一种岩溶发育地区面板堆石坝的构建方法技术

本发明专利技术提供一种岩溶发育地区面板堆石坝的构建方法，与传统坝基处理方式不同的是，该方式坝基基础处理分为河床段和左右岸坝基处理两类；两类基础面均需将揭露出的溶槽内表土、松散土层及孤石清除干净，将溶槽内可以清除的原状填充土清除，局部存在溶槽狭窄难于清除的充填粘土，其表面填筑30cm反滤料并压实处理。本发明专利技术解决了岩溶发育，溶槽、石笋石芽遍布，溶蚀裂隙发育地区面板堆石坝坝基施工处理类似问题，对坝基揭露的溶槽、石笋石芽等情况提出了明确处理方式，该处理方式能够有效确保坝基基础面处理效果，避免因坝基问题引起的不均匀沉降对防渗体、坝体的不利影响。

A construction method of face rockfill dam in Karst Area

【技术实现步骤摘要】
一种岩溶发育地区面板堆石坝的构建方法
本专利技术涉及岩溶发育地区面板堆石坝基础处理施工方法，具体地说是岩溶发育、地基溶槽、石笋石芽遍布，溶蚀裂隙发育等地区建设面板堆石坝，对坝基基础如何进行施工处理的一种方法。
技术介绍
面板堆石坝一般为几十米甚至上百米的高坝，大坝基础面填筑碾压密实至关重要，而岩溶发育地区，地基溶槽、石林较多，地基沿层理面溶蚀裂隙发育，且裂隙内都充填有土。而传统一般地区坝基处理要到平整基岩，岩溶地区无法满足要求，坝基溶槽、石林地形若不处理将影响坝体填筑质量，产生不均匀沉降，甚至影响大坝安全。为保证大坝坝基在满足填筑要求的基础上提出该处理施工方法。
技术实现思路
本专利技术即针对上述问题，提出一种对岩溶发育、地基溶槽、石笋石芽遍布，溶蚀裂隙发育地区，坝基基础如何进行处理的一种方法。本专利技术的技术方案是：本专利技术提供一种岩溶发育地区面板堆石坝的构建方法，面板堆石坝的大坝坝基分为河床段坝基和左右岸坝基，构建步骤如下：S1、将大坝坝基表面的溶槽内表土、松散土层及孤石清除；S2、清除本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种岩溶发育地区面板堆石坝的构建方法，其特征在于，面板堆石坝的大坝坝基分为河床段坝基和左右岸坝基，构建步骤如下：/nS1、将大坝坝基表面的溶槽内表土、松散土层及孤石清除；/nS2、清除溶槽内的原状填充土；/n对于河床段坝基，按照下述步骤处理；/nS3、对于河床段坝基的凸起岩体超过预设高度h1的部分，进行削除处理,形成河床段坝基找平面；/nS4、对于溶槽的底部先回填第一反滤料层，在第一反滤料层的上部回填第一过渡料层，夯实之后，再填筑第一上游堆石料层，至其高度超过河床段坝基一定距离；/nS5、夯实之后，再多次重复填筑第一上游堆石料层至河床段面板堆石坝所需高度；/n对于左右岸坝基，按照下述步骤处...

【技术特征摘要】
1.一种岩溶发育地区面板堆石坝的构建方法，其特征在于，面板堆石坝的大坝坝基分为河床段坝基和左右岸坝基，构建步骤如下：
S1、将大坝坝基表面的溶槽内表土、松散土层及孤石清除；
S2、清除溶槽内的原状填充土；
对于河床段坝基，按照下述步骤处理；
S3、对于河床段坝基的凸起岩体超过预设高度h1的部分，进行削除处理,形成河床段坝基找平面；
S4、对于溶槽的底部先回填第一反滤料层，在第一反滤料层的上部回填第一过渡料层，夯实之后，再填筑第一上游堆石料层，至其高度超过河床段坝基一定距离；
S5、夯实之后，再多次重复填筑第一上游堆石料层至河床段面板堆石坝所需高度；
对于左右岸坝基，按照下述步骤处理；
S3′、对于坝轴线上游左右岸坝基的凸起岩体超过预设高度h2的部分，进行削除处理；对于坝轴线下游左右岸坝基不做处理；
S4′-1、对于坝轴线上游左右岸坝基，溶槽的底部先回填第二过渡料层，第二过渡料层的上部再回填第三过渡料层，夯实，再填筑第二上游堆石料层，至其高度超过坝轴线上游左右岸坝基一定距离；
S4′-2、对于坝轴线下游左右岸坝基，当溶槽底宽小于预设宽度w1时，执行与S4′-1同样的处理步骤；否则，在溶槽内填筑上游堆石料，按照上游堆石区要求分层压实；
S5′、夯实之后，再填筑第二上游堆石料层，再多次重复填筑第二上游堆石料层至左右岸面板堆石坝所需高度。


2.根据权利要求1所述的岩溶发育地区面板堆石坝的构建方法，其特征在于，步骤S2中，对于溶槽面积较大，能够挖除的填充土予以清除；对于溶槽狭窄难于清除的填充土，在填充土的表面填筑反滤料层并压实处理；前述反滤料层的厚度为30cm。


3.根据权利要求1所述的岩溶发育地区面板堆石坝的构建方法，其特征在于，步骤S3和S3′中，削除处理为采用液压破碎锤配...

【专利技术属性】
技术研发人员：段玉昌，徐剑飞，徐祥，梁睿斌，
申请(专利权)人：国家电网有限公司，国网新源控股有限公司，江苏句容抽水蓄能有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11