【技术实现步骤摘要】
一种充电控制电路
本技术涉及一种为电池充电的充电控制电路。
技术介绍
市面上大部分充电控制电路采用可控硅作为控制充电电路通断的开关器件，可控硅依靠电池激活，并且导通压降（在技术上无法降低导通压降）大，如果输出电流较大，则会带来很大损耗，导致充电效率低下。另外，针对特大电流输出的产品设计，市面采用继电器的方式实现，虽然可现实较低损耗，但是针对全灌胶密封的产品，继电器方式因机械接触需要通气和散热，无法满足全灌胶密封的工艺要求。场效应晶体管的导通时的电阻较小，导通压降低，损耗较小。场效应晶体管可分为P沟道场效应晶体管与N沟道场效应晶体管，P沟道场效应晶体管型号少，价格高昂，然而N沟道场效应晶体管可供选择的型号较多，价格便宜，但是N沟道场效应晶体管的导通必需满足驱动电压高于充电输出电压的要求。为了实现N沟道场效应晶体管的导通，一般采用倍压整流电路来提高N沟道场效应晶体管的驱动电压，但是这样又会造成电路结构复杂，电路元件增多，成本增加。
技术实现思路
针对上述现有技术的不足，本技术提供一种充电控制电路，解决现有...
【技术保护点】
1.一种充电控制电路，其特征在于：包括用于串联到充电电路的主回路的正极输出线上的N沟道场效应晶体管，所述N沟道场效应晶体管的栅极、源极分别连接有光耦隔离器、供压电路；/n所述光耦隔离器包括控制电压输入端与驱动电压输出端，所述控制电压输入端包括用于接入控制电压的第一引脚与用于接地的第二引脚；所述驱动电压输出端包括第三引脚与第四引脚；/n供压电路包括用于从充电电路中的变压器中获取直流电压的整流滤波电路；所述整流滤波电路的电压正端与光耦隔离器的第四引脚连接，整流滤波电路的电压负端与N沟道场效应晶体管的源极连接，并且光耦隔离器的第三引脚与N沟道场效应晶体管的栅极连接。/n
【技术特征摘要】
1.一种充电控制电路，其特征在于：包括用于串联到充电电路的主回路的正极输出线上的N沟道场效应晶体管，所述N沟道场效应晶体管的栅极、源极分别连接有光耦隔离器、供压电路；
所述光耦隔离器包括控制电压输入端与驱动电压输出端，所述控制电压输入端包括用于接入控制电压的第一引脚与用于接地的第二引脚；所述驱动电压输出端包括第三引脚与第四引脚；
供压电路包括用于从充电电路中的变压器中获取直流电压的整流滤波电路；所述整流滤波电路的电压正端与光耦隔离器的第四引脚连接，整流滤波电路的电压负端与N沟道场效应晶体管的源极连接，并且光耦隔离器的第三引脚与N沟道场效应晶体管的栅极连接。
2.根据权利要求1所述的充电控制电路，其特征在于：所述整流滤波电路包括整流二极管D1与滤波电容C1；滤波电容C1与变压器的绕组并联，整流二极管D1串联在绕组与滤波电容C1的正极端之间。
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【专利技术属性】
技术研发人员：王龙，
申请(专利权)人：重庆和诚电器有限公司，
类型：新型
国别省市：重庆;50
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