一种光刻组件、光刻设备以及基板制造技术

本实用新型专利技术公开一种光刻组件、光刻设备以及基板，光刻组件用于在光刻工艺中对基板作用，以在所述基板上形成隔垫物，光刻组件包括掩模版和调光结构，其中，掩模版形成有曝光区域，曝光区域用于在光刻工艺中对应基板上的隔垫物基底处设置；调光结构设于曝光区域，调光结构用于调节曝光区域内的透光量，以使得透光量在从曝光区域的边界到曝光区域的中心的调光方向上呈递增设置。本实用新型专利技术中，通过设置调光结构来调节曝光区域内的透光量沿调光方向呈递增设置，有助于消除隔垫物的尖锐结构而使其具有更为圆滑的外轮廓，从而弱化隔垫物处的配向膜与对组基板之间的干涉，使得隔垫物处的配向膜不易因外力作用而脱落，提升液晶显示效果。

【技术实现步骤摘要】
一种光刻组件、光刻设备以及基板
本技术涉及显示设备生产的
，特别涉及基板隔垫物制备设备的
，具体涉及一种光刻组件、光刻设备以及基板。
技术介绍
传统的掩模版，也称为光罩，是光刻工艺所使用的图形母版，是由不透光的遮光薄膜(金属铬)在透明基板上形成掩模图形，通过光刻工艺将图形转印到玻璃基板的薄膜上。现有的光刻工艺包括曝光过程，也就是使紫外线光源通过掩模版照射光刻胶，使掩模版上的图形转印到光刻胶上的过程。如果是正性光刻胶，则掩模版上不透光区的图形转印到光刻胶上；如果是负性光刻胶，则掩模版上透光区的图形转印到光刻胶上。传统的配向膜(常用的是聚酰亚胺Polyimide，PI)的配向技术，包括摩擦配向，摩擦配向就是利用外表面包裹了一层特殊处理的摩擦布的高速旋转辊，与水平传递来的基板表面进行机械接触和摩擦，把基板上的PI膜表面划出一道有方向性沟槽的过程。在彩色滤光片(ColorFilter，CF)的制备过程中，一般首先使用掩模版在CF基板上形成隔垫物，然后在CF基板上进行PI膜摩擦配向，最后外力作用使CF基板和TFT(ThinFilmTransistor，薄膜晶体管)基板二者对组。请参阅附图1，由于传统的掩模版在透光区设置单一固定的透光量值，因此在CF基板301上形成的隔垫物400呈直棱柱状，且具有尖锐结构401，这使得当CF基板301和TFT基板302对组时，外力作用造成尖锐结构401处的配向结构容易脱落，引起液晶显示不良。
技术实现思路
本技术的主要目的是提出一种光刻组件、光刻设备以及基板，旨在解决因传统掩模版开口处的透光量单一，造成隔垫物的配向结构容易脱落，而引起液晶显示不良的问题。为实现上述目的，本技术提出的一种光刻组件，用于在光刻工艺中对基板作用，以在所述基板上形成隔垫物，所述光刻组件包括：掩模版，所述掩模版形成有曝光区域，所述曝光区域用于在所述光刻工艺中对应所述基板上的隔垫物基底处设置；以及，调光结构，设于所述曝光区域，所述调光结构用于调节所述曝光区域内的透光量，以使得所述透光量在调光方向上呈递增设置，其中，所述调光方向为从所述曝光区域的边界到所述曝光区域的中心的方向。可选地，所述曝光区域包括第一曝光区段和第二曝光区段，所述第一曝光区段和所述第二曝光区段沿所述调光方向邻接设置；其中，在所述调光结构的调节作用下，所述第一曝光区段内的透光量为A，所述第二曝光区段内的透光量在所述调光方向上呈递增设置，所述第二曝光区段内的最小透光量为A。可选地，所述曝光区域包括多个曝光区段，所述多个曝光区段沿所述调光方向呈前后邻接设置，每一所述曝光区段内的透光量在所述调光方向上呈递增设置；其中，在所述调光结构的作用下，沿所述调光方向相邻的每两个所述曝光区段中，位于后向的所述曝光区段内的最大透光量为位于前向的所述曝光区段内的最小透光量。可选地，所述光刻组件还包括光刻光源，所述调光结构为一聚光透镜，所述聚光透镜用于调节所述光刻光源发出的光束，以使得所述光束沿所述调光方向呈渐密布设；或者，所述调光结构为一光学半透膜，所述光学半透膜的厚度在所述调光方向上呈渐薄设置。可选地，所述调光结构包括多个光学半透膜，所述多个光学半透膜可拆卸设置，所述多个光学半透膜沿所述掩模版的厚度方向层叠布设于所述曝光区域；其中，所述多个光学半透膜的叠加厚度在所述调光方向上呈渐薄设置。可选地，每一所述光学半透膜开设有一透光孔，所述多个光学半透膜的透光孔同轴心设置，所述多个光学半透膜的透光孔的孔径沿所述掩模版的厚度方向呈渐扩设置。可选地，所述调光结构包括多个遮光膜，所述多个遮光膜可拆卸设置，所述多个遮光膜沿所述调光方向邻接布设于所述曝光区域；其中，所述多个遮光膜的透光量在所述调光方向上呈渐增设置。可选地，所述遮光膜为电致调光膜，以通过调节每一所述电致调光膜的电压，使得所述多个电致调光膜的透光量在所述调光方向上呈渐增设置。此外，本技术还提出一种光刻设备，所述光刻设备包括光刻组件，所述光刻组件包括：掩模版，所述掩模版形成有曝光区域，所述曝光区域用于在所述光刻工艺中对应所述基板上的隔垫物基底处设置；以及，调光结构，设于所述曝光区域，所述调光结构用于调节所述曝光区域内的透光量，以使得所述透光量在调光方向上呈递增设置，其中，所述调光方向为从所述曝光区域的边界到所述曝光区域的中心的方向。此外，本技术还提出一种基板，所述基板上形成有隔垫物，所述隔垫物的至少顶面呈弧面状，所述隔垫物通过如上所述的光刻组件作用形成。本技术提供的技术方案中，通过设置所述调光结构，来调节所述曝光区域内的透光量沿所述调光方向呈递增设置，有助于消除所述隔垫物的尖锐结构而使其具有更为圆滑的外轮廓，从而弱化所述隔垫物处的配向膜与对组基板之间的干涉，使得所述隔垫物处的配向膜不易因外力作用而脱落，实现提升液晶显示效果的目的。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。图1为传统技术中隔垫物在两基板对组时的结构示意图；图2为本技术提供的基板的一实施例的结构示意图；图3为本技术提供的光刻组件的第一实施例的剖面结构示意图；图4为本技术提供的光刻组件的第二实施例的剖面结构示意图；图5为本技术提供的光刻组件的第三实施例的剖面结构示意图；图6为本技术提供的光刻组件的第四实施例的剖面结构示意图；图7为本技术提供的光刻组件的第五实施例的剖面结构示意图。附图标号说明：标号名称标号名称100光刻组件213透光孔1掩模版22遮光膜11曝光区域300基板111第一曝光区段301CF基板112第二曝光区段302TFT基板2调光结构400隔垫物21光学半透膜401尖锐结构211遮光段500配向膜212透光段本技术目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光刻组件，用于在光刻工艺中对基板作用，以在所述基板上形成隔垫物，其特征在于，所述光刻组件包括：/n掩模版，所述掩模版形成有曝光区域，所述曝光区域用于在所述光刻工艺中对应所述基板上的隔垫物基底处设置；以及，/n调光结构，设于所述曝光区域，所述调光结构用于调节所述曝光区域内的透光量，以使得所述透光量在调光方向上呈递增设置，其中，所述调光方向为从所述曝光区域的边界到所述曝光区域的中心的方向。/n

【技术特征摘要】
1.一种光刻组件，用于在光刻工艺中对基板作用，以在所述基板上形成隔垫物，其特征在于，所述光刻组件包括：
掩模版，所述掩模版形成有曝光区域，所述曝光区域用于在所述光刻工艺中对应所述基板上的隔垫物基底处设置；以及，
调光结构，设于所述曝光区域，所述调光结构用于调节所述曝光区域内的透光量，以使得所述透光量在调光方向上呈递增设置，其中，所述调光方向为从所述曝光区域的边界到所述曝光区域的中心的方向。


2.如权利要求1所述的光刻组件，其特征在于，所述曝光区域包括第一曝光区段和第二曝光区段，所述第一曝光区段和所述第二曝光区段沿所述调光方向邻接设置；
其中，在所述调光结构的调节作用下，所述第一曝光区段内的透光量为A，所述第二曝光区段内的透光量在所述调光方向上呈递增设置，所述第二曝光区段内的最小透光量为A。


3.如权利要求1所述的光刻组件，其特征在于，所述曝光区域包括多个曝光区段，所述多个曝光区段沿所述调光方向呈前后邻接设置，每一所述曝光区段内的透光量在所述调光方向上呈递增设置；
其中，在所述调光结构的作用下，沿所述调光方向相邻的每两个所述曝光区段中，位于后向的所述曝光区段内的最大透光量为位于前向的所述曝光区段内的最小透光量。


4.如权利要求1所述的光刻组件，其特征在于，所述调光结构为一聚光透镜，所述聚光透镜用于调节光刻光源发出的光束，以使得所述光束沿所述调光方向呈渐密布设...

【专利技术属性】
技术研发人员：王然龙，洪文进，
申请(专利权)人：重庆惠科金渝光电科技有限公司，北海惠科光电技术有限公司，
类型：新型
国别省市：重庆;50