【技术实现步骤摘要】
有机发光二极管显示装置及形成显示装置半导体层的方法相关申请的交叉引用本申请要求于2018年6月12日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0067489号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
本公开的实施例针对有机发光二极管显示装置。
技术介绍
包括移动电话、平板电脑、膝上型计算机等的各种类型的电子装置采用了平板显示器(FPD)。在下文中称作显示装置的平板显示装置包括液晶显示(LCD)装置、等离子体显示面板(PDP)装置、有机发光显示(OLED)装置等。近来，电泳显示(EPD)装置也已经变得广泛使用。有机发光显示装置通过使用因电子和空穴复合而发光的有机发光元件以显示图像。有机发光显示装置包括将驱动电流提供到有机发光元件的多个晶体管。通常，将PMOS晶体管用作有机发光显示装置的晶体管。然而，已经存在单独使用NMOS晶体管或者与PMOS晶体管结合的研究。
技术实现思路
本公开的实施例即可提供一种有机发光显示装置，所述有机发光显示装置能够在没有...
【技术保护点】
1.一种有机发光显示装置，其中，该装置包括：/n第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管设置在基底上；和/n第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管设置在所述基底上并与所述第一薄膜晶体管间隔开，/n其中，所述第一薄膜晶体管包括第一半导体层、设置在所述第一半导体层上并且与所述第一半导体层重叠的第一导电层以及设置在所述第一半导体层和所述第一导电层之间的第一绝缘层，/n其中，所述第二薄膜晶体管包括第二半导体层和第二导电层，所述第二导电层设置在所述第二半导体层上并且与所述第二半导体层重叠，/n其中，所述第一半导体层设置在比所述第二半导体层高的层上，/n其中，所述第一半导体层包括氧化物半导体，/...
【技术特征摘要】
20180612 KR 10-2018-00674891.一种有机发光显示装置，其中，该装置包括：
第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管设置在基底上；和
第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管设置在所述基底上并与所述第一薄膜晶体管间隔开，
其中，所述第一薄膜晶体管包括第一半导体层、设置在所述第一半导体层上并且与所述第一半导体层重叠的第一导电层以及设置在所述第一半导体层和所述第一导电层之间的第一绝缘层，
其中，所述第二薄膜晶体管包括第二半导体层和第二导电层，所述第二导电层设置在所述第二半导体层上并且与所述第二半导体层重叠，
其中，所述第一半导体层设置在比所述第二半导体层高的层上，
其中，所述第一半导体层包括氧化物半导体，
其中，所述第二半导体层包括低温多晶硅，以及
其中，所述第一绝缘层覆盖整个所述第一半导体层。
2.根据权利要求1所述的装置，其中，该装置还包括：
第三导电层，所述第三导电层设置在所述第二导电层上并与所述第二半导体层重叠；和
第二绝缘层，所述第二绝缘层设置在所述第三导电层上，
其中，所述第二绝缘层设置在比所述第一半导体层低的层上。
3.根据权利要求2所述的装置，其中，所述第二绝缘层的厚度大于或等于
4.根据权利要求3所述的装置，其中，所述第二绝缘层包括氧化硅。
5.根据权利要求4所述的装置，其中，所述第二绝缘层包含小于或等于9×1020原子/cm3的氢浓度。
6.根据权利要求2所述的装置，其中，该装置还包括：第三绝缘层，所述第三绝缘层设置在所述第一导电层上并且形成在所述基底的整个表面上。
7.根据权利要求6所述的装置，其中，所述第三绝缘层的厚度大于或等于
8.根据权利要求6所述的装置，其中，所述第三绝缘层包括氧化硅层和氮化硅层的多个层。
9.根据权利要求8所述的装置，其中，所述氧化硅层的厚度大于或等于并且所述氮化硅层的厚度在从至的范围内。
10.根据权利要求1所述的装置，其中，所述氧化物半导体是氧化铟镓锌。
11.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一半导体层包括分别在所述第一半导体层的第一端和相对第二端处的源区和漏区，并且包括在所述源区和所述漏区之间的沟道区，以及
其中，所述源区和所述漏区掺杂有n型杂质离子。
12.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一绝缘层形成在所述基底的整个表面上。
13.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一绝缘层形成在所...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑宇镐，权世明，金允镐，成硕济，崔埈厚，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR
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