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非可逆电路元件及使用其的通信装置制造方法及图纸

技术编号:22945748 阅读:47 留言:0更新日期:2019-12-27 17:23
本发明专利技术提供一种非可逆电路元件及使用其的通信装置,具有能够以中心导体的面方向相对于安装方向为水平的方式安装的结构,其目的在于,防止外部端子横切永久磁铁导致的特性的恶化。非可逆电路元件具备永久磁铁(M)、具有绝缘性的磁性体(31)、被永久磁铁(M)和磁性体(31)夹持的磁转子(40)、外部端子(21~23)。磁转子(40)包含与外部端子(21~23)连接的中心导体(70)、夹入中心导体(70)的铁氧体芯(41、42)。外部端子(21~23)以不覆盖永久磁铁(M)的侧面而覆盖磁性体(31)的侧面的方式设置。根据本发明专利技术,能够防止外部端子(21~23)与永久磁铁(M)相接而导致的高频特性的劣化。

Non reversible circuit elements and communication devices using them

【技术实现步骤摘要】
非可逆电路元件及使用其的通信装置
本专利技术涉及一种非可逆电路元件及使用其的通信装置,特别是涉及一种适于微波波段或毫米波波段中的使用的隔离器或循环器等非可逆电路元件及使用其的通信装置。
技术介绍
隔离器或循环器等非可逆电路元件组装于例如手机那种的移动通信设备或在基站中使用的通信装置等中使用。如专利文献1所记载,一般的非可逆电路元件由磁转子和永久磁铁构成,上述磁转子由中心导体及将其夹入的一对铁氧体芯构成,上述永久磁铁向磁转子施加磁场。另外,在专利文献2中公开有通过切断集合基板而能够取得多个的非可逆电路元件。专利文献2所记载的非可逆电路元件以相对于层叠方向90°放平的状态搭载于基板。由此,因为能够在不存在永久磁铁的部分配置外部端子,所以能够防止外部端子横切永久磁铁导致的特性的恶化。现有技术文献专利文献专利文献1:日本专利第6231555号公报专利文献2:日本特开2018-82229号公报
技术实现思路
专利技术要解决的技术问题然而,如专利文献2所述,存在如下问题,若以相对于层叠方向90°放平的状态搭载于基板,则中心导体的面方向相对于安装方向垂直,因此,在频率为几GHz以下这样的低频区域,产品的高度变得非常高。因此,本专利技术的目的在于,提供一种非可逆电路元件,其具有能够以中心导体的面方向相对于安装方向为水平的方式安装的结构,防止外部端子横切永久磁铁导致的特性的恶化。另外,本专利技术的目的在于,提供一种使用这样的非可逆电路元件的通信装置。<br>用于解决问题的技术方案本专利技术提供一种非可逆电路元件,其特征在于,具备永久磁铁、具有绝缘性的磁性体、被永久磁铁和磁性体夹持的磁转子、外部端子,磁转子包含与外部端子连接的中心导体和夹入中心导体的第一及第二铁氧体芯,外部端子以不覆盖永久磁铁的侧面而覆盖磁性体的侧面的方式设置。另外,本专利技术提供一种通信装置,其特征在于,具备所述非可逆电路元件。根据本专利技术,因为磁转子通过永久磁铁和磁性体被夹持,所以能够以不覆盖永久磁铁的侧面而覆盖磁性体的侧面的方式设置外部端子。由此,能够防止外部端子与永久磁铁相接导致的高频特性的劣化。而且,因为能够以中心导体的面方向相对于安装方向为水平的方式安装,所以即使在频带低的情况下,产品的高度也不会变高。本专利技术的非可逆电路元件还可以具备:接地端子;第一接地导体,其设于第一铁氧体芯和磁性体之间,与接地端子连接。据此,通过设于第一铁氧体芯和磁性体之间的第一接地导体,第一铁氧体芯与磁性体电分离。由此,能够防止磁性体的存在导致的电气特性的变化。也可以是,本专利技术的非可逆电路元件设于第二铁氧体芯和永久磁铁之间,还具备与接地端子连接的第二接地导体。据此,能够将第二铁氧体芯与永久磁铁电分离。在本专利技术中,磁性体的饱和磁化也可以为第一及第二铁氧体芯的饱和磁化以下。据此,能够降低通过损失。在该情况下,磁性体也可以由与第一及第二铁氧体芯相同的磁性材料构成。据此,能够抑制材料成本的增加。本专利技术的非可逆电路元件还可以具备设于第二铁氧体芯和永久磁铁之间的第一金属磁性体。据此,能够使施加于第二铁氧体芯的磁场分布更加均匀。在该情况下,本专利技术的非可逆电路元件还可以具备第二金属磁性体,从永久磁铁观察,其设于第一金属磁性体的相反侧。据此,能够进一步加强施加于第一铁氧体芯的磁场。本专利技术的非可逆电路元件还可以具备另外的磁性体,其设于第二铁氧体芯和永久磁铁之间,并具有绝缘性。据此,能够使施加于第二铁氧体芯的磁场分布更加均匀。在该情况下,本专利技术的非可逆电路元件还可以具备金属磁性体,从永久磁铁观察,其设于另外的磁性体的相反侧。据此,能够进一步加强施加于第一铁氧体芯的磁场。专利技术效果这样,根据本专利技术,能够提供一种非可逆电路元件及使用其的通信装置,防止外部端子与永久磁铁相接而导致的高频特性的劣化。而且,因为能够以中心导体的面方向相对于安装方向为水平的方式安装,所以即使在频带低的情况下,产品的高度也不会变高。附图说明图1是表示本专利技术的第一实施方式的非可逆电路元件1的结构的概略立体图。图2是非可逆电路元件1的概略分解立体图。图3是表示内部直流磁场与圆极化波导磁率的关系的图表。图4是表示本专利技术的第二实施方式的非可逆电路元件2的结构的概略立体图。图5是表示本专利技术的第三实施方式的非可逆电路元件3的结构的概略立体图。图6是表示本专利技术的第四实施方式的非可逆电路元件4的结构的概略立体图。图7是表示本专利技术的第五实施方式的非可逆电路元件5的结构的概略立体图。图8是表示本专利技术的第六实施方式的通信装置80的结构的框图。图9A~9F是表示实施例1的模拟结果的图。图10A~10C是表示实施例2的模拟结果的图。图11A~11C是表示实施例3的模拟结果的图。符号说明1~5:非可逆电路元件11:第一侧面12:第二侧面13:第三侧面14:第四侧面15:安装面16:上表面20:接地端子21:第一外部端子22:第二外部端子23:第三外部端子31、32:磁性体40:磁转子41:第一铁氧体芯42:第二铁氧体芯41a:铁氧体芯的上表面42b:铁氧体芯的下表面43:电介质51:第一接地导体52:第二接地导体51a~51c、52a~52c:缺口61~64:电介质70:中心导体70a:中心导体的下表面70b:中心导体的上表面70c:中心导体的边缘部71:第一端口72:第二端口73:第三端口74~76:分支导体80:通信装置80R:接收电路部80T:发送电路部81:接收用放大电路82:接收电路83:发送电路84:功放电路91:非可逆电路元件92:非可逆电路元件101:第一金属磁性体102:第二金属磁性体ANT:天线M:永久磁铁R0:终端电阻器具体实施方式以下,参照附图对本专利技术优选的实施方式进行详细说明。第一实施方式图1是表示本专利技术的第一实施方式的非可逆电路元件1的结构的概略立体图。另外,图2是非可逆电路元件1的概略分解立体图。图1及图2所示的非可逆电路元件1为分布常数型的非可逆电路元件,被装入手机那种的移动通信设备或在基站中使用的通信装置等中并作为隔离器或者循环器使用。虽然没有特别限制,但优选本实施方式的非可逆电路元件1用于在基站中使用的通信装置。如图1及图2所示,本实施方式的非可逆电路元件1为具有大致长方体形状的表面安装型的芯片零件,具有构成xz面的第一及第二侧面11、12、构成yz面的第三及第四侧面13、14以及构成xy面的安装面15及上表面16。而本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种非可逆电路元件,其特征在于,/n具备:/n永久磁铁;/n磁性体,具有绝缘性;/n磁转子,被所述永久磁铁和所述磁性体夹持;以及/n外部端子,/n所述磁转子包含与所述外部端子连接的中心导体和夹入所述中心导体的第一及第二铁氧体芯,/n所述外部端子以不覆盖所述永久磁铁的侧面而覆盖所述磁性体的侧面的方式设置。/n

【技术特征摘要】
20180618 JP 2018-1152961.一种非可逆电路元件,其特征在于,
具备:
永久磁铁;
磁性体,具有绝缘性;
磁转子,被所述永久磁铁和所述磁性体夹持;以及
外部端子,
所述磁转子包含与所述外部端子连接的中心导体和夹入所述中心导体的第一及第二铁氧体芯,
所述外部端子以不覆盖所述永久磁铁的侧面而覆盖所述磁性体的侧面的方式设置。


2.根据权利要求1所述的非可逆电路元件,其特征在于,
还具备:
接地端子;以及
第一接地导体,设置于所述第一铁氧体芯和所述磁性体之间,并与所述接地端子连接。


3.根据权利要求2所述的非可逆电路元件,其特征在于,
还具备:
第二接地导体,设置于所述第二铁氧体芯和所述永久磁铁之间,并与所述接地端子连接。


4.根据权利要求1所述的非可逆电路元件,其特征在于,
所述磁性体的饱和磁化为在所述第一及第二...

【专利技术属性】
技术研发人员:大波多秀典松丸宜纪
申请(专利权)人:TDK株式会社
类型:发明
国别省市:日本;JP

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