一种BMS电源开关控制电路制造技术

本实用新型专利技术提出一种BMS电源开关控制电路，包括外部开关(S1)、场效应管MOSFET(Q1)、隔离光耦合器(U1)、整流二极管(D1)、第一分压电阻(R1)、第二分压电阻(R2)、第四分压电阻(R4)、第五分压电阻(R5)、限流电阻(R3)、下拉电阻(R6)、旁路电容(C1)、滤波电感(L1)、滤波电容(C2)、稳压二极管(D2)、微控制单元MCU(U2)。本实用新型专利技术解决了现有的BMS与电源连接后始终带电、消耗电量的问题，同时，可具备定时关机功能，在实现电源开关控制基础上，具有多种控制方式进行关断操作。

A BMS power switch control circuit

【技术实现步骤摘要】
一种BMS电源开关控制电路
本技术属于锂电池储能系统的BMS(电池管理系统)
，尤其是涉及一种BMS的电源开关控制电路。
技术介绍
锂电池储能系统中，BMS即电池管理系统是其中非常重要的组成部分。现有的BMS与电源连接后，始终处于带电，既一定程度的有损使用寿命，又消耗一定电量。
技术实现思路
有鉴于此，本技术提出一种BMS电源开关控制电路，包括外部开关(S1)、场效应管MOSFET(Q1)、隔离光耦合器(U1)、整流二极管(D1)、第一分压电阻(R1)、第二分压电阻(R2)、第四分压电阻(R4)、第五分压电阻(R5)、限流电阻(R3)、下拉电阻(R6)、旁路电容(C1)、滤波电感(L1)、滤波电容(C2)、稳压二极管(D2)、微控制单元MCU(U2)；其中，场效应管MOSFET(Q1)的漏极(D)与电源输出(-)负极端电连接，场效应管MOSFET(Q1)的源极(S)与电源输入(-)负极端电连接，场效应管MOSFET(Q1)的栅极(G)与隔离光耦合器(U1)的第四管脚(4)和第二分压电阻(R2)的一端电连接；外部开关(S1)一端与电源输入(+)正极端连接，外部开关(S1)的另一端分别与第一分压电阻(R1)的一端、整流二极管(D1)的第二管脚(2)、滤波电感(L1)的一端电连接；第一分压电阻(R1)的另一端与隔离光耦合器(U1)的第三管脚(3)电连接；限流电阻(R3)的一端与光耦合器(U1)的第一管脚(1)电连接；整流二极管(D1)的第一管脚(1)分别与微控制单元MCU(U2)的I/O功能管脚(11)、下拉电阻(R6)的一端电连接；整流二极管(D1)的第三管脚(3)分别与限流电阻(R3)的另一端、旁路电容(C1)的一端电连接；第二分压电阻(R2)的一端、旁路电容(C1)的另一端、隔离光耦合器(U1)的第二管脚(2)均与电源输入(-)负极端电连接；滤波电感(L1)的一端分别与第四分压电阻(R4)的一端、滤波电容(C2)的一端电连接，第四分压电阻(R4)的另一端分别与第五分压电阻(R5)的一端、稳压二极管(D2)负极、微控制单元MCU(U2)的ADC功能管脚(15)电连接；稳压二极管(D2)正极、滤波电容(C2)的另一端、第五分压电阻(R5)的另一端、下拉电阻(R6)的另一端分别与电源输出(-)负极端电连接。进一步，所述微控制单元MCU(U2)选用型号为恩智浦(NXP)的KEAZ128、恩智浦(NXP)的S32K144或意法半导体(ST)STM32。进一步，所述场效应管MOSFET(Q1)选用型号为：英飞凌(infineon)IRF7478、英飞凌(infineon)IRF7855或德州仪器(TI)CSD18543。进一步，所述隔离光耦合器(U1)选用型号为：松下(Panasonic)AQW216、英飞凌(infineon)PVI5013。进一步，所述整流二极管(D1)选用型号为：安森美(ONSemiconductor)MMBD1503或中国台湾半导体BAS21C。本技术解决了现有的BMS与电源连接后始终带电、消耗电量的问题，同时，可具备定时关机功能，在实现电源开关控制基础上，具有多种控制方式进行关断操作。附图说明构成本技术的一部分的附图用来提供对本技术的进一步理解，本技术的示意性实施例及其说明用于解释本技术，并不构成对本技术的不当限定。在附图中：图1为BMS电源开关控制电路的电路原理图。具体实施方式需要说明的是，在不冲突的情况下，本技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本技术。如图1所示，本技术的BMS电源开关控制电路，包括外部开关(S1)、场效应管MOSFET(Q1)、隔离光耦合器(U1)、整流二极管(D1)、第一分压电阻(R1)、第二分压电阻(R2)、第四分压电阻(R4)、第五分压电阻(R5)、限流电阻(R3)、下拉电阻(R6)、旁路电容(C1)、滤波电感(L1)、滤波电容(C2)、稳压二极管(D2)、微控制单元MCU(U2)；其中，场效应管MOSFET(Q1)的漏极(D)与电源输出(-)负极端电连接，场效应管MOSFET(Q1)的源极(S)与电源输入(-)负极端电连接，场效应管MOSFET(Q1)的栅极(G)与隔离光耦合器(U1)的第四管脚(4)和第二分压电阻(R2)的一端电连接；外部开关(S1)一端与电源输入(+)正极端连接，外部开关(S1)的另一端分别与第一分压电阻(R1)的一端、整流二极管(D1)的第二管脚(2)、滤波电感(L1)的一端电连接；第一分压电阻(R1)的另一端与隔离光耦合器(U1)的第三管脚(3)电连接；限流电阻(R3)的一端与光耦合器(U1)的第号管脚(1)电连接；整流二极管(D1)的第一管脚(1)分别与微控制单元MCU(U2)的I/O功能管脚(11)、下拉电阻(R6)的一端电连接；整流二极管(D1)的第三管脚(3)分别与限流电阻(R3)的另一端、旁路电容(C1)的一端电连接；第二分压电阻(R2)的一端、旁路电容(C1)的另一端、隔离光耦合器(U1)的第二管脚(2)均与电源输入(-)负极端电连接；滤波电感(L1)的一端分别与第四分压电阻(R4)的一端、滤波电容(C2)的一端电连接，第四分压电阻(R4)的另一端分别与第五分压电阻(R5)的一端、稳压二极管(D2)负极、微控制单元MCU(U2)的ADC功能管脚(15)电连接；稳压二极管(D2)正极、滤波电容(C2)的另一端、第五分压电阻(R5)的另一端、下拉电阻(R6)的另一端分别与电源输出(-)负极端电连接。其中，微控制单元MCU(U2)可选用型号为：恩智浦(NXP)KEAZ128、恩智浦(NXP)S32K144或意法半导体(ST)STM32等；场效应管MOSFET(Q1)可选用型号为：英飞凌(infineon)IRF7478、英飞凌(infineon)IRF7855或德州仪器(TI)CSD18543等；隔离光耦合器(U1)可选用型号为：松下(Panasonic)AQW216、英飞凌(infineon)PVI5013等；整流二极管(D1)可选用型号为：安森美(ONSemiconductor)MMBD1503、中国台湾半导体BAS21C等。本开关电路在实现电源开关控制基础上，具有多种控制方式进行关断操作。其工作原理为：1.启动过程(1)电源输入端连接外部电源时，由于场效应管MOSFET(Q1)的存在，供电回路处于断路的状态；(2)外部开关(S1)闭合时，隔离光耦合器(U1)内部1号管脚与2号管脚之间的发光二极管工作，使隔离光耦合器(U1)3号管脚与4号管脚导通，第一分压电阻(R1)和第二电阻(R2)对电源电压进行分压，场效应管MOSFET(Q1)的栅极(G)由低电平变为高电平，场效应管MOSFET(Q1)开始工本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种BMS电源开关控制电路，其特征在于：包括外部开关(S1)、场效应管MOSFET(Q1)、隔离光耦合器(U1)、整流二极管(D1)、第一分压电阻(R1)、第二分压电阻(R2)、第四分压电阻(R4)、第五分压电阻(R5)、限流电阻(R3)、下拉电阻(R6)、旁路电容(C1)、滤波电感(L1)、滤波电容(C2)、稳压二极管(D2)、微控制单元MCU(U2)；/n其中，场效应管MOSFET(Q1)的漏极(D)与电源输出(-)负极端电连接，场效应管MOSFET(Q1)的源极(S)与电源输入(-)负极端电连接，场效应管MOSFET(Q1)的栅极(G)与隔离光耦合器(U1)的第四管脚(4)和第二分压电阻(R2)的一端电连接；/n外部开关(S1)一端与电源输入(+)正极端连接，外部开关(S1)的另一端分别与第一分压电阻(R1)的一端、整流二极管(D1)的第二管脚(2)、滤波电感(L1)的一端电连接；第一分压电阻(R1)的另一端与隔离光耦合器(U1)的第三管脚(3)电连接；/n限流电阻(R3)的一端与光耦合器(U1)的第号管脚(1)电连接；整流二极管(D1)的第一管脚(1)分别与微控制单元MCU(U2)的I/O功能管脚(11)、下拉电阻(R6)的一端电连接；/n整流二极管(D1)的第三管脚(3)分别与限流电阻(R3)的另一端、旁路电容(C1)的一端电连接；第二分压电阻(R2)的一端、旁路电容(C1)的另一端、隔离光耦合器(U1)的第二管脚(2)均与电源输入(-)负极端电连接；/n滤波电感(L1)的一端分别与第四分压电阻(R4)的一端、滤波电容(C2)的一端电连接，第四分压电阻(R4)的另一端分别与第五分压电阻(R5)的一端、稳压二极管(D2)负极、微控制单元MCU(U2)的ADC功能管脚(15)电连接；稳压二极管(D2)正极、滤波电容(C2)的另一端、第五分压电阻(R5)的另一端、下拉电阻(R6)的另一端分别与电源输出(-)负极端电连接。/n...

【技术特征摘要】
1.一种BMS电源开关控制电路，其特征在于：包括外部开关(S1)、场效应管MOSFET(Q1)、隔离光耦合器(U1)、整流二极管(D1)、第一分压电阻(R1)、第二分压电阻(R2)、第四分压电阻(R4)、第五分压电阻(R5)、限流电阻(R3)、下拉电阻(R6)、旁路电容(C1)、滤波电感(L1)、滤波电容(C2)、稳压二极管(D2)、微控制单元MCU(U2)；
其中，场效应管MOSFET(Q1)的漏极(D)与电源输出(-)负极端电连接，场效应管MOSFET(Q1)的源极(S)与电源输入(-)负极端电连接，场效应管MOSFET(Q1)的栅极(G)与隔离光耦合器(U1)的第四管脚(4)和第二分压电阻(R2)的一端电连接；
外部开关(S1)一端与电源输入(+)正极端连接，外部开关(S1)的另一端分别与第一分压电阻(R1)的一端、整流二极管(D1)的第二管脚(2)、滤波电感(L1)的一端电连接；第一分压电阻(R1)的另一端与隔离光耦合器(U1)的第三管脚(3)电连接；
限流电阻(R3)的一端与光耦合器(U1)的第号管脚(1)电连接；整流二极管(D1)的第一管脚(1)分别与微控制单元MCU(U2)的I/O功能管脚(11)、下拉电阻(R6)的一端电连接；
整流二极管(D1)的第三管脚(3)分别与限流电阻(R3)的另一端、旁路电容(C1)的一端电连接；第二分压电阻(R2)的一端...

【专利技术属性】
技术研发人员：贾国强，
申请(专利权)人：北京国能驭新科技有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11