【技术实现步骤摘要】
含S/Se/Te重原子的咔唑类室温磷光材料的合成及光电性能研究
本专利技术涉及有机半导体材料领域，尤其涉及一种含S/Se/Te重原子的咔唑类室温磷光材料的合成及光电性能研究
技术介绍
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技术介绍
有机室温磷光材料由于具有来源广、成本低、毒性小、易于提纯和结构易修饰等特点，在有机电子发光领域已受到广泛关注。其中在数据安全保密、有机发光二极管(OLEDs)、发光传感器、生物成像等领域中具有广阔的应用前景。研究证实：将给体(D)单元咔唑与受体(A)单元苯甲酰基键合反应，通过卤素重原子在分子结构中进行修饰，可获得具有长寿命的D-A型室温磷光材料。相比卤素重原子，用于杂环取代的室温磷光材料构建单元稀缺，目前主要集中在碲吩杂环单元，譬如硼酸酯取代的碲吩并环(B-Te-6-B，Angew.Chem.Int.Ed.2014,53,4587–4591)，芳基取代的碲吩并环(Ar-Te-6-Ar,ACS.Appl.Mater.Interfaces.,201810,15)。然而，碲吩类室温磷光材料的设计与开发依然存在局限性，目前对于碲吩类磷...
【技术保护点】
1.一种D-A型咔唑基衍生物，其特征在于，所述D-A型化合物具有以下结构式：/n
【技术特征摘要】
1.一种D-A型咔唑基衍生物，其特征在于，所述D-A型化合物具有以下结构式：
所述式I中，A表示S、Se、Te中的任意一种。
2.根据权利要求1所述的D-A型咔唑基衍生物，其特征在于，所述D-A型化合物为PhCz-T，所述PhCz-T具有以下式II的结构式：
3.根据权利要求1所述的D-A型咔唑基衍生物，其特征在于，所述D-A型化合物为PhCz-Se，所述PhCz-Se具有以下式Ⅲ的结构式：
4.根据权利要求1所述的D-A型咔唑基衍生物，其特征在于，所述D-A型化合物为PhCz-Te，所述PhCz-Te具有以下式Ⅳ的结构式：
5.一种权利要求1所述的D-A型咔唑基衍生物的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、将咔唑与4-卤代苯甲酰氯进行酰化反应，得到中间体a；
S2、将所述中间体a与芳香杂环单体b在钯催化剂的作用下进行偶联反应，得到具有式I结构式的D-A型咔唑基衍生物；
其中，所述中间体a的结构式为：
所述X为：
F、Cl、Br、I中的任意一种；
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