【技术实现步骤摘要】
集成磁组合件和将其组装的方法
技术介绍
本专利技术一般涉及功率电子器件,并且更具体地涉及供在功率电子器件中使用的集成磁组合件。高密度功率电子电路通常需要为了多种目的而使用多个磁电子部件,所述多种目的包括能量存储、信号隔离、信号滤波、能量转移和功率分配。具体地,这些磁电子部件通常包括沿磁电子部件的磁通路径所定位的空隙。然而,在至少一些已知的集成磁组合件中,由一个部件所产生的磁通量可能不会对集成结构中的其它部件的操作产生零净影响(zeroneteffect)。结果,集成部件的有效性和/或效率可能会降低。另外,在至少一些已知的集成磁组合件中,边缘通量可能对集成磁组合件的操作具有若干有害影响。边缘通量是偏离主磁通量路径的磁通量的分量。边缘通量通常经过电子电路中的其它非有源部件,在此类部件的绕组中感生涡流。这导致绕组中增加的功率损耗和降低的效率。具体地,竖直经过此类部件的绕组层的边缘通量导致绕组中特别大的功率损耗。另外,边缘通量减小了集成磁组合件的电感。因此,当此类集成磁组合件用于功率转换器中时,边缘通量增加纹波电流的幅度,导致更高的功率损耗和降低的效率。
技术实现思路
在一个方面中,提供了一种集成磁组合件。集成磁组合件包括具有第一部件和第二部件的磁芯。第一部件包括第一面和从第一面延伸的绕组支腿。绕组支腿包括与第一面间隔开并且大致平行于第一面来定向的顶面。第二部件耦合到第一部件并且具有面向第一面的第二面。第二部件还包括从第二面内凹并且大致平行于第二面来定向的第三面和在第二面和第三面之间延伸的内凹侧壁。集成磁组合件 ...
【技术保护点】
1.一种集成磁组合件,包括:/n磁芯,包括:/n第一部件,包括第一面和从所述第一面延伸的绕组支腿,所述绕组支腿包括与所述第一面间隔开并且大致平行于所述第一面来定向的顶面;以及/n耦合到所述第一部件的第二部件,所述第二部件包括面向所述第一面的第二面,所述第二部件还包括从所述第二面内凹并且大致平行于所述第二面来定向的第三面和在所述第二面和所述第三面之间延伸的内凹侧壁;/n电感地耦合到所述磁芯的输入绕组,所述输入绕组缠绕在所述绕组支腿周围;以及/n电感地耦合到所述磁芯的输出绕组,所述输出绕组缠绕在所述绕组支腿周围,/n其中所述第三面和所述内凹侧壁限定了所述第二面内的凹槽,并且其中在所述顶面和所述第三面之间限定了间隙。/n
【技术特征摘要】
1.一种集成磁组合件,包括:
磁芯,包括:
第一部件,包括第一面和从所述第一面延伸的绕组支腿,所述绕组支腿包括与所述第一面间隔开并且大致平行于所述第一面来定向的顶面;以及
耦合到所述第一部件的第二部件,所述第二部件包括面向所述第一面的第二面,所述第二部件还包括从所述第二面内凹并且大致平行于所述第二面来定向的第三面和在所述第二面和所述第三面之间延伸的内凹侧壁;
电感地耦合到所述磁芯的输入绕组,所述输入绕组缠绕在所述绕组支腿周围;以及
电感地耦合到所述磁芯的输出绕组,所述输出绕组缠绕在所述绕组支腿周围,
其中所述第三面和所述内凹侧壁限定了所述第二面内的凹槽,并且其中在所述顶面和所述第三面之间限定了间隙。
2.根据权利要求1所述的集成磁组合件,其中所述顶面位于所述第二面和所述第三面之间。
3.根据权利要求1所述的集成磁组合件,其中所述第二面从所述第一面偏移第一距离,其中所述顶面从所述第一面偏移第二距离,并且其中所述第一距离小于所述第二距离。
4.根据权利要求1所述的集成磁组合件,其中所述内凹侧壁是环形侧壁。
5.根据权利要求1所述的集成磁组合件,其中所述第一部件还包括从所述第一面延伸的第一非绕组支腿,所述第一非绕组支腿包括与所述第一面间隔开并且大致平行于所述第一面来定向的第一远端面。
6.根据权利要求5所述的集成磁组合件,其中所述第一部件还包括从所述第一面朝向所述第二面延伸的第二非绕组支腿,所述第二非绕组支腿包括与所述第一远端面共平面的第二远端面。
7.根据权利要求5所述的集成磁组合件,还包括在所述第一面和所述第一远端面之间延伸的非绕组支腿侧壁,其中所述第三面的中心点和所述内凹侧壁之间的径向距离小于所述绕组支腿的中心点与所述非绕组支腿侧壁之间的径向距离。
8.根据权利要求7所述的集成磁组合件,其中,所述输入绕组和所述输出绕组限定了外部绕组周边,其中所述绕组支腿的所述中心点与所述外部绕组周边之间的径向距离小于所述第三面的所述中心点和所述内凹侧壁之间的所述径向距离。
9.根据权利要求1所述的集成磁组合件,还包括从所述第一面延伸的第二绕组支腿。
10.如权利要求9所述的集成磁组合件,其中所述第二部件还包括与所述第三面共平面的附加第三面。
11.根据权利要求1所述的集成磁组合件,其中所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:代克,孙宜峰,殷兰兰,
申请(专利权)人:工业连结与解决方案有限责任公司,
类型:发明
国别省市:美国;US
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