如下：
(1)在衬底上依次生长重掺N型层、量子阱层、P型层；
(2)粗化所述P型层的表面；
(3)在所述P型层的表面制备透明导电薄膜或复合薄膜；
(4)在所述透明导电薄膜或复合薄膜上制备玻璃层；
(5)去除所述衬底，
(6)刻蚀所述重掺N型层、所述量子阱层、所述P型层，露出对应P电极的透明导电薄膜或复合薄膜；
(7)在露出的透明导电薄膜或复合薄膜上制备P电极，在所述重掺N型层上制备N电极；
(8)对所述玻璃层进行研磨；
(9)切割，获得独立的反极性AlGaInP四元LED芯片。


2.根据权利要求1所述的一种反极性AlGaInP四元LED芯片的制备方法，其特征在于，所述步骤(4)，在所述透明导电薄膜或复合薄膜上制备玻璃层，包括：
A、将低温玻璃粉与高纯水调成膏状混合物；低温玻璃粉与高纯水的质量体积比为(1:0.5)-(1：5)；
B、将膏状混合物涂敷在所述透明导电薄膜或复合薄膜上，厚度为1-2mm；
C、按照以下步骤进行玻璃粉固化，形成玻璃层；包括：
①在86℃的恒温条件下，静置5-10min；
②在3-5min时间内升温至115℃，在115℃的恒温条件下，静置3-5min；
③在5min时间内升温至200℃，在200℃的恒温条件下，静置5min；
④在5min时间内升温至350-450℃，在350-450℃的恒温条件下，静置30-60min；
⑤在20min时间内升温至200℃，取出，即得。


3.根据权利要求1所述的一种反极性AlGaInP四元LED芯片的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)，粗化所述P型层的表面，包括：利用HF、HNO3和CH3COOH的混合腐蚀液，在腐蚀液25-35℃温度条件下，浸泡所述P型层3...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭璐，张兆梅，厉夫吉，王成新，
申请(专利权)人：山东浪潮华光光电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37