【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】激光产生的等离子体源相关申请的交叉引用本申请要求于2017年5月10日提交的EP申请17170322.6的优先权,其全部内容通过引用并入本文。
本专利技术涉及用于激光产生的等离子体源(例如,用于光刻装置或计量装置)的种子激光器。
技术介绍
光刻装置是将期望图案施加到衬底上(通常施加到衬底的目标部分上)的机器。光刻装置可以用于例如制造集成电路(IC)。在该实例中,图案化设备(可替代地,称为掩模或分划板(reticle))可以用于生成要形成在IC的单个层上的电路图案。该图案可以被转移到衬底(例如,硅晶片)上的目标部分(例如,包括裸片的一部分、一个裸片或几个裸片)上。图案的转移通常经由成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。一般而言,单个衬底将包含连续图案化的相邻目标部分的网络。半导体行业不断寻求开发能够印刷越来越小的集成电路尺寸的光刻技术。远紫外线(“EUV”)光(有时也称为软X射线)通常定义为波长介于10纳米(nm)和120纳米(nm)之间的电磁辐射,其中预期在将来使用更短的波长。EUV光刻技术目前通常被认为包括波长在10nm至14nm范围内的EUV光,并且用于在诸如硅晶片的衬底上产生极小的特征,例如,低于32nm的特征。在撰写时,商业上最成功的产生EUV光的方法是由具有一种或多种元素(例如,氙、锂、锡、铟、锑、碲、铝等)的材料产生等离子体,这些元素在EUV范围内具有一个或多个发射谱线。在一种这样的方法(通常称为激光产生的等离子体(“LPP”))中,可以通过在辐照位置处用激光束辐 ...
【技术保护点】
1.一种用于激光产生的等离子体源的种子激光器模块,所述种子激光器模块包括:/n脉冲激光源,被配置为以脉冲重复率发射源辐射脉冲;/n子系统,被配置为提供电信号;以及/n电光调制器,被耦合到所述子系统,并且被配置为接收所述源辐射脉冲,并且在所述电信号的控制下发射整形后的辐射脉冲;/n其中所述电信号包括与所述源辐射脉冲同相的处于所述脉冲重复率的选通脉冲、以及在所述选通脉冲中的连续选通脉冲之间的一个或多个次级脉冲。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170510 EP 17170322.61.一种用于激光产生的等离子体源的种子激光器模块,所述种子激光器模块包括:
脉冲激光源,被配置为以脉冲重复率发射源辐射脉冲;
子系统,被配置为提供电信号;以及
电光调制器,被耦合到所述子系统,并且被配置为接收所述源辐射脉冲,并且在所述电信号的控制下发射整形后的辐射脉冲;
其中所述电信号包括与所述源辐射脉冲同相的处于所述脉冲重复率的选通脉冲、以及在所述选通脉冲中的连续选通脉冲之间的一个或多个次级脉冲。
2.根据权利要求1所述的种子激光器模块,其中所述次级脉冲与所述源辐射脉冲异相180°。
3.根据权利要求1所述的种子激光器模块,其中所述次级脉冲的频率是所述脉冲重复率的N倍,其中N是大于或等于2的整数。
4.根据权利要求1、2或3所述的种子激光器模块,其中所述子系统包括被配置为供应所述选通脉冲的第一源、以及被配置为供应所述一个或多个次级脉冲的第二源。
5.根据前述权利要求中任一项所述的种子激光器模块,还包括脉冲控制器,所述脉冲控制器被配置为控制以下各项中的至少一项:所述一个或多个次级脉冲中的特定次级脉冲的幅度;所述一个或多个次级脉冲中的特定次级脉冲的持续时间;以及所述一个或多个次级脉冲中的特定次级脉冲相对于所述选通脉冲中的相关选通脉冲的相位。
6.一种用于激光产生的等离子体源的种子激光器模块,所述种子激光器模块包括:
脉冲激光源,被配置为以脉冲重复率发射源辐射脉冲;
子系统,被配置为提供电信号;以及
电光调制器,被耦合到所述子系统,并且包括电光晶体,所述电光晶体被配置为接收所述源辐射脉冲,并且在所述电信号的控制下发射整形后的辐射脉冲;
其中所述电信号包括与所述源辐射脉冲同相的处于所述脉冲重复率的选通脉冲、以及DC偏置电压。
7.一种用于激光产生的等离子体源的种子激光器模块,所述种子激光器模块包括:
脉冲激光源,被配置为以脉冲重复率发射源辐射脉冲;
子系统,被配置为提供电信号;
电光调制器,被耦合到所述子系统,并且包括电光晶体,所述电光晶体被配置为接收所述源辐射脉冲,并且在所述电信号的控制下发射整形后的辐射脉冲;以及
声学设备,被配置为向所述电光晶体施加声学信号。
8.根据权利要求7所述的种子激光器模块,其中所述声学设备包括机械地被...
【专利技术属性】
技术研发人员:G·H·P·M·斯温克尔斯,R·M·霍夫斯特拉,J·H·J·穆尔斯,P·W·克利里,B·P·范德里恩休伊曾,
申请(专利权)人:ASML荷兰有限公司,
类型:发明
国别省市:荷兰;NL
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