基于配电网中串补电容器的保护电路制造技术

本实用新型专利技术提供的基于配电网中串补电容器的保护电路，包括电容器、晶闸管组件、阻尼器和开关；其中，所述电容器串联在配电网的输电线路中，所述开关与所述电容器并联，所述晶闸管组件和阻尼器串联形成保护支路，所述保护支路与所述电容器并联。该保护电路能够解决现有技术中存在的有功功率引起电压降落的缺陷。

Protection circuit based on series capacitor in distribution network

【技术实现步骤摘要】
基于配电网中串补电容器的保护电路
本技术涉及集成电子电路
，具体涉及基于配电网中串补电容器的保护电路。
技术介绍
电压质量是衡量电能质量是否符合标准的一项重要指标，其质量优劣直接关系到用电设备的正常运作和安全经济运行。目前供电公司配网存在的电压质量问题主要表现在网架薄弱，配电变压器数量多负荷重，造成线路电压严重偏低，持续的低电压也会增加线路损耗。另外部分配电线路带有以石油开采、灌溉等动力为主的电动机负荷，使无功损耗增大，影响电压质量。以往解决低电压问题的主要措施是使用调压器、并联补偿装置，或对配电线路实施改造，这些措施的使用对提高电压质量发挥了积极作用，但这些方式不能解决有功功率引起的电压降落且调压能力有限。
技术实现思路
因此，本技术的目的是提供基于配电网中串补电容器的保护电路，能够解决现有技术中存在的有功功率引起电压降落的缺陷。一种基于配电网中串补电容器的保护电路，包括电容器、晶闸管组件、阻尼器和开关；其中，所述电容器串联在配电网的输电线路中，所述开关与所述电容器并联，所述晶闸管组件和阻尼器串联形成保护支路，所述保护支路与所述电容器并联。优选地，所述晶闸管组件包括一对反向并联的晶闸管。优选地，所述阻尼器包括相互并联的一电阻和一电感。优选地，所述开关为快速开关。优选地，还包括接入配电网的过压保护电路；所述过压保护电路包括稳压二极管D5、稳压二极管D6、三极管VT1、三极管VT2和场效应管MOS1；稳压二极管D5的N极经电阻R6与场效应管MOS1的源极相连接，稳压二极管D5的P极接地，稳压二极管D5的N极通过电阻R7连接至三极管VT1的基极；稳压二极管D6的N极与场效应管MOS1的源极相连接，稳压二极管D6的P极与三极管VT1的基极相连接；三极管VT1的集电极通过电阻R8接其发射极，三极管VT1的集电极与场效应管MOS1的源极相连接，三极管VT1的发射极接三极管VT2的基极；三极管VT2的发射极接地，三极管VT2的集电极通过电阻R9接场效应管MOS1的栅极；场效应管MOS1的源极形成过压保护电路的输入端，场效应管MOS1的漏极形成过压保护电路的输出端。优选地，所述三极管VT1和三极管VT2为PNP管。优选地，所述场效应管MOS1为P沟道耗尽型绝缘栅场效应管。优选地，所述配电网为10kV。优选地，还包括接入配电网的通讯单元，所述通讯单元与所述过压保护电路电连接。优选地，所述配电网的每条输电线路上均设有所述电容器。本技术提供的基于配电网中串补电容器的保护电路，能够解决现有技术中存在的有功功率引起电压降落的缺陷。附图说明为了更清楚地说明本技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。附图中，各元件或部分并不一定按照实际的比例绘制。图1为本实施例提供的基于配电网中串补电容器的保护电路的电路图。图2为本实施例提供的过压保护电路的电路图。具体实施方式下面将结合附图对本技术技术方案的实施例进行详细的描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本技术的技术方案，因此只作为示例，而不能以此来限制本技术的保护范围。实施例：一种基于配电网中串补电容器的保护电路，参见图1，包括电容器、晶闸管组件、阻尼器和开关；其中，所述电容器串联在配电网的输电线路中，所述开关与所述电容器并联，所述晶闸管组件和阻尼器串联形成保护支路，所述保护支路与所述电容器并联。具体地，在输电线路中串入电容器，减小了输电线路的阻抗，从而减小了线路上的电压降落△u，使线路末端负荷处的电压得以提高。能够解决现有技术中存在的有功功率引起电压降落的缺陷。优选地，所述晶闸管组件包括一对反向并联的晶闸管。优选地，所述阻尼器包括相互并联的一电阻和一电感。优选地，所述开关为快速开关。优选地，所述配电网为10kV。优选地，所述配电网的每条输电线路上均设有所述电容器。具体地，当配电网中输电线路正常工作时，电流流过电容器，电容器两端电压较低，晶闸管不动作，快速开关处于打开状态。当配电网中输电线路发生短路时，随着电流的迅速增大，电容器两端电压急速增高，此时，晶闸管迅速导通，将电容器短路，保护住电容器；且在晶闸管动作的同时，开关启动，并在尽可能快的时间内合闸，将电容器和晶闸管同时短路保护。参见图2，还包括接入配电网的过压保护电路；所述过压保护电路包括稳压二极管D5、稳压二极管D6、三极管VT1、三极管VT2和场效应管MOS1；稳压二极管D5的N极经电阻R6与场效应管MOS1的源极相连接，稳压二极管D5的P极接地，稳压二极管D5的N极通过电阻R7连接至三极管VT1的基极；稳压二极管D6的N极与场效应管MOS1的源极相连接，稳压二极管D6的P极与三极管VT1的基极相连接；三极管VT1的集电极通过电阻R8接其发射极，三极管VT1的集电极与场效应管MOS1的源极相连接，三极管VT1的发射极接三极管VT2的基极；三极管VT2的发射极接地，三极管VT2的集电极通过电阻R9接场效应管MOS1的栅极；场效应管MOS1的源极形成过压保护电路的输入端，场效应管MOS1的漏极形成过压保护电路的输出端。优选地，所述三极管VT1和三极管VT2为PNP管。优选地，所述场效应管MOS1为P沟道耗尽型绝缘栅场效应管。具体地，过压保护电路可用来检测配电网中输入线路电压中任一相电压是否过大，对配电网进行保护。当配电网中输入线路的电压过大时，及时断开场效应管MOS1，对配电网进行及时保护。优选地，还包括接入配电网的通讯单元，所述通讯单元与所述过压保护电路电连接。具体地，通讯单元可以用来将过压保护电路的的状态上传给外部设备。最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本技术的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本技术进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本技术各实施例技术方案的范围，其均应涵盖在本技术的权利要求和说明书的范围当中。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于配电网中串补电容器的保护电路，其特征在于，/n包括电容器、晶闸管组件、阻尼器和开关；/n其中，所述电容器串联在配电网的输电线路中，所述开关与所述电容器并联，所述晶闸管组件和阻尼器串联形成保护支路，所述保护支路与所述电容器并联。/n

【技术特征摘要】
1.一种基于配电网中串补电容器的保护电路，其特征在于，
包括电容器、晶闸管组件、阻尼器和开关；
其中，所述电容器串联在配电网的输电线路中，所述开关与所述电容器并联，所述晶闸管组件和阻尼器串联形成保护支路，所述保护支路与所述电容器并联。


2.根据权利要求1所述基于配电网中串补电容器的保护电路，其特征在于，
所述晶闸管组件包括一对反向并联的晶闸管。


3.根据权利要求1所述基于配电网中串补电容器的保护电路，其特征在于，
所述阻尼器包括相互并联的一电阻和一电感。


4.根据权利要求1所述基于配电网中串补电容器的保护电路，其特征在于，
所述开关为快速开关。


5.根据权利要求1-4中任一所述基于配电网中串补电容器的保护电路，其特征在于，
还包括接入配电网的过压保护电路；
所述过压保护电路包括稳压二极管D5、稳压二极管D6、三极管VT1、三极管VT2和场效应管MOS1；
稳压二极管D5的N极经电阻R6与场效应管MOS1的源极相连接，稳压二极管D5的P极接地，稳压二极管D5的N极通过电阻R7连接至三极管VT1的基极；稳压二极管D6的N极与场效应管MOS1的源极相连接，稳压二极管...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄瑞，王剑，郭光辉，孔卫文，马海燕，齐良，张宝，
申请(专利权)人：陕西省地方电力集团有限公司延安供电分公司，
类型：新型
国别省市：陕西;61