一种C/SiC-ZrB制造技术

本发明专利技术涉及一种C/SiC‑ZrB

A C / SiC ZrB

【技术实现步骤摘要】
一种C/SiC-ZrB2复合材料及其制备方法
本专利技术涉及C/SiC复合材料
，尤其涉及一种C/SiC-ZrB2复合材料及其制备方法
技术介绍
C/SiC复合材料具有低密度、耐高温、高比模、高比强和抗热震等一系列优异性能，在航天航空领域得到广泛应用。但是，C/SiC复合材料的长时抗氧化使用温度不超过1650℃。由于航空航天飞行器不仅需要在高速超高温的严苛条件下正常使用，还需要具备高可靠性以及长寿命的优良性能，这就要求航空航天材料具有更优异稳定的性能以及相应的制备工艺。为提高C/SiC复合材料的高温抗氧化耐烧蚀性能，在SiC基体中引入超高温陶瓷组元对其进行基体改性是一种有效方法。硼化锆(ZrB2)作为优良的超高温陶瓷材料，具有极高的熔点、高热导率、低热膨胀系数和良好的耐热冲击性，高温环境中能保持强度和稳定性，能很好地满足超高温环境下的使用要求。目前，将硼化锆这一超高温陶瓷组元引入复合材料中的所使用的工艺主要是PIP工艺：采用包含锆源和硼源的前驱体作为浸渍材料，采用先驱体浸渍裂解法对C/C复合材料进行致密化处理，从而在基体中引入硼化本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种C/SiC-ZrB

【技术特征摘要】
1.一种C/SiC-ZrB2复合材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：
(1)将前驱体进行固化和裂解，得到纳米ZrB2/SiC复相超高温陶瓷粉体；所述前驱体为聚硼硅氮烷-聚锆氧烷共聚物；
(2)将步骤(1)所得的超高温陶瓷粉体与前驱体混合，配制成超高温陶瓷粉体料浆；
(3)以步骤(2)所得的料浆作为浸渍液，对C/C复合材料进行前期致密化处理；和
(4)以前驱体为浸渍液，对经前期致密化处理后的复合材料进行后期致密化处理，得到所述C/SiC-ZrB2复合材料。


2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，
将前驱体在220-260℃下进行固化，再在1600-1800℃氩气气氛下进行裂解，得到粒径为200-400nm的纳米ZrB2/SiC复相超高温陶瓷粉体。


3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，
在配制超高温陶瓷粉体料浆时，将所述超高温陶瓷粉体在所述料浆中的质量百分含量控制在30wt％以下，优选为10-30wt％，更优选为10-20wt％。


4.根据权利要求1至3任一项所述的制备方法，其特征在于，
采用先驱体浸渍裂解法进行前期致密化处理和后期致密化处理。


5.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：裴雨辰，李晓东，刘俊鹏，霍鹏飞，于新民，王涛，
申请(专利权)人：航天特种材料及工艺技术研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11