【技术实现步骤摘要】
用于硅光子互连的激光组件封装相关申请的交叉引用本申请涉及由AshkanSeyedi(阿什肯赛义迪)、MarcoFiorentino(马尔科菲奥伦蒂诺)、GezaKurczveil(格察库兹韦尔)和RaymondG.Beausoleil(雷蒙德G.博索莱伊)于2018年4月16日提交的名称为“CombLaserArraysforDWDMInterconnects(用于DWDM互连的梳状激光器阵列)”的美国申请15/953,765。美国申请15/953,765的公开内容通过引用结合在此。
技术介绍
术语“激光”是通过辐射受激发射的光放大的首字母缩写词。当某些材料(例如,晶体、气体或玻璃)中的原子中的电子吸收来自能量源(例如,电流或另一激光器)的能量时,可以产生激光。由于这种能量吸收,电子从基态移动到激发态。当电子返回到基态时,电子发射具有相对离散波长的光子。在光纤中,激光可以用作信号传输的介质。光纤电缆提供高带宽、低功率损耗、抗电磁干扰、以及可用于各种应用的其他特性。附图说明本专利技术的各种特征和优点将通过参考附图仅通过示例的方式给出的本专利技术的示例的以下描述而变得显而易见,在附图中:图1是用于激光二极管的示例封装方案的截面视图。图2是用于激光组件的第一示例封装方案的截面视图。图3是用于激光组件的第二示例封装方案的截面视图。图4是根据一个示例的用于激光组件和SiP的金属焊盘的示例安排的自顶向下视图。图5是根据一个示例的用于激光组件、SiP和透镜组件的金属焊盘的示 ...
【技术保护点】
1.一种方法,包括:/n将激光组件的输出侧与硅中介层(SiP)的输入侧抵靠放置,使得定位在所述激光组件的所述输出侧上的多个焊盘中的每个焊盘与对应的焊料凸点相接触,所述对应的焊料凸点还与定位在所述SiP的所述输入侧上的相应焊盘相接触,其中,所述激光组件包括激光二极管并且被配置用于从所述输出侧发射激光,并且其中,所述SiP包括被配置用于将所述激光重定向通过所述SiP的硅层的输入光栅;/n将所述焊料凸点加热到至少第一温度,在所述第一温度下,所述焊料凸点从固相变为液相;/n当所述焊料凸点处于液相时,使所述焊料凸点的毛细力将所述激光组件与所述SiP重新对准;以及/n将所述焊料凸点冷却到低于所述第一温度的第二温度,使得所述焊料凸点从液相变为固相,其中,在冷却完成时所述焊料凸点将所述激光组件耦接至所述SiP。/n
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
20180629 US 16/023,5961.一种方法,包括:
将激光组件的输出侧与硅中介层(SiP)的输入侧抵靠放置,使得定位在所述激光组件的所述输出侧上的多个焊盘中的每个焊盘与对应的焊料凸点相接触,所述对应的焊料凸点还与定位在所述SiP的所述输入侧上的相应焊盘相接触,其中,所述激光组件包括激光二极管并且被配置用于从所述输出侧发射激光,并且其中,所述SiP包括被配置用于将所述激光重定向通过所述SiP的硅层的输入光栅;
将所述焊料凸点加热到至少第一温度,在所述第一温度下,所述焊料凸点从固相变为液相;
当所述焊料凸点处于液相时,使所述焊料凸点的毛细力将所述激光组件与所述SiP重新对准;以及
将所述焊料凸点冷却到低于所述第一温度的第二温度,使得所述焊料凸点从液相变为固相,其中,在冷却完成时所述焊料凸点将所述激光组件耦接至所述SiP。
2.如权利要求1所述的方法,其中,所述激光组件被配置用于沿输出方向从所述输出侧发射所述激光,所述输出方向与所述输出侧的表面法向量的方向相差二十度或更小。
3.如权利要求1所述的方法,其中,所述激光组件的所述输出侧包括输出光栅,所述激光组件被配置用于通过所述输出光栅来输出所述激光,并且其中,当冷却完成时,所述激光组件的所述输出光栅与所述SiP的所述输入光栅之间的距离小于100微米。
4.如权利要求1所述的方法,其中,定位在所述激光组件的所述输出侧上的所述焊盘与所述输出光栅的周边的至少三条边缘相邻。
5.如权利要求1所述的方法,其中,
定位在所述激光组件的所述输出侧上的所述焊盘之一被配置用于充当第一电极以向所述激光组件供应电流;
与被配置用于充当所述第一电极的所述焊盘相接触的焊料凸点还与定位在所述SiP的所述输入侧上的相应焊盘相接触;并且
所述相应焊盘与穿过所述SiP的硅通孔(TSV)相接触。
6.如权利要求5所述的方法,其中,定位在所述激光组件的所述输出侧上的所述焊盘之一被配置用于充当阳极,并且定位在所述激光组件的所述输出侧上的所述焊盘之一被配置用于充当阴极,以便向所述激光组件供应所述电流。
7.如权利要求1所述的方法,其中,
定位在所述激光组件的所述输出侧上的所述焊盘之一被配置用于充当第一电极以向所述激光组件供应电流;
所述激光组件进一步包括定位在所述激光组件的第二侧上的端子;并且
所述端子被配置用于充当第二电极以向所述激光组件供应所述电流。
8.如权利要求7所述的方法,进一步包括:
将导线的第一端焊接到定位在所述SiP的所述输入侧上的附加焊盘,其中,所述附加焊盘与穿过所述SiP的硅通孔(TSV)相接触;以及
将所述导线的第二端焊接到定位在所述激光组件的所述第二侧上的所述端子。
9.如权利要求1所述的方法,其中,所述SiP包括被配置用于测量与所述激光相关联的量的至少一个传感器。
10.如权利要求1所述的方法,其中,所述激光二极管被配置用于产生具有第一光谱带宽的激光,并且其中,所述激光组件包括第二激光二极管,所述第二激光二极管被配置用于产生具有第二光谱带宽的激光。
技术研发人员:阿什肯·赛义迪,马尔科·菲奥伦蒂诺,格察·库兹韦尔,雷蒙德·G·博索莱伊,
申请(专利权)人:慧与发展有限责任合伙企业,
类型:发明
国别省市:美国;US
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