【技术实现步骤摘要】
半导体装置封装和其制造方法
本公开涉及与微机电系统(MEMS)相关联的半导体封装结构。
技术介绍
MEMS装置可包含微处理器和与例如微传感器、微镜、振荡器、谐振器、RF开关、表面声波(SAW)滤波器、体声波(BAW)滤波器等周围装置交互的若干组件。MEM装置封装可包含与帽盖、载体或衬底接合、安装到帽盖、载体或衬底或与其组合的MEMS装置。然而,可能存在与将MEMS装置组装到帽盖、载体或衬底相关的某些可靠性、成本或污染问题。
技术实现思路
在一些实施例中,本公开提供一种半导体装置封装结构,其包含半导体装置、在所述半导体装置上的非半导体衬底,以及从所述半导体装置延伸到所述非半导体衬底且将所述半导体装置电连接到所述非半导体衬底的第一连接元件。在一些实施例中,本公开提供一种用于制造半导体封装结构的方法,所述方法包含:(1)提供具有多个装置区域的半导体晶片,所述装置区域中的每一者具有微机电组件;(2)在所述半导体晶片上形成围绕所述装置区域中的每一者中的所述微机电组件的经图案化绝缘层;以及(3)将所述经图案化 ...
【技术保护点】
1.一种半导体装置封装,其包括:/n半导体装置;/n在所述半导体装置上的非半导体衬底;以及/n第一连接元件,其从所述半导体装置延伸到所述非半导体衬底,且将所述半导体装置电连接到所述非半导体衬底。/n
【技术特征摘要】
20180627 US 62/690,877;20190625 US 16/452,3701.一种半导体装置封装,其包括:
半导体装置;
在所述半导体装置上的非半导体衬底;以及
第一连接元件,其从所述半导体装置延伸到所述非半导体衬底,且将所述半导体装置电连接到所述非半导体衬底。
2.根据权利要求1所述的半导体装置封装,其进一步包括在所述半导体装置与所述非半导体衬底之间的经图案化绝缘层。
3.根据权利要求2所述的半导体装置封装,其中所述非半导体衬底包括通孔,所述第一连接元件从所述半导体装置延伸到所述通孔中。
4.根据权利要求3所述的半导体装置封装,其进一步包括在所述非半导体衬底的所述通孔中且围绕所述第一连接元件的第二连接元件。
5.根据权利要求4所述的半导体装置封装,其中所述第二连接元件至少部分地填充所述通孔,由此在所述半导体装置、所述经图案化绝缘层与所述非半导体衬底之间形成空间。
6.根据权利要求2所述的半导体装置封装,其中所述第一连接元件包括焊料材料。
7.根据权利要求1所述的半导体装置封装,其中所述非半导体衬底进一步包括在背对所述半导体装置的表面上的经图案化导电层。
8.根据权利要求1所述的半导体装置封装,其中所述非半导体衬底比所述半导体装置窄,所述第一连接元件从所述半导体装置延伸到所述非半导体衬底的侧壁。
9.根据权利要求2所述的半导体装置封装,其中所述半导体衬底包括隔膜,且所述经图案化绝缘层围绕所述隔膜。
10.根据权利要求1所述的半导体装置封装,其进一步包括连接所述非半导体衬底与所述半导体装置的粘合层。
11.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员:曾吉生,赖律名,蔡育轩,陈殷豪,吴欣霖,余三贵,
申请(专利权)人:日月光半导体制造股份有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾;71
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