Cu@NLCTO/PVDF复合材料的制备方法技术

本发明专利技术涉及Cu@NLCTO/PVDF复合材料的制备方法，包括以下步骤：(1)制备Cu@NLCTO粉体，备用；(2)称取Cu@NLCTO粉体加入到N,N‑二甲基甲酰胺溶液中，搅拌得到Cu@NLCTO粉体分散液；(3)称取PVDF加入到N,N‑二甲基甲酰胺溶液中，搅拌使其成透明溶液；(4)将步骤(3)的溶液加入到步骤(2)的分散液中，搅拌得到浑浊溶液；(5)将步骤(4)的浑浊液加热搅拌至胶状溶液，放置在鼓风干燥箱中干燥得到复合薄膜；(6)将步骤(5)得到的复合薄膜热压成型，得到Cu@NLCTO/PVDF复合材料。本发明专利技术制备方法简单易操作，复合材料性能稳定、填充量小、介电常数较高且介电损耗较小。

Preparation of Cu @ nlcto / PVDF Composite

【技术实现步骤摘要】
Cu@NLCTO/PVDF复合材料的制备方法
本专利技术属于化学材料
，涉及一种复合材料的制备，特别涉及一种Cu@NLCTO/PVDF复合材料的制备方法。
技术介绍
电子器件的集成化、小型化要求电容器具有高的储能密度和良好的加工性，从而对电介质材料的介电常数、介电损耗和加工性能提出了更高的要求，因此将高介电陶瓷与柔性聚合物混合制备陶瓷/聚合物复合材料是目前解决该行业难题的一条途径；在陶瓷/聚合物复合材料中，填料的性质直接决定着复合材料介电性能的性质，填料的尺寸、形状、含量等因素均对复合材料的介电性能产生巨大影响，若要获得高介电的陶瓷/聚合物复合材料，其陶瓷填充量要大于50vol％，但是高填充量会使复合材料产生大量的界面空隙和气孔，进而降低复合材料的击穿强度和力学性能；进一步的，力学性能的降低会严重影响到复合材料的加工性能，进而影响到复合材料的实际应用。在研究中发现，陶瓷/聚合物复合材料在高填充量下可以获得高介电常数和低损耗；而导电/聚合物复合材料可以在低填充量下获得高介电常数和高介电损耗因此，研究者想结合两者的特性来获得低填充量下本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种Cu@NLCTO/PVDF复合材料的制备方法，其特征在于包括以下步骤：/n(1)制备Cu@NLCTO粉体，备用；/n(2)称取一定量Cu@NLCTO粉体加入到N,N-二甲基甲酰胺溶液中，搅拌得到Cu@NLCTO粉体分散液；/n(3)称取一定比例的聚偏氟乙烯PVDF加入到N,N-二甲基甲酰胺溶液中，搅拌使其成透明溶液；/n(4)将步骤(3)的溶液加入到步骤(2)的分散液中，磁力搅拌得到浑浊溶液；/n(5)将步骤(4)的浑浊液加热搅拌至胶状溶液，然后放置在鼓风干燥箱中干燥得到复合薄膜；/n(6)将步骤(5)得到的复合薄膜热压成型，得到Cu@NLCTO/PVDF复合材料。/n

【技术特征摘要】
1.一种Cu@NLCTO/PVDF复合材料的制备方法，其特征在于包括以下步骤：
(1)制备Cu@NLCTO粉体，备用；
(2)称取一定量Cu@NLCTO粉体加入到N,N-二甲基甲酰胺溶液中，搅拌得到Cu@NLCTO粉体分散液；
(3)称取一定比例的聚偏氟乙烯PVDF加入到N,N-二甲基甲酰胺溶液中，搅拌使其成透明溶液；
(4)将步骤(3)的溶液加入到步骤(2)的分散液中，磁力搅拌得到浑浊溶液；
(5)将步骤(4)的浑浊液加热搅拌至胶状溶液，然后放置在鼓风干燥箱中干燥得到复合薄膜；
(6)将步骤(5)得到的复合薄膜热压成型，得到Cu@NLCTO/PVDF复合材料。


2.根据权利要求1所述的Cu@NLCTO/PVDF复合材料的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)中Cu@NLCTO粉体的制备包括以下步骤：
(1.1)分别配制氢氧化钠溶液和硝酸铜溶液；
(1.2)将步骤(1.1)配制好的氢氧化钠溶液以及硝酸铜溶液，同时加入水合肼溶液中混合，并调节pH值至碱性，确保氢氧化铜沉淀全部溶解；
(1.3)将Na0.5La0.5Cu3Ti4O12陶瓷粉体加入到步骤(1.2)的混合溶液中搅拌；
(1.4)将步骤(1.3)中混有Na0.5La0.5Cu3Ti4O12的浊液放在水浴中反应1h，在反应的过程中加入适量氢氧化钠溶液保持pH值在碱性；
(1.5)将步骤(1.4)的反应溶液经过抽滤得到Cu@NLCTO粉体，用蒸馏水洗涤数次，然后将其放在干燥箱中烘干，得到的Cu@NLCTO粉体。


3.根据权利要求1或2所述的C...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡昕原，刘向荣，王行行，
申请(专利权)人：西安科技大学，
类型：发明
国别省市：陕西;61