基片处理装置、基片处理系统和基片处理方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供能够在处理基片时减少气氛调节气体的使用量的技术。本发明专利技术的一个方式的基片处理装置具有基片处理部、隔壁部、第一气体供给部和第二气体供给部。基片处理部对基片实施液体处理。隔壁部将从基片被送入的送入送出口到基片处理部的第一空间与第一空间以外的第二空间之间分隔开。第一气体供给部与隔壁部连接，对第一空间供给调节气氛的气氛调节气体。第二气体供给部与隔壁部中的与第一气体供给部不同的部位连接，向第一空间供给上述气氛调节气体。

Substrate processing device, substrate processing system and substrate processing method

【技术实现步骤摘要】
基片处理装置、基片处理系统和基片处理方法
本专利技术涉及基片处理装置、基片处理系统和基片处理方法。
技术介绍
一直以来，在处理半导体晶片(以下称为晶片。)等的基片的基片处理装置中，对箱体内供给使用FFU(FanFilterUnit，风机过滤单元)清洁化后的大气气氛(例如参照专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2001-319845号公报
技术实现思路
专利技术想要解决的技术问题本专利技术提供能够减少处理基片时的气氛调节气体的使用量的技术。用于解决技术问题的技术方案本专利技术的一个方式的基片处理装置具有基片处理部、隔壁部、第一气体供给部和第二气体供给部。基片处理部对基片实施液体处理。隔壁部将从上述基片被送入的送入送出口到上述基片处理部的第一空间与上述第一空间以外的第二空间之间分隔开。第一气体供给部与上述隔壁部连接，对上述第一空间供给调节气氛的气氛调节气体。第二气体供给部与上述隔壁部中的与上述第一气体供给部不同的部位连接，向上述第一空间供给上述气氛调节气体。专利技术效果根据本专利技术，能够减少处理基片时的气氛调节气体的使用量。附图说明图1是表示实施方式的基片处理系统的概要结构的示意图。图2是表示实施方式的处理单元的结构的俯视图。图3是图2的A-A截面图。图4是图2的B-B截面图。图5是用于说明实施方式的上板部和扫描上部板的结构的示意图。图6A是表示实施方式的液体处理的一个工序的示意图(1)。图6B是表示实施方式的液体处理的一个工序的示意图(2)。图6C是表示实施方式的液体处理的一个工序的示意图(3)。图6D是表示实施方式的液体处理的一个工序的示意图(4)。图6E是表示实施方式的液体处理的一个工序的示意图(5)。图6F是表示实施方式的液体处理的一个工序的示意图(6)。图6G是表示实施方式的液体处理的一个工序的示意图(7)。图6H是表示实施方式的液体处理的一工序的示意图(8)。图7是表示实施方式的液体处理整体的处理顺序的流程图。图8是表示实施方式的液体处理的详细处理顺序的流程图。附图标记说明W晶片(基片的一例)1基片处理系统15运送部(共用运送通路的一例)16处理单元(基片处理装置的一例)17基片运送装置(运送机构的一例)20箱体21送入送出口30基片处理部31基片保持部32支柱部33承液罩体34回收罩体40隔壁部41上板部41a贯通孔41b凸部42侧壁部43间隙填充部44第一气体供给部45第二气体供给部50液体供给部51处理液喷嘴60扫描上部板A1第一空间A2第二空间。具体实施方式以下，参照附图，详细说明本专利技术的基片处理装置、基片处理系统和基片处理方法的实施方式。另外，本专利技术不限定于以下所示的实施方式。此外，附图是示意性的，各部位的尺寸关系、各部件的比率等可能与现实不同。而且，在附图之间，也可能含有彼此的尺寸关系、比率不同的部分。一直以来，在处理晶片等的基片的基片处理装置中，对箱体内供给使用FFU清洁化后的大气气氛。另一方面，根据处理的不同，有时不是供给大气气氛，而是将晶片周围的气氛调节为低湿度、低氧浓度等规定的条件。但是，在用将气氛调节为规定的条件的气体(以下称为气氛调节气体)来调节箱体的内部整体的气氛时，该气氛调节气体的使用量可能增大。于是，期待减少在处理晶片时的气氛调节气体的使用量。<基片处理系统的概要>首先，参照图1说明实施方式的基片处理系统1的概要结构。图1是表示实施方式的基片处理系统1的概要结构的示意图。以下，为了明确位置关系，规定彼此正交的X轴、Y轴和Z轴，使Z轴正方向为铅垂向上方向。如图1所示，基片处理系统1具有送入送出工作台2和处理工作台3。送入送出工作台2和处理工作台3邻接设置。送入送出工作台2具有载体载置部11和运送部12。在载体载置部11，载置将多个基片、在实施方式中是半导体晶片W(以下称为晶片W)、以水平状态收纳的多个载体C。晶片W是基片的一例。运送部12与载体载置部11邻接设置，在内部具有基片运送装置13和交接部14。基片运送装置13具有保持晶片W的晶片保持机构。此外，基片运送装置13能够进行向水平方向和铅垂方向的移动以及以铅垂轴为中心的旋转，使用晶片保持机构在载体C与交接部14之间进行晶片W的运送。处理工作台3与运送部12邻接设置。处理工作台3具有运送部15和多个处理单元16。多个处理单元16在运送部15的两侧排列设置。运送部15是共用运送通路的一例，处理单元16是基片处理装置的一例。运送部15在内部具有基片运送装置17。基片运送装置17是运送机构的一例，具有保持晶片W的晶片保持机构。此外，基片运送装置17能够进行向水平方向和铅垂方向的移动以及以铅垂轴为中心的旋转，使用晶片保持机构在交接部14与处理单元16之间进行晶片W的运送。处理单元16对由基片运送装置17运送的晶片W进行规定的液体处理。处理单元16的详情在后面叙述。此外，基片处理系统1具有控制装置4。控制装置4例如是计算机，具有控制部18和存储部19。在存储部19存储有控制在基片处理系统1中执行的各种处理的程序。控制部18将存储于存储部19的程序读出而执行从而控制基片处理系统1的动作。另外，该程序可以记录在能够由计算机读取的存储介质中，也可以从该存储介质向控制装置4的存储部19安装。作为能够由计算机读取的存储介质，例如有硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、光磁盘(MO)、存储卡等。在以上述方式构成的基片处理系统1中，首先，送入送出工作台2的基片运送装置13从载置于载体载置部11的载体C取出晶片W，将取出的晶片W载置至交接部14。载置于交接部14的晶片W由处理工作台3的基片运送装置17从交接部14取出，向处理单元16送入。送入了处理单元16的晶片W由处理单元16处理后，由基片运送装置17从处理单元16送出，载置至交接部14。然后，载置于交接部14的处理完成的晶片W，利用基片运送装置13返回载体载置部11的载体C。<处理单元的概要>接着，参照图2～图4说明处理单元16的概要。图2是表示实施方式的处理单元16的结构的俯视图，图3是图2的A-A截面图，图4是图2的B-B截面图。另外，为了容易理解，图3和图4中表示了晶片W被送入的状态，并且在图4中省略了LM(LinearMotion，线性运动)引导件53的图示。如图2所示，处理单元16具有箱体20、基片处理部30、隔壁部40、液体供给部50和扫描上部板60。箱体20收纳基片处理部30、隔壁部40、本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：/n对基片实施液体处理的基片处理部；/n将从用于送入所述基片的送入送出口到所述基片处理部为止的第一空间与所述第一空间以外的第二空间之间分隔开的隔壁部；/n与所述隔壁部连接的、向所述第一空间供给调节气氛的气氛调节气体的第一气体供给部；和/n与所述隔壁部中的与所述第一气体供给部不同的部位连接的、向所述第一空间供给所述气氛调节气体的第二气体供给部。/n

【技术特征摘要】
20180629 JP 2018-1238311.一种基片处理装置，其特征在于，包括：
对基片实施液体处理的基片处理部；
将从用于送入所述基片的送入送出口到所述基片处理部为止的第一空间与所述第一空间以外的第二空间之间分隔开的隔壁部；
与所述隔壁部连接的、向所述第一空间供给调节气氛的气氛调节气体的第一气体供给部；和
与所述隔壁部中的与所述第一气体供给部不同的部位连接的、向所述第一空间供给所述气氛调节气体的第二气体供给部。


2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
所述第一气体供给部和所述第二气体供给部与所述隔壁部中的与所述基片相对的位置连接。


3.如权利要求2所述的基片处理装置，其特征在于：
所述隔壁部具有覆盖所述基片的上方的上板部和包围所述基片的侧方的侧壁部，
所述第一气体供给部和所述第二气体供给部与所述上板部连接。


4.如权利要求3所述的基片处理装置，其特征在于：
所述第一气体供给部与所述基片的中心部上方的所述上板部连接，所述第二气体供给部与所述基片的外周部上方的所述上板部连接。


5.如权利要求3或4所述的基片处理装置，其特征在于：
还包括液体供给部，其具有向所述基片排出处理液的处理液喷嘴，
在所述上板部形成有供所述处理液喷嘴插通其中的贯通孔。


6.如权利要求5所述的基片处理装置，其特征在于：
所述第一气体供给部与所述贯通孔的内壁连接。


7.如权利要求5所述的基片处理装置，其特征在于：
所述贯通孔形成为从与所述基片的中心部相对的位置延伸至与所述基片的外周部...

【专利技术属性】
技术研发人员：梅﨑翔太，池田义谦，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP