一种超高压尖峰高压抑制器制造技术

本实用新型专利技术公布了一种超高压尖峰高压抑制器，用于高压直流电路中的超高幅值的尖峰电压的抑制；它包括电压基准电路和抑制调节电路；所述电压基准电路的输入端与电路输入端IN+和输入端IN‑连接，所述电压基准电路的输出端与所述抑制调节电路的输入端连接，所述抑制调节电路的输出端与电路输出端连接。通过电压基准和电阻器设置MOS管开关的阈值，通过调节电阻R15的阻值对电流的输出电压进行调节，从而达到抑制超高幅值尖峰电压的效果。

An ultra-high pressure peak high pressure suppressor

【技术实现步骤摘要】
一种超高压尖峰高压抑制器
本技术涉及电力电子领域，尤其涉及一种超高压尖峰高压抑制器。
技术介绍
机载270V直流高压用电设备在通电工作时，会遇到非正常电压跃变，由于用电设备中电感器的存在，在电压由较低幅值向较高幅值跃变时就会产生超高幅值的尖峰电压，该超高尖峰电压幅值远大于额定电压270V直流，不对该超高幅值的尖峰电压进行抑制，就会造成后级电路过压保护或过压烧毁，用电设备就无法正常工作。
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有技术的缺点，提供一种超高压尖峰高压抑制器，解决现阶段机载用电设备超高尖峰电压容易造成后级电路过压保护或过压烧毁的问题。本技术的目的通过以下技术方案来实现：一种超高压尖峰高压抑制器，用于高压直流电路中的超高幅值的尖峰电压的抑制；它包括电压基准电路和抑制调节电路；所述电压基准电路的输入端与电路输入端IN+和输入端IN-连接，所述电压基准电路的输出端与所述抑制调节电路的输入端连接，所述抑制调节电路的输出端与电路输出端连接。进一步地，所述电压基准电路包括电阻R1、电阻R2和二极管V1；所述电阻R1和电阻R2串联；所述二极管V1与所述电阻R1和所述电阻R2并联。进一步地，所述电阻R1的一端与电路输入端IN+连接，所述电阻R2的一端与电路输入端IN-连接，所述二极管V1与电路输入端IN-连接。进一步地，所述抑制调节电路包括一MOS管V8、电阻9；所述MOS管V13、所述电阻R9和所述MOS管V8漏极和源极连接。进一步地，所述电压基准电路中的二极管V1与所述MOS管V8的源极连接；所述MOS管V8的漏极连接电路的输出端OUT-；所述MOS管V8的栅极串联一电阻R8后与电路的输出端OUT+连接。进一步地，所述电阻R9为可调的电流电阻，通过调节所述电阻R9的大小，可调节电路的输出电压。本技术具有以下优点：一种超高压尖峰高压抑制器，通过电压基准和电阻器设置MOS管开关的阈值，通过调节电阻R15的阻值对电流的输出电压进行调节，从而达到抑制超高幅值尖峰电压的效果。附图说明图1为本技术的电路原理图。具体实施方式需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本技术。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。下面结合附图对本技术做进一步的描述，但本技术的保护范围不局限于以下所述。如图1所示，一种超高压尖峰高压抑制器，用于高压直流电路中的超高幅值的尖峰电压的抑制；它包括电压基准电路和抑制调节电路；所述电压基准电路的输入端与电路输入端IN+和输入端IN-连接，所述电压基准电路的输出端与所述抑制调节电路的输入端连接，所述抑制调节电路的输出端与电路输出端连接。进一步地，所述电压基准电路包括电阻R1、电阻R2和二极管V1；所述电阻R1和电阻R2串联；所述二极管V1与所述电阻R1和所述电阻R2并联。进一步地，所述电阻R1的一端与电路输入端IN+连接，所述电阻R2的一端与电路输入端IN-连接，所述二极管V1与电路输入端IN-连接。进一步地，所述抑制调节电路包括一MOS管V8、电阻9；所述MOS管V13、所述电阻R9和所述MOS管V8漏极和源极连接。进一步地，所述电压基准电路中的二极管V1与所述MOS管V8的源极连接；所述MOS管V8的漏极连接电路的输出端OUT-；所述MOS管V8的栅极串联一电阻R8后与电路的输出端OUT+连接。进一步地，所述电阻R9为可调的电流电阻，通过调节所述电阻R9的大小，可调节电路的输出电压。进一步地，二极管V1一端连接有一电阻R3，电阻R3的另一端与正电压输入端IN+连接；与二极管V1并联有一二极管V2，二极管V3与电阻R4串联后的二极管V3的输出端与二极管V2的输出端连接，串联后的电阻R4的一端与一三极管V4的基极连接，电阻R5与二极管V3和电阻R4并联，三极管V4的发射极与负电压输入端IN-连接，三极管V4的集电极连接一电阻R6后与正电压输入端IN+连接；三极管V4的集电极还通过一电阻R7连接一三极管V6的基极；三极管V6的集电极连接一电阻R8后与正电压输出端OUT+连接，三极管V6的发射极与MOS管V8的源极连接；二极管V5与三极管V4并联。本技术的电路图中V1为2.5V的电压基准，V2、V3、V5、V7为稳压二极管，V4、V6为三极管，R1、R2为调压电阻器，R3～R8为限流电阻器，V8为MOS管，R9为限流电阻器。本技术的工作过程为：在电源正常供电时，串联入电路的R9将持续吸收功率，并发热。由此需要在电源正常供电时，将R9短接。通过调整电路中的R1和R2设置MOS管是否短路电阻器R9的阀值电压，当电源电压低于R1、R2设置的阀值电压时，电压基准V1驱动V4饱和，由此V6基极被V4拉低，V6截止。MOS管V8的栅极被R8拉高，此时MOS管V8正向导通，电流通过MOS管漏极流向源极，R9被短接，R9上无电流流过。电路输出电压等于输入电压。当电路中出现超过R1、R2设置的阀值电压时，R2上的电压超过2.5V，V1饱和，此时V4的基极被V1拉低，V4截止。V6通过R6、R7达到饱和。MOS管V8栅极电压被V4拉低到源极电压，根据MOS管的工作原理，此时MOS管截止。电流通过R9流向电源，由于R9上有电流，R9将起到分压的作用。电路输出电压为电源电压减去R9上的压降，从而实现抑制尖峰高压的目的。以上所述仅是本技术的优选实施方式，应当理解本技术并非局限于本文所披露的形式，不应看作是对其他实施例的排除，而可用于各种其他组合、修改和环境，并能够在本文所述构想范围内，通过上述教导或相关领域的技术或知识进行改动。而本领域人员所进行的改动和变化不脱离本技术的精神和范围，则都应在本技术所附权利要求的保护范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种超高压尖峰高压抑制器，用于高压直流电路中的超高幅值的尖峰电压的抑制；其特征在于：它包括电压基准电路和抑制调节电路；所述电压基准电路的输入端与电路输入端IN+和输入端IN-连接，所述电压基准电路的输出端与所述抑制调节电路的输入端连接，所述抑制调节电路的输出端与电路输出端连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种超高压尖峰高压抑制器，用于高压直流电路中的超高幅值的尖峰电压的抑制；其特征在于：它包括电压基准电路和抑制调节电路；所述电压基准电路的输入端与电路输入端IN+和输入端IN-连接，所述电压基准电路的输出端与所述抑制调节电路的输入端连接，所述抑制调节电路的输出端与电路输出端连接。


2.根据权利要求1所述的一种超高压尖峰高压抑制器，其特征在于：所述电压基准电路包括电阻R1、电阻R2和二极管V1；所述电阻R1和电阻R2串联；所述二极管V1与所述电阻R1和所述电阻R2并联。


3.根据权利要求2所述的一种超高压尖峰高压抑制器，其特征在于：所述电阻R1的一端与电路输入端IN+连接，所述电阻R2的一端与电路输入端IN-连...

【专利技术属性】
技术研发人员：盛杰，于技强，袁永川，张莎莎，
申请(专利权)人：成都必控科技有限责任公司，
类型：新型
国别省市：四川;51